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标题: [求助]DDR3 T型拓扑走线关系 [打印本页]

作者: bmzyluo    时间: 2012-10-30 14:58
标题: [求助]DDR3 T型拓扑走线关系
刚开始接触DDR,现在要LAYOUT个DDR3的板子,由于空间有限,所以拓扑结构: M9 G9 W$ {5 J  p* Z( C) ~8 i" z

7 ^, N4 \* ~1 r8 w! S9 C7 @0 v定为T型,如图:
; Y: E5 X  ?- _& b/ F; @ + l9 D7 x/ |, y% n. D) }, f, U" }

3 s9 x3 |- ?) H; q采用4片DDR,那么对于地址线和控制线走线L01、L02、L03、L04,是否要求L01 = L02,L03 = L04?
作者: 316604579    时间: 2012-10-30 17:00
我也迷茫中    2片都头疼  
作者: zhangjinhe    时间: 2012-10-30 18:21
我也是啊 我画的ddr和楼主的一样这个真的很迷茫啊?????    技术交流群179611013
作者: part99    时间: 2012-10-31 00:48
采用T型走线,应该是这样:4 ]2 \& E3 V) j: F5 w
L0-12=L0-34, L12-1=L12-2, L34-3=L34-4,象个树一样的分支等长,在主分支的地方做终结,也就是,上拉到VTT,对地放个5-10pf的电容。
作者: 457958672    时间: 2012-10-31 08:23
part99 发表于 2012-10-31 00:48# ]1 h; \$ B4 Z6 S
采用T型走线,应该是这样:
% L- G6 ]1 G5 hL0-12=L0-34, L12-1=L12-2, L34-3=L34-4,象个树一样的分支等长,在主分支的地 ...

- l* Y/ l1 B" L8 Ml0-12和l0-34怎么等长呢
作者: 李泽尚    时间: 2012-10-31 08:56
如果一定要走T型拓扑的话,1和3中间做个T点,2和4中间做个T点,再在1和2中间放个T点,由于PADS没办法PINPAIRS的长度测量(传说中9.5有?),建议你4片DDR3的布局相对于BGA的中心对齐,尽量保证1和3之间关于T点对称,2和4之间关于T点对称。再有就是4片DDR离BGA的距离不要太过远了。
/ j/ A! L# y" h0 i7 L上张图片给你参考下吧。

1.png (82.81 KB, 下载次数: 5)

1.png

作者: neon    时间: 2012-10-31 11:42
DDR3能走T型?
作者: wyb546024278    时间: 2012-10-31 12:00
迷茫,求高人指点!
作者: 75484702    时间: 2012-10-31 13:02
ddr3的拓扑结构不是要走菊花链的吗,怎么T形拓扑可以吗
作者: 李泽尚    时间: 2012-10-31 19:18
前提是你的层和空间够用,当然优先菊花链。不够的话……
作者: rx_78gp02a    时间: 2012-10-31 19:28
本帖最后由 rx_78gp02a 于 2012-10-31 19:36 编辑 4 p' f- A0 t0 x. p

" v" H: N7 _  U5 W1 f我有个疑问,所有DDR3控制器都支持菊花链吗?
作者: jiajinkey    时间: 2012-11-1 10:50
fily-by-fly
作者: 木棉花    时间: 2012-11-1 11:33
论坛有个贴子回复的比较好!
作者: 霹雳风雷    时间: 2012-11-8 21:57
DDR系列的芯片布线,会有两种方式:一个就是菊花链,一个就是T型线。4 }" {( y5 G$ r
但是这并不意味着任何一种线都是可以的。6 }- {( w, V6 |4 x( p# \3 I* g
对于菊花链主要用于走数据线,而T型线主要走地址线。这个是有区分的
作者: yangyang1989    时间: 2012-11-8 22:42
DDR3都是采用fly-by走线,T型走线不允许吧!!我做都是这样的!
作者: kley    时间: 2012-11-29 09:49
我们一直都是做T型拓扑,还没有做过菊花链的,一直都没有问题!
作者: wanglan    时间: 2012-11-29 11:14
学习下
作者: pwj6323    时间: 2012-12-4 10:05
kley 发表于 2012-11-29 09:49   ]6 r9 e  D, C! I# ?) [
我们一直都是做T型拓扑,还没有做过菊花链的,一直都没有问题!

) r0 R# O0 ~$ s2 ?$ r' l6 }DDR3如果需要跑更高的速率,需要走FLY-BY结构。且越多的负载器件,越适合走fly-by。
7 E  i; x# G# }; ?+ s- v" y" I走fly-by结构主要是为了更有效的控制DDR3的阻抗连续,因为DDR3的时序可以更可靠地进行内部控制了。这种控制方式被称之为write/read leveling(读写时序矫整)
作者: jimmy    时间: 2012-12-4 10:22
pwj6323 发表于 2012-12-4 10:05 7 y( e! j7 S' g1 \! R
DDR3如果需要跑更高的速率,需要走FLY-BY结构。且越多的负载器件,越适合走fly-by。
. o# I- X9 M2 ]+ e! P" n! T走fly-by结构主要是 ...
! l6 |, C7 d3 {9 L" A- W% y3 _0 d

作者: 316604579    时间: 2012-12-5 11:05
之前一个朋友做DDR3的板,由于空间有限,我建议她走T型了   结果做出来的产品 跑不起来  悲催  
作者: beyondoptic    时间: 2012-12-5 17:56
如果负载少,比如2片或者4片是可以走T拓扑的,: b( I* Q' ^1 r- g3 d/ _, p3 _

3 \! C& r- F, V- H另外表底贴的可能走T点也比较好走点7 o" {% E5 n3 A7 \
2 d# T" a+ L7 V
当然所有的DDR3都首先建议走Fly-by结构。Fly-by的眼图会明显优于T拓扑。
作者: bmzyluo    时间: 2012-12-11 09:01
316604579 发表于 2012-12-5 11:05
" W$ [0 W4 z3 D' j2 m1 H之前一个朋友做DDR3的板,由于空间有限,我建议她走T型了   结果做出来的产品 跑不起来  悲催

: n5 O$ _; i# V" L4 Y* S) ?还好,我们这边也是一直做T型4片DDR,好的板子能跑到500MHz以上。但是如果要跑1333或者1600就必须是fly-by拓扑结构了。
作者: bmzyluo    时间: 2012-12-11 09:05
beyondoptic 发表于 2012-12-5 17:56 3 {+ S3 C, I" H4 v* W$ l3 f
如果负载少,比如2片或者4片是可以走T拓扑的,- q& t8 E( |1 E6 h
* \/ U( q- C. x5 I+ [% E. \+ d7 D
另外表底贴的可能走T点也比较好走点

% s9 w4 x3 H3 K* Y, P如果要完全发挥DDR3的功能,肯定要fly-by拓扑结构,不过如果空间有限,且DDR3不需要跑到1333或者1600的话,用T型也可以,T型结构layout好的话跑到1066应该没问题。
作者: bmzyluo    时间: 2012-12-11 09:20
jimmy 发表于 2012-12-4 10:22
7 ?8 A& Y* M+ h+ r
fly-by结构资料在网站这里倒是很多,但是T型的好少,不过我看应该有蛮多人还是在用T型结构吧。( A+ M1 _0 j1 ~9 r
" B% v5 ]9 D# P# O9 V. [
像给相机、手机layout的我看就走不了fly-by。
作者: jimmy    时间: 2012-12-11 11:40
bmzyluo 发表于 2012-12-11 09:20
8 V7 C6 V- n; A+ P2 y0 g+ mfly-by结构资料在网站这里倒是很多,但是T型的好少,不过我看应该有蛮多人还是在用T型结构吧。
% z: j+ Y& K3 K3 H
( T, j8 u7 p% b. [" e像给相 ...
- @4 a. u4 v# O6 N
至于用T还是fly-by。# ?6 I# f3 A. d, h( r
- y, }! X2 x/ t. o
首先要看主芯片的推荐设计。如果没有推荐,应采用fly-by
作者: 冠少H    时间: 2012-12-12 17:32
yangyang1989 发表于 2012-11-8 22:42 0 C! R5 l) ]* v$ [+ [
DDR3都是采用fly-by走线,T型走线不允许吧!!我做都是这样的!
% l% ?, d: `8 [$ }; R2 X3 B. {4 l
请问fly-by走线是什么意思啊
作者: Tiv    时间: 2012-12-13 10:11
jimmy 发表于 2012-12-4 10:22
8 S3 E1 h" L- m4 M1 H
经典。。。。。。。
作者: Tiv    时间: 2012-12-13 10:18
pwj6323 发表于 2012-12-4 10:05
8 }# a& ?5 A8 o/ T1 A9 y$ ~DDR3如果需要跑更高的速率,需要走FLY-BY结构。且越多的负载器件,越适合走fly-by。9 H* q; C( |. ]+ Z" L( i  V7 [) a2 L
走fly-by结构主要是 ...

6 v% u" T* t6 z* [) r& O能麻烦普及一下基础吗??呵呵- S" m" Y( r: d$ V
- X% M9 n4 Q8 W! c3 _' {9 a
1、走fly-by结构 是如何实现(或为什么能) “更有效的控制DDR3的阻抗连续”?3 V- e' d8 }4 @: R$ d
2、在DDR3上,阻抗不连续会带来什么现象和后果?
# r3 t7 \. n, J; w( j
* W, z# }& E4 n* E麻烦大侠们了。。。。。。。
作者: jimmy    时间: 2012-12-13 10:51
Tiv 发表于 2012-12-13 10:18
1 r' [% p8 ^  ]0 R" P2 d能麻烦普及一下基础吗??呵呵
: T" U: R/ A0 s" \- B# ], `7 `
  F  q% P3 f5 K0 K1、走fly-by结构 是如何实现(或为什么能) “更有效的控制DDR3的阻抗连 ...

% }& h' u: k3 J# [( J6 h5 h5 D关于DDR的拓扑结构和走线资料,希望对大家有帮助
& w4 j' o# n0 mhttps://www.eda365.com/forum.php? ... 05&fromuid=1147
. D* U5 A' x0 v/ `' {( D! s+ W8 x
作者: pwj6323    时间: 2012-12-13 14:38
本帖最后由 pwj6323 于 2012-12-13 14:41 编辑
- [& }5 }% [1 ]! g* P
Tiv 发表于 2012-12-13 10:18
9 C. X( ?- X  G5 T& ^6 [能麻烦普及一下基础吗??呵呵
$ ]: q9 T) _% Y- j& [. N; ~3 r" v( {. R5 j$ {$ D2 X
1、走fly-by结构 是如何实现(或为什么能) “更有效的控制DDR3的阻抗连 ...
3 c4 @* }* N  q2 L

8 b( k' O3 I. f$ \, x: b1、走fly-by结构 是如何实现(或为什么能) “更有效的控制DDR3的阻抗连续”?
( k! S- J. Y. ~7 E( E* p/ h这可以从DDR1,DDR2说起,由于芯片内部没有时序控制功能,为了满足时序建立、保持时间的裕量,我们只好走T形连接、树(星)形连接,但对于T形和树形都存在较长分支走线的现象,因此在DDR2的地址线上需要拉一下50-120的拉电阻,电阻值的大小除了起电压偏置效果,还可以将分支两端的走线阻抗拉高(见ATI规范中)。
2 b' z* s) V' [0 g+ m而fly-by,与菊花链类似,但要求更短小的分支,因此可以更好地控制分支带来的信号反射现象,这种走线方式对于更高速并口走线的阻抗控制具有更有效的作用。当然,此种方式对于PCB上任何走线都是需要遵循的真理。{:soso_e100:} 2 q" b- J" l7 B4 w
9 `6 L9 V) p& P! {; A
2、在DDR3上,阻抗不连续会带来什么现象和后果?
$ W& R) M7 Z# L$ K这个可以看下高速设计的理论,阻抗不连续会带来很多问题。。。
作者: tuzhiquan    时间: 2012-12-25 19:07
jimmy 发表于 2012-12-11 11:40 $ {- ?+ H5 G5 H: `/ s) l! p! a
至于用T还是fly-by。
9 C8 i4 k6 A) G9 o$ h1 }
5 m! W+ n6 Y9 S首先要看主芯片的推荐设计。如果没有推荐,应采用fly-by

0 m/ c9 g* D/ E如题,这个是跟心片的设计有关吧?我一个板人家说就是用T的,不用FLY-BY。他说是心片从设计的时候就决定了。但也没说其它的原因
作者: tuzhiquan    时间: 2012-12-26 10:46
tuzhiquan 发表于 2012-12-25 19:07
4 U2 z4 |" \% s如题,这个是跟心片的设计有关吧?我一个板人家说就是用T的,不用FLY-BY。他说是心片从设计的时候就决定了 ...

# r9 k; z% A2 L3 ]但不知道为什么,他说是控制器的设计有区别,但还是不太明白




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