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标题: DDR3中，DQ，DQS，DM信号串接15欧电阻 [打印本页]

作者: sz_cheny 时间: 2013-8-17 17:53
标题: DDR3中，DQ，DQS，DM信号串接15欧电阻
如题，串接15欧电阻，起什么作用

作者: part99 时间: 2013-8-18 09:42
减少信号发射

作者: sz_cheny 时间: 2013-8-18 10:29

part99 发表于 2013-8-18 09:42
5 F# U; ~0 z/ J+ Y" M3 Y# d0 \ G减少信号发射

从主板到连接器到内存条，阻抗都是匹配的，请问哪来反射？还请不吝赐教

作者: part99 时间: 2013-8-18 14:29
反射无处不在，即使是embedded，阻抗也不是100%连续，PCB板厂最多也只能宣称10%的误差，何况你还有连接器？你查一查连接器S参数对阻抗的影响就知道了。

作者: part99 时间: 2013-8-18 14:33
我个人的经验看，对DDR3-1600，10欧姆的匹配比较理想，位置放中间或靠内存一侧为好。（以上数据来自TI的内存控制器+美光内存）

作者: sz_cheny 时间: 2013-8-18 15:08

part99 发表于 2013-8-18 14:33
6 x4 [- }3 k1 I1 G/ g0 d我个人的经验看，对DDR3-1600，10欧姆的匹配比较理想，位置放中间或靠内存一侧为好。（以上数据来自TI的内存 ...

大哥，如果是板载内存呢，这个电阻值是不是可以再小些

作者: part99 时间: 2013-8-18 16:02

sz_cheny 发表于 2013-8-18 02:08 5 ?+ m' B! N9 v# g1 e+ i
大哥，如果是板载内存呢，这个电阻值是不是可以再小些

我说的10欧姆就是板载内存。

作者: jacklee_47pn 时间: 2013-8-18 17:42
依照 Super Go 的習慣，叫一份狗糧來品嘗一下。

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作者: mcizhy 时间: 2013-8-19 09:01
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作者: Able 时间: 2013-12-13 23:15
DQ，DQS，DM做串阻，没见过，最多是在控制端加上拉，ADDR源端加串阻匹配,阻值大小根据阻抗方程求得，末端加上拉。防止信号反射。

作者: ChineM 时间: 2014-8-23 15:39
DDR2中 DQS DM 信号线是做什么用的啊

作者: ych634227759 时间: 2014-8-23 16:14

ChineM 发表于 2014-8-23 15:39
' L2 l) i$ R1 J5 W; X X. R9 [DDR2中 DQS DM 信号线是做什么用的啊

掩码信号！

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