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在周五股市大红的背景下,攻城狮们迎来了又一次难得的上课机会。双喜临门。0 r" W F r" T
今天终于RP爆发了。到了培训室的时候,居然还有大把空位!我和我的XXX都惊呆了!然后阿杜就带着签到表来到了面前。赶紧就签个名,霸了一个位。出师顺利!/ D5 N; p8 l' O) u( @/ ?5 Z) v
这次的内容基本上是DDR专题。, X0 g1 O6 M, d9 m8 q# q
首先介绍了本次课件的HDTV的CPU、板子整体布局情况以及叠层设计等。
& a' Y- L8 }4 Z, I 课件为10层板。由于板子需要EMC认证,所以板子的外层不走DDR等高速线。这样内层的布线层就捉襟见肘了。摆在面前有两条路:1.加层。2.牺牲平面层,换成走线层。性能与成本权衡折中。
. C/ u! s. `( b2 d- I/ l 凡是地球人的老板都不会同意加层。做生意,成本很重要。除非那种土豪的军企就不差钱。
7 @) ~, q/ W4 W( V- U- [" g- R 插播一个软件知识。曼哈顿距离是指两个直角边的长度。一直有听说这个名词。但是实际意思只有19号才明白了。
1 d& W5 _' z3 C; e 接着就是DDR专题了。对于DDR3来说,T型拓扑好?还是fly-by拓扑好?没有大数据支撑是不行的。
5 _6 t# U8 q6 N 随后阿杜找了一个DDR3用了T型拓扑的板子。用Cadence自带的仿真工具查看眼图。眼图张开小。接着换了一个DDR3用了fly-by拓扑的板子。还是用Cadence自带的仿真工具查看眼图。这次眼图张开就比较大了。比较一下,明摆着就是fly-by拓扑的信号质量好。6 Q% U) |$ c$ U: T
还有一些DDR的知识点统一列举如下:; M& G3 l7 S/ u8 K A7 o q
1.DDR3芯片内部集成数据线匹配终结技术ODT,无需外部匹配端接。请注意,地址线、命令线依然需要外部匹配端接。$ I! Q& Y' M8 |/ \
2.DDR1,DDR2,DDR3的特点比较。可以利用其电源电压的不同来判断属于哪一种DDR。如:DDR3是1.5V。当然低电压的DDR就另算了。
# x4 H5 z6 U1 G6 i7 Y6 R1 W7 O5 v0 U: V 3.如果主控IC支持读写平衡技术(write leveling),DQS与时钟线一般就无等长误差要求。不过还是以layout guide或者datasheet的说明为准。
4 _9 \6 `$ `$ u- Y 4.DDR的VREF线不能太细,至少15mil,以降低压降损失。走线尽量短,防止受干扰。VREF线属于电压敏感型,操作时注意电压衰减。
' p9 l, I6 r# s 中途正入迷的时候,阿杜突然打开一个SKILL。大大的“抽奖程序SKILL”几个字亮瞎了我们。这绝对是本次培训最大的亮点!难道这次我有机会抽个iPad?或者iphone也行。难道这次要打破我任何时候都抽不到奖的历史神话?1 T: g! L) k2 j/ K7 B
后来阿杜说了,这是skill的Rock版主特别地为EDA365贡献的一个喜闻乐见的人见人爱的skill。不鼓掌简直说不过去啊!几十双手以高频率宽振幅发出了悦耳的掌声。每次抽一个,每人一个特制小礼物。第一轮抽奖完毕。
8 ], | B3 i2 I) ^3 s I7 L8 M 然后就是说电源了。电源的重要性就不多说了。重点说了采样电路。有例子说明,一个图就是一个真理!在简单开关电源电路中,输入地与输出地最后共地,直接连起来,使输入回路和输出回路的面积最小。
0 i7 s6 T8 R* m- z R" ] 第二轮抽奖开始。这次的奖品绝对影响空前,是jimmy版主赞助了编写的三本书。价值连城。其中两本都被第一排的妹子拿走了。祝妹子学有所成!第二轮抽奖完毕。第三轮抽奖就坐等下次了。# ?# f; l* l" @! _* Q8 W
后来就是说接口电路了。机壳地与板内地不应直接相连,最后加磁珠或者高压电容再连接。高压电容必须耐压2000V以上。其他的知识点比较琐碎,这里就不啰嗦了。/ w4 T& j" d9 _. N+ g
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