求教——PDN阻抗防抗仿真与IR_Drop的区别？

clovep · 发表于 2016-6-28 14:30

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PDN阻抗防抗仿真，主要针对频域，目标是使在电压波动在芯片工作时维持在2%-5%内。

IR_Drop主要针对直流，通过仿真了解直流压降。目标也是使电压压降在2%-5%内。

如果以上两种方式都使电压波动维持在5%，那想叠加岂不是波动在10%？

请高手帮忙解答。不胜感激。。。

binbinqq88 · 发表于 2016-9-27 18:47

同求

lizongshan · 发表于 2016-10-9 09:50

已经下了，非常感谢！！

Dandy_15 · 发表于 2016-10-14 13:32

我的理解是得结合起来考虑，如果目标要求是5%，那么AC纹波加IR_Drop总体不得超过5%,一般情况下，AC纹波占20%,IR_Drop占到80%

binbinqq88 · 发表于 2016-10-28 21:23

先确定目标值，AC（主要看L值）纹波+DC（直流电阻）IR-drop 小于目标值

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