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半导体器件的贮存寿命

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发表于 2015-1-19 15:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1 引言 高可靠半导体器件在降额条件(Tj=100℃)下的现场使用失效率可以小于10-8/h,即小于10FIT,按照偶然失效期的指数分布推算,其平均寿命MTTF大于108h,即大于10000年。据文献报导,电子元器件的贮存失效率比工作失效率还要小 一个数量级0 M$ p: @! c  w0 p9 [3 u% v

, ]3 n1 w* r0 p' M
1 |% s  \  q* A+ E
1 引言
4 F' ~& Z& v/ @* R1 c/ I: y& N2 p4 F0 V
高可靠半导体器件在降额条件(Tj=100℃)下的现场使用失效率可以小于10-8/h,即小于10FIT,按照偶然失效期的指数分布推算,其平均寿命MTTF大于108h,即大于10000年。据文献报导,电子元器件的贮存失效率比工作失效率还要小 3 {0 `4 k4 Q. g$ b2 E! F& O2 |
一个数量级,即小于1Fit。
  s+ y: `8 }$ Y1 f& O1 k/ e" [7 a6 h8 ^/ z0 x; M. {
国内航天用电子元器件有严格的超期复验规定,航天各院都有自己的相应标准,其内容大同小异[1]。半导体器件在Ι类贮存条件下的有效贮存期最早规定为3年,后放宽到4年,最近某重点工程对进口器件又放宽到5年,比较随意。同时规定,每批元器件的超期复验不得超过2次。
6 D1 R+ L7 t9 s! K! ]
% h: h, b6 w' A: m0 \美军标规定对贮存超过36个月的器件在发货前进行A1分组、A2分组以及可焊性检验[2],并没有有效贮存期的规定。
/ ?. s/ O; Z4 F* S/ s' h& x) f3 d) j" ~6 b& h) ]2 P8 U
在俄罗斯军用标准中,半导体器件的最短贮存期一般为25年,器件的服务期长达35年,和俄罗斯战略核武器的设计寿命30年相适应。
% U- Y7 V( ^" Z% d3 D2 `" c" S, R6 |3 t0 L) o
然而,国内对于半导体器件的贮存寿命尤其是有效贮存期有着不同的解释,在认识上存在着误区。国内的超期复验的规定过严,有必要参考美、俄的做法加以修订,以免大量可用的器件被判死刑,影响工程进度,尤其是进口器件,订货周期长,有的到货不久就要复验,在经济上损失极大。 7 ?, |6 J/ h. w  i) a0 ~
# P1 [7 G8 a% j9 Z
2 芯片和管芯的寿命预计
- c5 W. A: t+ F; l. ?& f$ `9 ~7 ~0 x8 \* k$ s& O
高可靠半导体器件通常采用成熟的工艺、保守的设计(余量大)、严格的质量控制、封帽前的镜检和封帽后的多项筛选,有效剔除了早期失效器件。用常规的寿命试验方法无法评估其可靠性水平,一般采用加速寿命试验方法通过阿列尼斯方程外推其MTTF,其芯片和管芯的寿命极长,通常大于108h,取决于失效机构激活能和器件的使用结温。
( O( K1 u: `- g' |9 T8 b4 f% ]$ }* B! W5 ^. \
随着工艺技术的进展,半导体器件的激活能每年大约增长3%。据报道1975年的激活能为0?6eV,1995年增长到1?0eV,其MTTF每隔15年增长一倍,加速系数每隔5年增长一倍。
0 P. W) {3 A% O4 B6 {* v9 Y$ A5 N0 J1 r0 N( F
化合物半导体器件微波性能优越,可靠性高,自80年代以来,在军事领域得到了广泛的应用。已报道的GaAsFET,HBT,MMIC电路的激活能一般都大于1?5eV,即加速系数非常大。MTTF的报道在109~1011h,外推至沟道温度100℃。
$ X! W9 |/ r$ d2 P$ G0 T
- o) m' L( V3 T$ {加速寿命试验能暴露芯片或管芯的主要失效机理有:金属化条电迁移、氧化层中和氧化物与半导体界面上的可动电荷、电击穿、界面上的金属化与半导体的相互作用以及金属间化合物等。
. d& m/ ~8 k  ?  n' J5 Z
5 p1 z' O- d+ d; j  }6 V3 超期复验和有效贮存期
! W' i) o7 R) A5 \5 a+ A0 ~1 J8 |# i4 t7 F
由于半导体器件的芯片和管芯的寿命极长,因此超期复验的重点应关注与器件封装有关的失效机理。例如器件的外引线在多年贮存以后,有的会产生锈蚀,影响到可焊性,在装机后易产生虚焊故障和密封性不良的器件。在长期贮存中,水汽会进入管壳,产生电化学腐蚀,使内引线键合失效或电参数退化。不过对于密封性良好的器件,如漏率小于10-9Pa;m3/s,其腔体内外90%气体交换时间为20年,可以忽略外部水汽的影响。
$ n% |9 D1 P, D, w7 {! T, V" u  e- \0 r% m
在美军标MIL-M-38510微电路总规范中规定:对制造厂存放超过36个月的微电路在发货前只要求重新进行B-3分组的可焊性试验,不要求重新进行A组检验,也没有有效贮存期的限制。俄罗斯对电子元器件的贮存性评估方法已制定了标准[3],其中有加速贮存和长期贮存两种试验方法,即使采用了加速贮存方法,也要积累多年的数据,也只能部分替代常规贮存试验。因此俄罗斯对其军用电子元器件最短贮存期限分档为15,20,25,30,35年是有充分依据的。
9 U% K' Z/ y. o9 }# ?4 [2 L  c2 S9 E/ p- a9 M
我国航天部门提出的有效贮存期的依据并不充分,其3~5年的规定比较保守,各部门提出的规定也大同小异,建议对电子元器件制定统一的超期复验标准。有必要吸收俄罗斯的经验,因其标准体系相当严密,基础工作非常扎实,俄罗斯“和平号空间站”设计寿命为5年,而实际服务期限已超过15年,就是很好的例证。 ) B( M. G& X/ i2 c1 g* r
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4 半导体器件长期贮存实例
" e, q/ x( W* l' i+ N
: e! e' M: D1 [2 T9 X' C! s4.1 美国宇航级晶体管 ! L% `; Z5 i8 a5 S
* P& n% q$ L; o
JANS2N2219AL为硅npn开关晶体管, PCM为800mW,采用TO?39封装,该批器件的生产日期为1980年,数量为42支。宇航级晶体管为美国军用半导体器件中最高的产品保证等级,它体现了当时半导体器件的最高质量水平。 ; S8 z" y+ u" c; P( G& Y2 ]

+ J  e! r& R7 N我们从1998年开始对该批器件进行了一系列的试验和检测,并于1999年进行了报道[4]。当时任抽10支管子进行过6000h的全功率寿命试验,试验以后电参数变化极小, hFE先略微变大,过峰值后又略微变小,相对变化幅度小于2%。当时这批器件已经贮存了17年,可见长期贮存对它的使用可靠性无影响。
; P. V! T( L  g' [  K" @1 _
* a0 [' E; c7 r) v$ n% D5 y2006年又对全部样品进行了电参数复测,hFE和1998年的参数全部吻合,没有明显的变化,证明了宇航级器件在实验室条件下贮存寿命极长,到目前为止已经贮存26年没有发现电参数有任何退化,并且外引线镀金层厚度为3μm,气密性全部合格,内部水汽含量抽检2支为2156和2343×10-6,均小于5000×10-6,管壳内99.7%为氮气,氧含量仅为100×10-6。

! i, H* i; Z8 V# a! K
$ k5 D' p% V  C) Q" m  D9 a7 o- m, V! x, q6 z9 v6 l
4.2 特军级晶体管
9 k' T) s$ l+ y( D8 L2 p+ P+ E- _+ _
& t1 n2 e9 k; f3 ?4 |5 @5 Q( y! ^JTX2N2405为硅npn开关晶体管, PCM为1W,TO-39封装,生产日期为1974年,已经贮存了32年。特军级晶体管的质量等级高于普军级(JAN),该批器件数量较大,共206支,管芯的图形较大,ICM为1A,内引线用金丝,在管芯处为球焊键合,为70年代的典型键合工艺。在贮存期间,对电参数进行过多次检测,全部符合规范要求,仅有1支管子,小电流hFE (1mA处)有退化迹象。管子的外引线镀金层质量良好,没有锈蚀现象,任抽10支样管做可焊性试验,全部合格,气密性经检测漏率小于10?9Pam3/s。
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4.3 早期的宇航级晶体管
0 b" s9 J2 s7 d" P: C( {/ [; x. T% E4 `3 @) y) ~. A; t
JANS2N2222A为硅小功率开关晶体管,TO-18封装,相当于国产管3DK3,该批产品共5支,生产日期为1971年,已经贮存了35年,是美国TI公司早期生产的宇航级晶体管。经电参数检测,全部符合规范要求,hFE在微电流下也没有退化。 : T6 y9 e9 D. i  e, F; l2 r

; ^2 S6 o( e8 P- W该管内引线采用当时典型的金丝球焊工艺,经过DPA检测,内引线键合拉力为2.9~6.5g,芯片剪切力为1.98kg。由于金丝和铝膜的键合在高温下会产生多种金铝化合物,严重时会产生开路失效,因此TI公司在80年代生产的宇航级晶体管2N2219中内引线使用铝丝超声键合工艺,消除了金铝化合物的失效模式。从DPA的数据来看,金丝球焊的键合拉力在贮存35年后,确有退化,2.9g数据为键合点脱开,6.5g为金丝拉断。该批器件的气密性良好,经检测漏率为10-9Pa;m3/s范围。
) T% W0 L# v6 \4 b
0 R# U0 x" ?( h; H* _) y4.4 国产晶体管长期储存实例
; l7 x+ I" D2 j, U+ |! l0 p1 A, Z: ]! N0 ?- Q
国家半导体器件质量监督检验中心从1984年起对各种国产高频小功率晶体管进行了许可证确认试验,当时每个品种从工厂抽样150支,用60支分别进行高温储存、工作寿命和环境试验,其余留作仲裁用。全部样品在Ⅰ类贮存条件的试验室保存了20多年,从2006年开始进行了长期贮存器件可靠性研究,现报道其中一例。
% j9 S6 J) w! G/ Z2 a; y; I
- A1 k2 m: Q9 b/ ^* [1 \7 v3DG79晶体管为中放AGC专用管,生产时间为1983年,对库存100多支样管进行了常温电参数测试,全部符合规范要求,对其中5支标样进行了对比测试,发现hFE在贮存20年后平均下降了16% (年下降率0.8%),说明存在hFE退化机理,但未超出寿命试验失效判据(30%)。
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5 结论
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6 I  `- Q) @+ q% _8 o# W) R* l高可靠半导体器件的贮存寿命极长,对于气密性良好的金属或陶瓷封装器件,如果内部水汽含量小于5000×10-6,外引线镀层质量良好,在Ⅰ类条件的贮存期限可达到25年,甚至更长。 $ K& J0 G! e9 a! D( `

+ ]+ R/ h: C+ t, b& z& S我国航天部门制订的超期复验标准中对于有效贮存期订的过严,建议参考俄罗斯标准作必要的修订,作为过渡方案,可以将半导体器件的有效贮存期先放宽到5年,这在某重点工程中已证明是可行的。
) [0 h2 z1 [1 M  {9 y* }6 \! W6 [2 A
国内有关部门应加强电子元器件贮存可靠性及评估技术研究,制定相应统一的标准规范。
9 f) a$ }, m3 Z7 ^: C. L

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