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标题: DDR3端接问题 [打印本页]

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作者: zlpkcnm    时间: 2014-6-16 13:28
标题: DDR3端接问题
请教下给我大虾，DDR3端接问题。

自己发现 在INTEL 给的DATASHEET上的使用DDR3 SDRAM颗粒时候 都会要求使用端接电阻。就是用0.75V上啦的。平时在做Intel cpu时候使用就都加了端接。
+ b# Q/ V0 D3 K" R1 Y* y最近自己看到有的显卡，或者ARM原理图上使用DDR3 SDRAM时候没有加端接电阻。
, b2 c1 d& C  j1 }# P
* Q& [$ a0 v8 t. ~% W请大家赐教，这有什么区别

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作者: lzscan    时间: 2014-6-16 15:15
数据线没有，但是地址、控制线应该有吧。除非内部已经做了。

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作者: afande    时间: 2014-6-16 21:05
驱动能力够就不需要，不一样的设计。

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作者: zlpkcnm    时间: 2014-6-16 21:20

afande 发表于 2014-6-16 21:05
; i/ W' a+ K4 r9 H- e5 s驱动能力够就不需要，不一样的设计。

thanks very much

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作者: wangyiqun823    时间: 2014-6-24 15:18
数据线没有的原因是因为DDR3的ODT功能，会将内部的上拉电阻打开，地址、控制线还是需要你自己外部接的。主要的原因还是考虑到阻抗匹配的问题，防止信号的反射，振铃。

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作者: ych634227759    时间: 2014-6-26 20:07

wangyiqun823 发表于 2014-6-24 15:18
; B' ]8 F3 s, w  F7 k数据线没有的原因是因为DDR3的ODT功能，会将内部的上拉电阻打开，地址、控制线还是需要你自己外部接的。主 ...

# ?+ U4 H! A1 g/ {& h5 c9 a% C" z说的很对！对于双向的数据信号，发明的ODT技术，节省了很多上拉电阻和PCB面积！

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作者: caitinly    时间: 2014-10-21 11:14
ODT，从DDR2

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