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面向SiP封装的层压板与LTCC板射频模块设计

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发表于 2015-3-5 13:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 pjh02032121 于 2015-4-3 09:21 编辑
) W1 C  O+ f% Q' U# W$ V- v% B) N
+ D' F4 w" u( M5 m4 z: Y
随着移动无线设备面临更大的缩小体积的压力,人们开始采用系统级封装(SiP)来解决这一难题。不过,前端的射频电路通常需要首先集成在一块基板上,形成一个模块,然后再嵌入SiP中,才能保证射频电路的完整性以及与其它电路的隔离。这种射频模块通常有现成的产品可以使用,但有时为了满足特定要求,还要寻求专业厂商的定制设计。! W, @$ U4 A1 x4 t/ G
+ `4 k5 |* |5 f8 }
把射频功能集成在层压基板和低温共烧陶瓷(LTCC)上是两种不同的设计问题。本文探讨这两种基板在射频模块设计方面的优势和劣势。并将借助一些模块设计实例来介绍一般的设计过程。 - a7 _' V) r: s+ S4 U; c! _$ N- b
3 L* x7 L! i& H, v
首先分析射频模块的整体设计要求,再决定如何把射频功能设计到模块中,这是一种良好的设计流程。射频设计流程的第一步是定义最终用户对模块的要求。以便进行分析并开发模块解决方案来满足期望的尺寸和射频性能。
) |0 h0 m, c! t; \3 L/ P
* f3 d% i' y  P& e: R检查对层压板和低温共烧陶瓷(LTCC)的分区所做的成本分析。通常每项要求都会检查一个全层压模块、一个全 LTCC 模块,以及一个将某些射频功能设计到 LTCC 中的层压模块。目前,完全 LTCC 设计的模块局限于前端天线开关模块。例如,某种模块在 6.7 × 5.5mm 的封装尺寸中包含一个双工器、若干低通滤波器、两个 PIN 二极管天线开关和三个 SAW 滤波器。 8 S$ q: }9 G2 B
! @! O* c& y9 Q2 I( Q
大体而言,过去的设计经验为准确地预先估算各种分析选项下射频模块的成本、尺寸和性能提供了基础。根据详细程度、选项数量和选项间共性等差异,这种分析需要花几天到几周时间。# w6 `9 N6 i7 [; N* d) [6 j' }( P

. s8 B7 {0 c5 I" c& d/ o两种基板的特性比较 8 H7 I) a# C3 m+ Q, T6 a  W
3 p2 W2 {( G6 V) R
层压板的成本一般比陶瓷更低。通常,陶瓷模块为了具有成本效益必须缩小尺寸,这可以通过把更多电路嵌入多层 LTCC 来实现。对于同样尺寸的模块,层压板的成本几乎总是更低。不过,当用到精细间距的倒装芯片核芯时,层压板的成本就可能很高昂了。精细间距的倒装芯片器件需要成本更高的高级高密度互连(HDI)技术。根据构造的不同,HDI 可能比 LTCC 成本更高,也可能更低。在某些设计中,无源器件和内核决定了模块尺寸。图1显示的蓝芽模块包含两个内核和若干高价值无源器件,它们都无法嵌入 LTCC 中。该设计包含一个巴伦平衡-不平衡变换器和一个滤波器,它对数字通信系统(DCS)频率和个人通信系统(PCS)的频率抑制为 40dB。4 J1 I+ m! j& u

: t4 ~0 Q$ ~' y5 G1 U( ~% {$ M( O
. M; j2 R, k1 \! w' q1 O8 ^0 P
图 1, 蓝牙层压板模块

) z4 o" X2 `" A; ~+ G* h! T% \LTCC 有较高的介电常数和薄的隔层,可以在 LTCC 层中嵌入低容量电容。有些 LTCC 的层厚仅有 20 微米。焙烧之后,在 40 微米带厚时可以提供高达 80 的相对介电常数。这使两个介电层的电容密度达到 18pF/mm2。而层压板电容密度被限制在 1pF/mm2。
; f$ C, Z. T2 w1 T+ V  H& P0 n% o9 a" i; H
这样,陶瓷相对于层压板就具有了尺寸优势。陶瓷还提供范围更宽的介电常数。LTCC 的相对介电常数范围是 5~80,而层压板是 2~5。层压板和陶瓷均提供各种电介质厚度,不过陶瓷能够提供薄得多的尺寸。对于电容器而言,这是优势,但却可能阻碍某些结构的应用。
  i4 H) c& H. p9 B4 \9 ]借助过孔技术,LTCC 还获得了另一项尺寸上的优势。LTCC 可提供焊盘中的过孔。这样可以把元件安放在焊盘上,因为过孔是实心的金属。2 Z/ L* S2 L! [% {

) ]6 J3 ~  d/ m; H' T: C' a$ w& a低成本的层压板解决方案使用的是机械方式钻出的过孔,其直径为 200 微米。过孔的一部分被金属填充。不过,过孔太大,无法被金属完全填充。剩余部分用阻焊材料来填充。由于焊锡不会粘附到阻焊材料上,因此需要使过孔离开元件焊盘。如果在层压板上也用焊盘中过孔技术,可以使用 HDI 或增加一个过孔电镀(via overplating)工艺。不过,这些问题常使层压板产品的成本明显增加。# b: K4 B5 o9 V

9 k  z) m# }2 [& S" _0 g+ A# S, RLTCC 的另一个优势是它的过孔和过孔捕获焊盘(capture pads)尺寸都更小。这使设计更紧凑。不过与层压板相比,在陶瓷基板中的过孔必须离模块边缘更远。因此,陶瓷的优势是嵌入 30pF 以下的小容量电容器,更小的过孔和捕获焊盘。当模块尺寸不是由各种无源器件和内核所决定时,陶瓷基板可实现比层压板更小的设计。这就抵消了陶瓷基板较高的成本,尤其有利于精细间距的倒装芯片核芯。它也可能比 HDI 基板更经济。( v7 T3 H  f! X/ U

6 j+ e7 [$ m9 R5 k层压板是一种成本更低的材料,用注模成形方法可以低成本地保护引线接合的内核。陶瓷需要更昂贵的围堰填充(dam and fill)操作,还需要一个取放用的盖子。目前,层压板可提供相似或更小的线宽和间隔。在 50 微米的大批量生产时,层压板可提供 65 微米线宽和间隔,而很多 LTCC 使用 80-100 微米,有些在内层上可低达 60 微米。另外,层压板使用更厚的金属,传导性更高,从而使电阻电感都更低。在陶瓷中实现相同的电阻和电感则需要更大的线宽。层压板解决方案还提供更好的附属可靠性,因为它们的热膨胀系数(TCE)接近于与之匹配的印刷电路板。陶瓷的 TCE 为 7 × 10-4,而层压板和匹配的印刷电路板的 TCE 在 12 × 10-4和 14 × 10-4之间。在为模块连接所做的二次回流焊期间,互连焊点的应力更低。另外,如果印刷电路板是双面的,可能还需要第三次回流焊。在产品工作环境的热条件下,匹配的 TCE 也使印刷电路板上的机械互连焊点的应力更低。
3 o6 x& Q, y" B8 K9 e/ q/ T. p
) U' i/ T) Z  J% s( B" a1 C陶瓷模块一般采用焊接凸块或焊球,封装为 BGA,来帮助降低由于陶瓷和印刷电路板的 TCE 不匹配而造成的互连焊点应力。另外,关键的连接点被排成一行,并远离应力较高的模块角。它们还可以进行复制以提高可靠性。封装尺寸对于可靠性也是很关键的。不过,层压板的可靠性是不容易获得的。
0 B& f9 P  f4 @% d& X' N' V
+ v4 ]+ R4 _( V4 v' {% L阻容元件的嵌入% e- O* B& C6 F" v0 d

, ~$ e! ~& ]& n6 Y; c* `- t新近的技术进步已经开始模糊了陶瓷和层压板之间的区别。
9 s$ M+ g% t$ h, y( M7 I( g4 a) g5 z0 v' B8 g1 M
陶瓷的一项优势是能够嵌入电容器。多种新技术也可以在层压板内部嵌入电容器。目前的技术仅适合于大容量电容器。它们使用 X7R 电介质或非常薄的亚微米薄膜。不过,嵌入式小容量电容器正在开始出现。4 L, b* |# _/ X. G% p
1 C0 _" r! @( ?; ^2 @, E
这种技术的样品已经得到了验证,不过目前它还不具备大批量制造的成熟工艺。预计有嵌入式电容器的层压模块将于 2004 年进入批量生产。  ~6 w, D$ }9 J
3 @) d, L4 G2 O# s
此外,这两种工艺都可以嵌入电阻。Shipley 公司的工艺局限于材料整体的表面阻抗都相同。Dupont 公司的工艺可以混合并匹配各种表面阻抗的涂料,仅比单一涂料方式多增加一点成本。目前,如果嵌入式无源器件的数量接近每平方厘米6个,那么这两种技术都很有成本效益。不过,元件数量很少时往往成本更高,只有增大批量才有望降低成本。! @2 M7 `6 _" @' `% w9 ?/ P9 A$ V

# e  R. S2 r+ w6 Q9 I0 Q在陶瓷基板这一方面,已经开始出现各种针对陶瓷的注模成形工艺。通过对多种影响可靠性的因素进行优化,降低了陶瓷模块的总封装成本。8 r4 J$ d" ^$ l; D' U
0 z* ^1 N' u7 _) Y* [* j  F( ^; t
尽管层压板的介电损失更高,但它的金属部分比 LTCC 好。LTCC 在介电损失方面性能更好,但牺牲了金属连接性。它焙烧的金属层更薄,损耗更大。
% A% D- y5 F; `4 r- R
9 o8 \7 i3 b8 G5 N9 D滤波器等器件的集成
3 U$ t& i$ n. P. X. n. d
6 O( o+ U2 R: G  a& n* F层压板滤波器可用于 2.4GHz 和 5GHz 的蓝牙应用和 WLAN 应用(图2)。这些频率的平衡-不平衡变换器和其它装置也已经开发成功。这些器件降低了总封装成本,同时能为接收器提供射频选择性。滤波器保护接收器免受 PCS/DCS 和蜂窝通信的影响。它还为发射器和工作在 5GHz 范围的 802.11a 等系统提供了一定的谐波衰减。
. L1 b/ G1 U  K, [9 D4 s. a; V0 T* Z- F; t# [( W

, G9 m# k1 r) n# V% c图2, 层压板 2.4GHz WLAN 和蓝牙嵌入式滤波器

  U" w' z, _9 E6 b6 t) y# n滤波的数量取决于接收器的预期保护级别、距离和动态范围,以及低噪声放大器(LNA)的压缩点。不过,压缩点与 LNA 的电流消耗密切相关。
( K- o0 u$ j' V1 N0 }. S. [# K/ B3 U
滤波器无法对带内干扰源提供防护,如 2.4GHz 手机和泄漏微波的微波炉等。LNA 压缩是对带内干扰源的唯一防护方法。滤波可以对带外干扰源提供防护。LNA 压缩和滤波器选择性之间仍然存在着一个平衡问题。
8 L, Y  ~4 M% B) ]. z( P  C9 g# j) G1 p! A& O! O( K
假如没有更高的插入损耗,那么对于低 P1dB LNA,也许无法实现充分的滤波。 不过,由于插入损耗在 LNA 的前面,因此它将影响总体接收器噪声值。这种更高的滤波器插入损耗需要的 LNA 噪声值(以满足总体接收器灵敏度)也许是无法实现的。使用高通滤波器来代替传统的带通滤波器,为在基板中嵌入滤波器带来了机会。这样的优点包括消除了很多元件、需要的空间更小、材料清单成本降低,以及通过使用更便宜的模套(moldcap)来降低成本。! ~5 s7 S* c0 w8 Q
( h. B% X' [$ j2 w+ `
陶瓷滤波器的外形较高,而且需要成本更高、带盖子的围堰填充工艺。先进的设计可以使层压式滤波器具有足够高的选择性,无需再用陶瓷滤波器,这样使高度更低,同时还是一种减少成本的替代方案。
; \: G8 Y; n: H, b- Q0 Q  O1 b( ]8 e
其它集成工艺
$ ]. p/ g4 e9 d' I$ W* U) ?: i  ^- _! E3 v! H/ I; o
) R5 D  X) U2 W" F9 u9 C: J6 b( c* r
图 3, 带有集成式天线和屏蔽的蓝牙模块
" B/ p, E" N# j
集成式天线是另一种可以降低总体系统成本的技术。图3描绘了一种全蓝牙模块,它需要外部参考信号。它包含一个具有数字功能和射频功能的内核。该设计包括若干嵌入式滤波器和一个巴伦平衡-不平衡变换器。天线被集成到了封装中。它采用 93 脚 BGA 封装,尺寸为 15 × 15 × 6.5 mm,不过高度可以降至 4 mm。
) |* z5 E: r6 i! |, R- I* w4 R+ n9 E6 u2 l  K5 g
嵌入式屏蔽也是降低成本的一个因素。屏蔽可能是用来降低辐射,从而满足规范要求,使器件免受附近干扰源的影响,并使收发器能够正常工作。
& E8 ]3 v8 |1 R' w; R8 j
8 i5 |+ e2 i( Q. D9 i1 G一个信号可以耦合到蓝牙或 WLAN 前端滤波器后面的电路板中。与产品外部干扰源相比,这可能会在蓝牙或 WLAN LNA 中产生更大的噪声级别。电路耦合可能还会影响 PCS 接收器。这是由于直接耦合也可能于接收器链的后面耦合进来。如果它在自动增益控制(AGC)带宽范围内,那么它可能会启动 AGC。AGC 带宽一般比中放(IF)带宽更高。这可能会在接收器中产生 30 dB 的 AGC,降低接收器灵敏度。所以在电路设计时一定要特别小心,避免耦合现象。$ ~0 I5 a# D  _& }

4 @6 u8 i$ i! q: R* U* I; A除了这些直接耦合机制以外,蓝牙收发器和 PCS 收发器还必须与彼此的时钟和寄生干扰一同工作。
( V% F; }7 k9 y: H; \; G! [& K& z8 F6 l- j/ m6 g3 G8 U
要预测这些辐射的影响是不容易的。封装级的屏蔽能够满足这些要求,同时满足有关该系统的规定。屏蔽一般是在产品级别实现,但是,封装级屏蔽可以为许多产品开发商免除昂贵的供应问题,从而降低成本。一种替代解决方案是将其中屏蔽部分与内核封装在一起。模块可以包含多个屏蔽装置,以便免受基带干扰、射频干扰或发射器及接收器电路的影响。
8 M: m( T7 d( w5 @' {0 f2 E( x/ h
除了这些技术以外,其它工艺,比如芯片和接线、倒装芯片、堆叠内核、嵌入无源器件和双面表面安装等,也可以作为解决方案的一部分。: i8 m& [8 l" _6 i
2 P5 L  d- M/ Y; E# C; j# t
早期成本核算
0 x2 B2 Q3 x# I7 F7 p' [0 t% P3 J1 P; F) V; p- \$ D5 [: V8 T. x" Z* @
对产品成本降低最大的影响是在产品设计早期获得的。如果各种选项的封装成本、尺寸和性能可以在初期确定的话,那么就能避免很多的重新设计、设计转向和设计失败。
) I, B" k! I8 f6 r5 w( l
; |; z# i7 o& n1 _6 ?图4给出了一些典型的组装成本构成和基板成本构成。根据这些因素,可以优化该架构,以包含低成本的射频设计,并产生最优的模块解决方案。 ; }2 q* W* o- u" n  w! ?# M) Q( s3 y

, y$ ]) q2 O* s( p! P# L" K

5 O0 r& r" f- F8 m- R9 i' U图 4, 若干 SiP 成本因素

, N  b3 [0 P( P  _5 K这种初始设计包括微调,以及各项值和零件位置在第一个原型阶段做的调整。从"负载拉升"器件数据或应用板测量得到最好的结果,不过,借助器件模型来设计也是可能的。
% ?$ c. C. M- L& X6 f8 u6 q  W1 r2 D/ J! p8 j! p) W/ c
多数射频功率放大器设计项目包括热管理的仿真和设计。它们可以设计在任何基板中。它可以在集成式无源器件网络中包含薄膜、玻璃或硅。
/ u4 k! n: Y7 H3 p0 W2 ]; t. i
, d+ y8 A1 s' Q: T! n; o- KSiP 的未来趋势% a8 n3 N, `: \

$ G. L! F4 `/ n' x& f射频 SiP 越来越受欢迎。它简化了匹配的系统板、增加了单位面积或体积内的功能、减少了最终的组装成本与零件数量、改善了电气性能、增加了最终组装的成品率、加快了产品上市时间,同时降低了最终用户或组装人员需要了解的射频专业知识。
" Q0 B- R' {9 |8 }0 z- f. S* \/ p+ V( P9 m; c3 q) _. [
结果,射频 SiP 在行业内被日益广泛接受并用于大批量封装系统。

5 _+ L0 x. s+ L! Q' I
3 T' X" o5 r$ c8 m9 R& K; c
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发表于 2015-3-14 16:53 | 只看该作者
太专业了

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发表于 2015-3-16 15:37 | 只看该作者
这里的层压板就是指的ic载板吧

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yes pcb和ic载板(封装基板)都是层压板  详情 回复 发表于 2015-3-16 16:19

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 楼主| 发表于 2015-3-16 16:19 | 只看该作者
啤酒花 发表于 2015-3-16 15:37% ?$ M* G/ }" L; m( g4 Z
这里的层压板就是指的ic载板吧

0 O. v% h! }2 H$ \: q, _. L" P. i* q8 fyes pcb和ic载板(封装基板)都是层压板
; p* U# X( D8 q. _  B; K, d* p8 E/ c, z6 t2 @" q0 \" M
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发表于 2015-3-16 16:39 | 只看该作者
这里的层压板就是指的ic载板吧

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完全正确 ,substrate大陆叫封装基板,台湾叫IC载板,层压板是包括普通PCB在内的统称。  详情 回复 发表于 2015-4-22 22:15

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发表于 2015-3-19 13:54 | 只看该作者
专业的汇总

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发表于 2015-4-13 14:58 | 只看该作者
本帖最后由 hwh 于 2015-4-20 08:42 编辑
; p9 j2 T7 w3 p: \8 x! s
% h* F+ g9 W! S6 ?8 W) s挺专业的,有点看不懂
7 D: [( P9 {* E' u  z. D

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发现一个恶意灌水的 T了  详情 回复 发表于 2015-4-14 11:47

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发表于 2015-4-14 11:47 | 只看该作者
hwh 发表于 2015-4-13 14:58
1 Z) W+ |4 l$ g7 ?好好好

9 J4 ~( S* g" `! j5 T, H* B$ b发现一个恶意灌水的  T了( ~3 `' U9 ~1 z; q" }

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hwh
好吧 我错了。。。。。。。。。  详情 回复 发表于 2015-4-20 08:39

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发表于 2015-4-20 08:39 | 只看该作者
啤酒花 发表于 2015-4-14 11:47
3 P1 e5 p( w0 i+ u! J. c3 Y  q. }发现一个恶意灌水的  T了

9 |5 C/ Q; r; Z& e好吧  我错了。。。。。。。。。

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 楼主| 发表于 2015-4-22 22:15 | 只看该作者
bingshuihuo 发表于 2015-3-16 16:395 D7 E5 K+ }5 V: ^
这里的层压板就是指的ic载板吧

8 j8 U/ L* b$ }完全正确 ,substrate大陆叫封装基板,台湾叫IC载板,层压板是包括普通PCB在内的统称。' b$ L& z( T- k6 d* i
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