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power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别?

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发表于 2014-4-11 16:25 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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请问哪位大神帮忙解释下power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别?
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发表于 2014-5-10 16:01 | 只看该作者
SPEED2000 Applications* G4 j: {  R0 {1 k8 d1 J) E, P& I
" m3 u5 L8 [: Y" z7 n5 c
Performing time domain analysis to confirm designs meet specified targets
0 u! ^/ F3 }* o8 \SPEED2000可用来做时域分析,看波形在时域上的状况,如reflection等,快速又轻松的分析时域上的问题。; Z; ^+ ]  ?# w( Y8 Q( o
Understanding complex voltage noise propagation including return path discontinuities
$ N' C5 s$ t7 q) @- HSPEED2000可仿真到返回路径的不连续性,返回路径的好与坏将影响高速讯号的质量。( H* U1 G1 M% u
Assessing various decoupling capacitor implementations) ~) V& n  I9 w
不同的去耦电容对于讯号有影响,而SPEED2000可针对不同的电容做模拟,找到最适合的电容。( k" f: B$ }+ e* z+ I( ^! Q
Simulating simultaneous switching noise (SSN) and identifying improvement options7 X5 f; ?+ G8 ^* m1 j' i- [7 [
快速切换开关即会产生噪声,此噪声会影响到讯号质量,而在SPEED2000中,可模拟快速切换开关的问题。
. h5 U: C9 _7 _" nIdentifying package and board resonance and radiation harmonics$ M+ I) y! `$ O4 [5 x$ K
SPEED2000可拟模共振与辐射问题,这些问题对于设计质量而言,是不可忽略的。% |( B9 _9 w. a# ]3 t: w
==========================================================+ J/ d' ]( o+ M7 Z4 D$ T
PowerSI Applications
  b2 ~( ?! a  W. Z8 I0 ~
7 d  c/ l$ [, [; c& aEstablishing power delivery system (PDS) guidelines for IC package and boards3 u1 L* U! e# Y! ?3 }& Z
提供IC、package与PCB板的电源输送系统的分析仿真,解决且优化电源质量,电源质量是最根本问题,将电源质量加强,将可使整个PCB达到稳定的状态。$ U1 |- {! e& R6 M8 J, f; b
Evaluating electromagnetic coupling between geometries to enable better component, via, and decap placement
! v5 s. \4 w* x* ePCB板上会有很多的via与电容,但这此组件皆会有相互影响的问题产生,经由PowerSI即可轻松分析这些相互影响的问题,进而达到讯号质量稳定。
, b* P8 ?8 ^7 NExtracting frequency-dependent S, Z, and Y parameters for PKG and board modeling for subsequent time domain SSN simulation
% p* Q, v: H  c7 h8 B- I* u8 Q+ iPowerSI可将PCB板上提取S, Y及Z参数,经由此参数可得知PCB板上的特性,进而找到问题的根源,解决问题。
. p7 f+ T# n3 Y& CAnticipating energy leaks with near-field ration display
' d; z2 l: e6 M! N& Q1 Y% Q经由PowerSI可分析近场源的问题,进而修改layout走线降低近场问题。。
0 t2 r6 n3 V7 p6 oAssessing decoupling capacitor strategies and verifying placement effects7 u) }: k' x7 Z8 f6 G
使用PowerSI可分析去耦电容的摆放位置,去耦电容的位置对于电源质量非常重要,使用PowerSI即可分析模拟选择最好的摆放位置。; K: v. Z( ^- g+ A0 v# C( v% q
Broadband modeling including accurate DC performance characterization
" i/ c+ }- ?. ]4 A4 d使用PowerSI可建立宽带模块,此模块可达至DC状态且非常精准,对于分析电源质量非常重要。- S6 l* \% k% X" e6 s- m- n7 H+ @
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