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稳压管跟nmos管

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发表于 2015-2-26 11:52 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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大家新年好:
+ q) _9 K) q) \9 S7 ?% b请教一个问题,如图,Q3和D7组成的电路是什么作用?,如果BAT+是24V,REGIN是多少?
; f9 d6 B0 h" u( r

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发表于 2015-3-6 15:34 | 只看该作者
我的结论是   BAT电压必须要大于5.6V  REGIN端 才会有输出BAT电压

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和这楼的观点一致 GS<0 Mos管才会导通  发表于 2015-3-11 08:44

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发表于 2015-3-11 19:28 | 只看该作者
这个电路如果把NMOS换成三极管估计大家都能看明白.作用还是一样的.就是最经典的稳压电路
% a0 C  l$ y6 B' o
. }2 O+ [8 v( ^& C: A7 Z可是这个电路是2N7002,就没什么意义了.
7 ?* O4 a! U) b7 ?% ]9 A三极管或NOMS的优缺点:三极管形式由于PN结电压较稳定,所以输出电压精度高一点,缺点是三极管需要较高的电流来驱动基极,所以带载能力差。如果想带载能力好,就需要复合管驱动,这样又会使得元件增加,功耗增大(当然这种是电路也不在乎这一点);
' k4 Y3 M! }, S: c) G* j; s2 Y7 {8 n
NMOS管的唯好处是元件少一点,不需要驱动电流,但是成本高,稳定性或温度特性就更差了.基本上得不偿失。所以实际应用极少

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"學會了" 就簡單了.

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发表于 2015-4-8 12:01 | 只看该作者
fjnhzhm 发表于 2015-4-8 10:35
$ G) m5 U, ^+ \5 r/ Q4 n# H+ j实测验证神奇杰克的仿真,如下图:
/ d* M! a6 c2 l/ H7 U3 U
18V 會造成 MOS 燒毀?. _5 V1 ~. N8 N3 f. g6 Q4 p6 M
VDS 和 VGS 大於外部電源電壓18V,計算 MOS 消耗功率小於 0.06W,以上都符合規格書,所以我認為 MOS 應該不會燒毀。
' ?$ T# Z# Q. }9 J' P造成 MOS 燒壞原因有可能是實際 MOS 接錯了,或是 ESD 才會造成 MOS 會燒毀。其他不明原因我想不出來!& V# h+ o' A3 @

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"學會了" 就簡單了.

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发表于 2015-2-26 12:30 | 只看该作者
看圖片

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实测验证神奇杰克的仿真,如下图:  详情 回复 发表于 2015-4-8 10:35
可以分析一下电路的原理吗?  详情 回复 发表于 2015-2-26 13:02

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 楼主| 发表于 2015-2-26 13:02 | 只看该作者
; `$ L" X3 Q9 W2 q
可以分析一下电路的原理吗?8 S! x+ {& T6 T1 @5 k% e2 [0 Y

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发表于 2015-2-26 14:08 | 只看该作者
MOS管就是一开关啦;
不疯魔,不成佛.

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发表于 2015-2-26 16:46 | 只看该作者
D7是一稳压二极管,当电压低于5.6V是不起作有。当电压超过5.6V时,起作用。把Q3的G极拉低。4 o% g7 F3 A% I& ~6 I
如果BAT+是24V,REGIN应该没有电压。因为D7已起作用。Q3已关闭。

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搞错了!6楼才是正解...  发表于 2015-2-28 16:43
这明显不是正解!  发表于 2015-2-28 15:22
正解  发表于 2015-2-28 14:37

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发表于 2015-2-28 10:53 | 只看该作者
我的理解是当BAT+的电压低Q3的VGS(2.1V)电压,Q3关断,REGIN没有电压输出,当BAT+的电压高于VGS电压时,Q3部分打开,REGIN电压为D7上的电压-VGS

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这个才是正解!  发表于 2015-2-28 15:22

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发表于 2015-2-28 13:55 | 只看该作者
看了半天没看懂这个图的意义,楼主如果可以的话,请上传PDF(完整),或者告知你的目的。

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这是一个电池检测芯片的部分电路,型号是bq34z110,可以看下  详情 回复 发表于 2015-2-28 14:18

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 楼主| 发表于 2015-2-28 14:18 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-2-28 13:55
! E& v! l0 I1 Y+ e9 K看了半天没看懂这个图的意义,楼主如果可以的话,请上传PDF(完整),或者告知你的目的。
( S3 s8 f$ n. n+ a9 l
这是一个电池检测芯片的部分电路,型号是bq34z110,可以看下" K4 f- O) }0 P" o9 s7 v: a% y

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发表于 2015-2-28 15:39 | 只看该作者
楼主这个稳压管和N-MOSFET组合做一个类似稳压的作用。6楼已经分析出来了。
3 L. v3 ^% f8 h8 _MOSFET工作在线性状态。

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发表于 2015-2-28 17:07 | 只看该作者
刚才查了下MOS管的线性区指的是VDS电压较低的时候,这个电路MOS管也不是工作在线性区,而是当电池电压超过5.6时G电压恒定,MOS管导通后S极电压开始升高当升高到5.6-Vth时MOS管关断,在MOS管S极电压降低到5.6-Vth以下时MOS管导通,使S极电压维持在5.6-Vth;6楼说的很好

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QQ图片20150228170100.png

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那如果将这个稳压管换成3K电阻,通过电阻降压使得24v稳定后G级电压在5.6v,这样效果是不是也差不多?  详情 回复 发表于 2015-3-5 09:48
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  发表于 2015-3-5 09:46

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 楼主| 发表于 2015-3-2 11:28 | 只看该作者
非常感谢各位的热心解答,谢了

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发表于 2015-3-5 01:11 | 只看该作者
电路设计的不错,用稳压管"制造"一个源。高电压转成低电压逻辑电平,得积累一下~~谢楼主。

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发表于 2015-3-5 09:48 | 只看该作者
本帖最后由 littlepig 于 2015-3-5 09:49 编辑 0 y/ x+ j$ E" E
风吹摇摆 发表于 2015-2-28 17:07
# h) N' F. _, R刚才查了下MOS管的线性区指的是VDS电压较低的时候,这个电路MOS管也不是工作在线性区,而是当电池电压超过5 ...
' f- [4 F0 L5 L2 a  i# t9 g
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为什么你这个提醒一直在,都跟了我10几天了.....  详情 回复 发表于 2015-3-18 15:28

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发表于 2015-3-10 15:27 | 只看该作者
1、电压保护电路,约大于6.1V时(实际应用5.6V稳压管,6.1V时才彻底饱和导通), REGIN端便无电压
8 B- O5 \3 V/ {/ h(<0.2V);而VBAT低于6.1V时, REGIN端跟随VBAT电压变化;
& G0 I. T1 z" c0 E2、另外若BAT+接24V, 稳压管比较热,R3适当增大为佳,当然看你用什么类型的电阻与稳压管;
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