EDA365电子工程师网
标题:
DDR3概念疑问（on-the-fly，write leveling等）
[打印本页]
作者:
dck
时间:
2014-3-18 03:14
标题:
DDR3概念疑问（on-the-fly，write leveling等）
（1）请问在DDR3中on-the-fly，write leveling这两个概念怎样理解？与fly-by拓扑有联系？
7 J& M; W5 N% l0 x. _5 X# ^5 ?
8 ~" Q5 h8 v# J) {* U
（2）是有BL8 on the fly和BC4 on the fly两种类型的读写命令？
, {" q% ^! S7 r& j, o' N9 h
9 e0 P/ ]1 t% c) T) {& n/ X
（3）对于动态ODT来说，RTT_WR是在写命令时的ODT值，而RTT_NOM是其它时候的ODT值，这个其它时候是指哪些时候？
7 D, w0 w# x1 T! [9 w# L. m
作者:
topdreams7
时间:
2014-5-27 16:05
1.on-the-fly即时烧录，write leveling软件使DQS延迟使得相位和clk保持一致；writing leveling能力决定规则约束。
/ S u6 s$ [5 K$ \2 @
2.我觉得BL8和BC4组合控制 on-the-fly的状态，如速率。
) N/ u) c. A D
3.DDR3提供个两个不同的端接电阻值：Rtt_Nom,Rtt_WR。Rtt_Nom 是名义上的端接电阻值在MR1中进行编程。Rtt_WR是一个独立的值，在MR2中进行编程使得一个唯一的RTT值工作，当进行写操作时，ODT使能。即使Rtt_Nom关闭的时候，在写操作时Rtt_WR还可以应用。
, t* `( T% U0 Z5 a8 c2 X
* }1 K7 c& L/ ~) u1 T) v; ?+ f: ~
不知道理解的对不对。
欢迎光临 EDA365电子工程师网 (https://bbs.elecnest.cn/)
Powered by Discuz! X3.2