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标题: 有关DDR3设计六层改四层 [打印本页]

作者: 丫丫    时间: 2013-9-9 11:30
标题: 有关DDR3设计六层改四层
最近遇到DDR3设计,有2片DDR,为了节约成本,六层改四层,布线没有任何改动,都是走表层
- c9 B' z& n. @7 q: i( V/ }$ m3 b9 S叠层改变了,四层 top-gnd-power-bottom  六层 top-gnd-L-power-gnd-bottom   H5 T; {* k: ]/ L+ v/ |! p3 O
data 高八位 打孔翻层
# X4 j; p! v1 `( _" L; S& G6 t: Adata低8为,top层
3 w* F& y# U. x+ [/ q% x: j* ?: q7 W' O! E/ l
仿真出来的眼图
" q& _7 i5 ~3 n1 @! N% D" f  h  V

6}M]I%UPVOBU4ARK}JY{XVX.jpg (136.42 KB, 下载次数: 10)

data眼图

data眼图

作者: 丫丫    时间: 2013-9-9 11:33
分析原因 DATA高八位的参考层的问题,难道差别就这么大吗?有这方面设计经验的,希望可以指点迷津
作者: 风刃    时间: 2013-9-15 12:05
丫丫 发表于 2013-9-9 11:33
1 ]/ }+ o" \' k分析原因 DATA高八位的参考层的问题,难道差别就这么大吗?有这方面设计经验的,希望可以指点迷津

. [: g6 D2 l1 f有串扰,有噪声,可能是线间距和回流平面的问题吧。
作者: 风刃    时间: 2013-9-15 12:06
日月光也搞PCB设计?
作者: 丫丫    时间: 2013-9-17 10:01
风刃 发表于 2013-9-15 12:06
* j0 v/ W+ L' b; F! i日月光也搞PCB设计?
: @5 F0 r1 R8 i0 ^* W( d8 [
帮忙做SI/PI仿真
作者: 丫丫    时间: 2013-9-17 10:04
风刃 发表于 2013-9-15 12:05" }6 ]  w3 J) A3 K6 H3 e1 K9 [
有串扰,有噪声,可能是线间距和回流平面的问题吧。
2 k6 `" F) I3 ]: {' ?1 T* j
间距,平面都注意了,都是大面积铜,唯一差别就是参考平面层,不知道你有没有遇到这种问题,data参考平面选GND比VDD好,GND相对稳定一些
作者: 风刃    时间: 2013-9-17 22:05
丫丫 发表于 2013-9-17 10:04
4 Z. m& P/ W. y& }. ?8 w$ j间距,平面都注意了,都是大面积铜,唯一差别就是参考平面层,不知道你有没有遇到这种问题,data参考平面 ...
5 p7 e- l* H, ~/ y
在信号的回流路径上,也要注意干扰。
作者: 风刃    时间: 2013-9-17 22:17
风刃 发表于 2013-9-17 22:05
3 y9 E; @0 H" b在信号的回流路径上,也要注意干扰。

1 k. R0 K* B" r$ Y# }& T四层板啊,这些问题应该也比较好控制的。$ Z; G- O# K/ z. s, Y8 }7 a7 N

作者: semisky100    时间: 2014-1-23 14:52
撸主找到问题原因没有呢?求分享




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