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标题: 没有短路，MOS管被烧毁 [打印本页]
作者: czx08    时间: 2014-7-3 11:25
标题: 没有短路，MOS管被烧毁
本帖最后由 czx08 于 2014-7-3 15:07 编辑
% _4 ]1 p1 I3 w$ X, @  @
% }9 w' C1 c! p+ l在没有短路的情况下，MOS管仍然被烧毁，MOS管的过流能力也够，这种现象该怎么排查？2 ]8 S5 C+ I! I! Q  c0 O
% t" b( j$ I: G/ {7 f2 J
不是经常出现这种情况，而是偶尔会出现，机器用着用着，MOS管就烧了
作者: fallen    时间: 2014-7-3 11:59
贴上图纸，说明环境。这样才能分析问题。
作者: fallen    时间: 2014-7-3 13:58
是MOS管烧，还是三极管烧？你的描述前后不一致，你先整理一下你的问题。
作者: czx08    时间: 2014-7-3 15:07
fallen 发表于 2014-7-3 13:58
0 i5 ]5 M6 I! w' E% L是MOS管烧，还是三极管烧？你的描述前后不一致，你先整理一下你的问题。
- w" R/ w: V2 i& R& h3 ^0 K
不好意思，是MOS管烧了
作者: fallen    时间: 2014-7-3 15:13
你负载的电流是多少，图纸是没有问题的。规格书上的NTR2101的电流3.7A，是否满足你的最大要求？
作者: czx08    时间: 2014-7-3 16:36
fallen 发表于 2014-7-3 15:13
9 w( j" ]' o! e9 q你负载的电流是多少，图纸是没有问题的。规格书上的NTR2101的电流3.7A，是否满足你的最大要求？

' D! }2 ^6 @) D! ^负载电流不会超过3A的
作者: fallen    时间: 2014-7-3 16:53
如果这样考虑两点：# T" h8 m$ _! V- y# c
1 物料问题，如果小概率的问题，可以考虑物料问题。/ R7 K1 H4 l$ m. H
2 是否有考虑过热阻？规格书上写的稳定的热阻JCA=160°/W，假设你的电流是2.5A吧（你说的小于3A），Ron=50mR(方便计算)，那么消耗的功率为0.3125W，外壳和环境的温度差为0.3125*160=50°。如果你的环境温度比较高(也就是散热不好)，比如50多°，那么外壳的温度就有100°了，里面的节点温度更高。一般的节点温度要小于150°（我记得好像是这个）。
作者: fallen    时间: 2014-7-3 16:54
另外，电流大于2A的，一般不常用SOT23封装的，你可以考虑SOP8的。
作者: czx08    时间: 2014-7-3 17:38
fallen 发表于 2014-7-3 16:54
+ ]1 k7 T# N+ x4 C& H, r3 V2 ]另外，电流大于2A的，一般不常用SOT23封装的，你可以考虑SOP8的。

1 q5 U) B$ |, |$ m* b: u5 c% ISOT23散热不够？
作者: fallen    时间: 2014-7-3 18:08
czx08 发表于 2014-7-3 17:38
6 f) S- @+ Z/ m* S- A9 VSOT23散热不够？

  c8 n9 G1 f, ^: @/ U/ v+ c这个只是一种可能，你可以实际的量下你的温度。
作者: czx08    时间: 2014-7-4 09:14
fallen 发表于 2014-7-3 18:08: j$ v/ x6 s% V4 w  b3 J
这个只是一种可能，你可以实际的量下你的温度。

; Q) i7 t3 a- V2 Y. G6 ?9 u. a
作者: czx08    时间: 2014-7-4 09:17
fallen 发表于 2014-7-3 16:53
9 F7 N! V/ X) z7 @2 `1 ?如果这样考虑两点：; \: S5 A2 ]8 {7 [1 g3 G/ U) s* C
1 物料问题，如果小概率的问题，可以考虑物料问题。
& I5 M0 w: a% |" N5 m* J2 是否有考虑过热阻？规格书上写 ...
4 V( B% ]0 ^7 [# ~/ g! V* Y4 q! Y' X5 i
' B) l( }+ f+ ]  R, ^* r
这种现象也是近期才出现的，以前偶尔有，不多。) F4 h5 z% V$ C1 g9 _1 i
很可能是温度太高引起的，夏天温度高，出现问题就多了
作者: fallen    时间: 2014-7-4 09:49
好的，等你的消息。以便加强理论分析
作者: tzwhzf    时间: 2014-7-4 13:56
三极管电路设计有问题，如果三极管道通出现问题，MOS管肯定会烧掉。
$ D; `* S" U, M3 zMOS管的GS两端中间建议加一个0.1uF的电容，R1006建议改成10K，增加MOS管的导通时间（电容虚短）。
作者: fallen    时间: 2014-7-4 14:05
GS增加电容，是为了缓启动，并不是必须的。
作者: czx08    时间: 2014-7-4 16:05
tzwhzf 发表于 2014-7-4 13:56
. w. ?4 C$ u: A2 A1 w+ O1 l. U: S三极管电路设计有问题，如果三极管道通出现问题，MOS管肯定会烧掉。
+ O( ?5 y/ r$ M' W6 E( J0 r4 mMOS管的GS两端中间建议加一个0.1uF的 ...
! V6 d# i& N& b
作者: wdesignshh    时间: 2014-7-10 10:54
换MOS为SOP封装的测试比较好，如果电流接近3A，你的MOS管电流最大为3.7A，冗余有点小
作者: czx08    时间: 2014-7-10 11:43
wdesignshh 发表于 2014-7-10 10:54! N$ \- P* n3 T9 W
换MOS为SOP封装的测试比较好，如果电流接近3A，你的MOS管电流最大为3.7A，冗余有点小
; b( k$ Z$ @% J" X; c1 {. o
作者: wdesignshh    时间: 2014-7-11 08:45
czx08 发表于 2014-7-10 11:43
! d7 _9 i. u# m. j4 C
最后的测试结果和解决方案也给大家说一下呀
作者: czx08    时间: 2014-7-11 11:41
wdesignshh 发表于 2014-7-11 08:457 B% O* L9 {& ~4 t! Y( n3 m+ y
最后的测试结果和解决方案也给大家说一下呀

, B/ S+ N' I4 R7 }# q8 m7 P2 M没结果啊！！！
' _8 m* s& |+ F, H( D( P; v换个mos管就好了
作者: wdesignshh    时间: 2014-7-11 14:45
czx08 发表于 2014-7-11 11:41
& j( G( A8 ?$ G1 V1 v$ F没结果啊！！！
' H  M0 x- j" D换个mos管就好了

6 L* |" d( K) n- W. C是把SOT23改为SOP8，就不再出了呢，还是换为别的就不再出了？
作者: czx08    时间: 2014-7-15 14:37
wdesignshh 发表于 2014-7-11 14:453 s- E" k4 n1 E2 {
是把SOT23改为SOP8，就不再出了呢，还是换为别的就不再出了？

8 W0 v, j. }) |/ F没改，就是重新换了个。
4 J0 s0 }' f6 O$ T' k. v5 c这种现象不是一定会出现，是偶尔会出现
作者: 15818550922    时间: 2014-7-19 22:00
MOS管会坏，只有一种情况，那就是负载电流超过了它的能力，按楼主说的电流没这么大，但是有一种可能就是负载突然加重，只是你没查觉到而已，呵呵
作者: czx08    时间: 2014-7-21 10:50
15818550922 发表于 2014-7-19 22:00
- `) D+ `( J3 |% {' i+ ZMOS管会坏，只有一种情况，那就是负载电流超过了它的能力，按楼主说的电流没这么大，但是有一种可能就是负 ...

* w; S$ Z/ n/ ?+ n/ N
! @2 S: c' j- R( f2 r有可能啊
作者: cool001    时间: 2015-2-6 10:11
估计封装尺寸太小，温度非常高了，接近最大的允许温度，一般mos管Tj为150，设计时最好不要超过125°C，而且当高温时功耗又会变大，分析问题最好实测芯片壳温下，
作者: czx08    时间: 2015-2-6 10:45
cool001 发表于 2015-2-6 10:11, G- i' l" Y. N6 w! [, I
估计封装尺寸太小，温度非常高了，接近最大的允许温度，一般mos管Tj为150，设计时最好不要超过125°C，而且 ...

8 K9 c. K8 b7 Q) F5 H5 M& C+ V: q; g
后来用电流探头测了下冲击电流，发现在开机瞬间，有4A~6A的冲击电流，可能是这个原因导致的！不过也可能是封装小，长时间的高温引起的！
2 b; \& C6 T- R/ X4 A- k
作者: cool001    时间: 2015-2-6 10:57
一般开机瞬间时间非常短，偶尔烧毁是一开机就烧毁还是运行比较久了才烧毁呢，再是如是一开机电流冲击烧毁也证明芯片的热容量不够，封装小热容量也小，是否同时有几个这样的芯片放置集中，现在问题解决了就Ok了，最好不要长期高温，
作者: whawbb    时间: 2015-2-6 11:48
帮你顶一下
作者: 超級狗    时间: 2015-2-6 15:35
突波電流（Surge Current）或突波電壓（Surge Voltage）是有可能，但體二極管（Body Diode）承受電流只有 1.2A，如果電流有逆向的工作狀況，也順便注意一下。
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作者: 北漂的木木    时间: 2015-2-6 17:59
总的来说，撸主选的MOS管冗余不够，即使换一个暂时好了，指不定啥时候又烧了。" |% Y  c, V6 I9 |
指标不治本，并且，作为产品出去，还要做售后服务的话，很悲剧的事情。
& y: X( G* v" Y, e% p# w7 t% q$ K楼主，你电池的电压是多大？可以的话，换一个同样封装的MOS管。推荐型号：SI2333CDS-T1-GE3，SI2369DS-T1-GE3
作者: myl593799546    时间: 2015-2-7 11:35
czx08 发表于 2015-2-6 10:45
5 ~# a) c9 ^. `4 X; T后来用电流探头测了下冲击电流，发现在开机瞬间，有4A~6A的冲击电流，可能是这个原因导致的 ...

4 H4 \8 I+ e2 r) l9 H  G- A那这个是个问题啊，你换了没出事也得试着解决下嘛，你自己都说了偶尔会出现，量大了不怕出问题啊: l3 c( z: U: j9 e8 c+ V- L- \
作者: czx08    时间: 2015-2-13 09:42
北漂的木木 发表于 2015-2-6 17:59
  g# m- h* _7 w3 g& i总的来说，撸主选的MOS管冗余不够，即使换一个暂时好了，指不定啥时候又烧了。4 M- q7 W$ b2 H7 C, s) }
指标不治本，并且，作为产 ...
% O+ |2 C/ j- {7 n+ v2 {

# a0 U+ w9 e/ Y" [$ T/ H电池电压4.2v，已经换了一个MOS管，过流能力达到8A的
; R! d, c0 x; q  i0 y/ t2 |/ y- ~/ H) _2 j
作者: SFIRE    时间: 2015-2-15 10:39
估计是起动电流太大所致
作者: 奋斗者    时间: 2015-2-16 10:58
仿真一下      
作者: cytao    时间: 2015-3-2 10:39
产热太多,无法及时散热出去.
作者: sibodf    时间: 2015-3-27 08:35
我做线路一般电流用到规格书的一半，安全稳定
作者: flywinder    时间: 2015-3-28 11:25
VFBAT输入，VBAT输出吧
作者: kuochiang    时间: 2015-5-27 15:15
感謝分享~～



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