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标题: 关于DDR3数据组的串联电阻的问题 [打印本页]
作者: yinning    时间: 2013-4-27 14:50
标题: 关于DDR3数据组的串联电阻的问题
现在做DDR3和V6的设计，有一点比较迷惑，DDR3的DQ、DQS、DM和V6互联时，到底需要一个串联电阻吗？我看到有的设计有用到，有的没有用到，所以比较迷惑。还听有人说是串联电阻为了防止二次反射，到底怎么回事呢，请高手帮忙！
作者: xxc007    时间: 2013-6-4 14:22
串联的电阻加上驱动端内阻等于传输线阻抗，输出的信号为1/2，到远端后因为阻抗变为无穷大，信号两倍后为原数值。
( y6 r4 p$ |8 h6 U% `$ u从远端反射回来的信号到达传输线和串联电阻的分界面后，因为阻抗连续无反射信号了，所以不会有振铃现象，不晓得解释的对不对，欢迎拍砖。
作者: 0aijiuaile    时间: 2013-6-4 21:15
对于你这种设计，建议不加串阻。
9 A9 P6 N, A; j: U/ F对于DDR2以后的存储电路设计，数据线加串阻的原因主要是用来对驱动芯片（即CPU，DSP，or FPGA）等芯片提供反向传输时的匹配策略，此种情况一般是驱动芯片内部没有OCD等功能的前提下。对于V6，一般情况下都带有终端匹配功能，因此，不需要；因为你外加的匹配方式永远都赶不上内部匹配（极端了点）。
作者: 0aijiuaile    时间: 2013-6-4 21:18
如果你的V6由于较低端，没有配有匹配功能或不能保证数据线全配，那还是建议添加。对于加串阻，主要会改善整个系统的EMI情况，对过冲、下冲进行抑制。但对于高速信号会造成一定程度的上升沿变缓，这是它的劣势。而如果添加的话，必须放在颗粒端。
作者: semisky100    时间: 2014-1-23 15:13
回帖赚积分啊
作者: wangtianya52188    时间: 2014-1-24 14:28
回帖赚积分啊
作者: ann_wz    时间: 2014-2-12 18:45
hhhh
作者: michaelw_wang    时间: 2014-2-13 17:00
其实不加更好，因颗粒端已有ODT（on die termination),信号不会反射；也减少布线的难度。
作者: michaelw_wang    时间: 2014-2-13 17:00
顺便赚积分而已
作者: TANGCHENGRUBY    时间: 2014-2-24 17:02
很不懂
3 Y; m. H) u, `- M% }( Q听着一塌糊涂
3 M/ X+ p8 C1 G6 }& M. G5 K高手如云啊
作者: xierjlove_77    时间: 2014-2-28 11:41
作者: yuhuikeji    时间: 2014-3-14 09:16
都在灌水呀！
作者: kevin890505    时间: 2014-3-14 11:33
8L正解  
作者: qqtolm    时间: 2014-3-15 08:03
学习
作者: 飞雪逐青    时间: 2014-6-27 11:20
现在DQS DQ DM都有 ODT，应该不需要再端接了！
作者: zbx6020    时间: 2014-6-27 11:45
看看我们的方法

djdz.JPG (69.24 KB, 下载次数: 3)

djdz.JPG
作者: eddiemoon    时间: 2014-6-28 23:34
图上的是连接匹配电压，调整波形用的，不是EMI用的。
作者: eddiemoon    时间: 2014-6-28 23:36
哈哈，我觉得因为是comand line address line 一个CPU带好几个DDR有点累，需要有人帮忙，所以就弄个匹配电源增强驱动哈哈啊！
作者: lufuli    时间: 2014-6-30 17:58
学习了
作者: 初学滨    时间: 2014-6-30 22:28
我用过的都有加的。可能是为了以防万一吧。。。。" w$ W4 T$ U. Y7 y% t
顺便提个问题。电阻，DDR3，和芯片间的连线顺序是怎样的？是从芯片引出连到电阻再连到DDR3，还是先到DDR3再到电阻，或者说是两种连法都可以。。。。
作者: aarom    时间: 2014-7-1 02:05
xxc007 說對了. 但看粿粒內部電路. 有些是限流作用防止IC燒毀.
作者: kinglangji    时间: 2014-7-2 18:44
回帖有积分?扯呢
作者: 金志峰    时间: 2014-7-16 17:56
赚积分
作者: hsx123321    时间: 2014-7-17 13:27
抑制信号发射



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