Q 求助MOS管充电原理

tianpu0501

求助MOS管充电原理
: \* t2 o! f2 C

jacklee_47pn

Q2+Q3 背對背接法是防止反向漏電
9 v5 Z8 r) y- I/ }! B& {
1 Z  H$ g  h' F0 H當DC_IN有電的時候 Q2+Q3 導通，Q4 關閉。
5 m$ \- ^( R! f' L7 K% w當DC_IN消失的時候，Q4導通，Q2+Q3 關閉。

tianpu0501

jacklee_47pn 发表于 2015-5-29 18:36
Q2+Q3 背對背接法是防止反向漏電
$ Z5 t1 k7 l  |3 x5 f
8 a% @0 C3 A3 ?: z1 Q. k當DC_IN有電的時候 Q2+Q3 導通，Q4 關閉。

Q2+Q3同时怎么个原理能同时导通，P MOS管 G<S才能导通两个S级连在一起，电流怎么流的？

jacklee_47pn

tianpu0501 发表于 2015-6-2 13:59
Q2+Q3同时怎么个原理能同时导通，P MOS管 G

0 v2 n4 g& D. L- M& f! L; D

增強型的金氧半場效電晶體（EnhancementMOS）也有四隻腳，理論上D與S是可以互換的。但是在實際製作過程會產生寄生二極管，造成使用上有單方向漏電(或說是保護MOS管)。

; m6 ~  w3 E* [4 L9 B, D

當交換D和S的時候，在設定MOS管偏為壓導通的狀況下，Rds(ON)壓降會遠小於寄生二極管VF。在MOS管偏壓為截止的狀況下，會有漏電的存在(VF壓差) 。

tianpu0501

jacklee_47pn 发表于 2015-6-2 15:34
增強型的金氧半場效電晶體（EnhancementMOS）也有四隻腳，理論上D與S是可以互換的。但是在實際製作過程會 ...

3 c0 w1 e) K1 J8 W8 N& [+ }非常感谢！说得很详细。
$ s8 @& X1 c4 r& u1 n4 n1 N! G) _

liangkai520

Q1呢