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标题: 光耦控制MOSFET [打印本页]
作者: liuhai2200    时间: 2013-1-4 20:59
标题: 光耦控制MOSFET
本帖最后由 liuhai2200 于 2013-1-4 22:04 编辑
. R6 V/ x6 }) ?" u. j( W5 O3 t4 _" o2 O! F) z
  设计了一个简单的电路，用光耦控制一个P沟道的MOSFET，大伙看看有没问题没？实际应用中，还需要考虑什么因素，多给些意见哪，参加工作后的第一次练手，{:soso_e100:}

控制开关.JPG (37.55 KB, 下载次数: 2)

电路

电路

控制开关1.JPG (34.27 KB, 下载次数: 2)

更改后电路

更改后电路
作者: liuhai2200    时间: 2013-1-4 22:08
本帖最后由 liuhai2200 于 2013-1-4 22:12 编辑 " O3 L. S6 U- w6 V

; ]" u& T; \8 K  ?5 i7 g5 @8 N8 }第一张图有点问题，光耦导通后，G点电压是升高了，Vgs反而是变大了，如果将R3的值换为100K，R1的值改为1K，在光耦断开时，MOSFET导通，光耦导通时，MOSFET断开，有点不太符合习惯，更改一下见第二张图。
: T3 k' u) W* k3 _% w5 Z
作者: skatecom    时间: 2013-1-4 22:59
呵呵，两个图都有问题啊
作者: liuhai2200    时间: 2013-1-5 08:37
skatecom 发表于 2013-1-4 22:59 $ K$ K! f6 N$ t
呵呵，两个图都有问题啊

% Q- L$ b) n& u* r( V' O! i嗯，说说问题，谢谢啊。
作者: bluskly    时间: 2013-1-6 15:19

) w0 Y" ^+ I) Q
9 ]  A6 W" M3 w$ z" {! ]/ i+ o& s7 s' ]- e
试试这个电路吧，如果负载电流比较大，就考虑换个MOS管。。4 q$ }  ]- J; c5 r# x% U
8 m8 h/ k1 @. T2 d$ K5 R
+ [; T; l6 U  ^, p  a
作者: liuhai2200    时间: 2013-1-6 17:18
bluskly 发表于 2013-1-6 15:19 : g; C- H& ^, ~1 h% {& t/ I2 r
试试这个电路吧，如果负载电流比较大，就考虑换个MOS管。。

! u( j2 T# |5 z5 F这个电路已经在实际中应用了吗，感觉Vgs太小了，接近-48V了，看了AO3401的datasheet，VGS范围是+/-12V。
作者: bluskly    时间: 2013-1-6 21:06
liuhai2200 发表于 2013-1-6 17:18 1 E8 z5 k6 G# u1 [+ o/ L, s
这个电路已经在实际中应用了吗，感觉Vgs太小了，接近-48V了，看了AO3401的datasheet，VGS范围是+/-12V。
( o8 d3 W; C8 T/ ?- p2 {
哦 确实是的  改为N-MOS 光耦的C脚给过一个小的上啦电压吧 这样应该就好了 不要用P-MOS管吧
作者: wudi20060501    时间: 2013-1-7 09:07
第二张图如果把R8去掉应该是可以的。
作者: no4ing    时间: 2013-1-7 10:34
看不出LZ的目的是什么？
作者: liuhai2200    时间: 2013-1-7 12:51
wudi20060501 发表于 2013-1-7 09:07
, J1 ]& b1 g' T$ T1 s第二张图如果把R8去掉应该是可以的。

5 k9 p: F  ~! x$ W$ o7 oR8去掉，VSG会比较大。
作者: liuhai2200    时间: 2013-1-7 12:51
no4ing 发表于 2013-1-7 10:34
+ A6 Z4 `+ Y& {! o看不出LZ的目的是什么？
  W. a4 ~7 k8 e! `* \
用外部的信号控制电源的通断。
作者: skatecom    时间: 2013-1-8 21:13
个人建议，大电流负载还是用N管好一点，N管内阻都比价低，价格也比较便宜。我说楼主的两个图都是有问题的，是因为，用来做开关的MOS  G极，要不就是直接拉地，低电平，要不就直接拉高，高电平。楼主的两个图，没有能做到这一点。
作者: liuhai2200    时间: 2013-1-9 14:47
skatecom 发表于 2013-1-8 21:13
. d/ s- X! j. A8 P" K( a& _个人建议，大电流负载还是用N管好一点，N管内阻都比价低，价格也比较便宜。我说楼主的两个图都是有问题的， ...

0 h0 U& B2 M. o( N$ j/ O0 W哦，我用PMOSFET是IRF5210，它的VSG是有范围的，而我电源电压就达到了48V，所以控制栅极电压，就用了电阻分压。附件是IRF5210的手册。欢迎多提意见。
5 D  a: F2 m3 _5 w9 r  B还有用NMOSFET做电源开关控制，不知道如何设计，提供下思路，谢谢啊！

IRF5210.PDF

130.37 KB, 下载次数: 14, 下载积分: 威望 -5

IRF5210
作者: xhcgy2003    时间: 2013-1-9 16:36
楼主，第二个图没问题吧？人家VGS一般都控制在20V以内，再大容易损坏MOS管！
作者: liuhai2200    时间: 2013-1-9 20:38
xhcgy2003 发表于 2013-1-9 16:36
+ v  ^" C+ K- r  g' Y楼主，第二个图没问题吧？人家VGS一般都控制在20V以内，再大容易损坏MOS管！
/ E' o9 \" _+ Q0 k3 G' Z& g/ {
好的，谢谢提醒，实际设计中已经将电阻阻值设计好了，使得分压在VSG范围内，非常感谢。



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