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标题: [求助]DDR3 T型拓扑走线关系 [打印本页]

作者: bmzyluo    时间: 2012-10-30 14:58
标题: [求助]DDR3 T型拓扑走线关系
刚开始接触DDR,现在要LAYOUT个DDR3的板子,由于空间有限,所以拓扑结构
8 W9 `0 S0 R3 K0 V% z  m1 E9 |
! ~: B$ \% q+ \# q定为T型,如图:; J7 }' w/ h: ~! x9 ^2 F
) q: B$ O- o1 x! X; }  k9 L2 N4 P

" P) q2 x% C5 X' K采用4片DDR,那么对于地址线和控制线走线L01、L02、L03、L04,是否要求L01 = L02,L03 = L04?
作者: 316604579    时间: 2012-10-30 17:00
我也迷茫中    2片都头疼  
作者: zhangjinhe    时间: 2012-10-30 18:21
我也是啊 我画的ddr和楼主的一样这个真的很迷茫啊?????    技术交流群179611013
作者: part99    时间: 2012-10-31 00:48
采用T型走线,应该是这样:
9 n3 _* I) [, p- aL0-12=L0-34, L12-1=L12-2, L34-3=L34-4,象个树一样的分支等长,在主分支的地方做终结,也就是,上拉到VTT,对地放个5-10pf的电容。
作者: 457958672    时间: 2012-10-31 08:23
part99 发表于 2012-10-31 00:48$ N- {5 C( ^6 g! y
采用T型走线,应该是这样:
  L" H) \; Y* Z8 u0 H& jL0-12=L0-34, L12-1=L12-2, L34-3=L34-4,象个树一样的分支等长,在主分支的地 ...

* w: Q9 }% f* q. C: E. @l0-12和l0-34怎么等长呢
作者: 李泽尚    时间: 2012-10-31 08:56
如果一定要走T型拓扑的话,1和3中间做个T点,2和4中间做个T点,再在1和2中间放个T点,由于PADS没办法PINPAIRS的长度测量(传说中9.5有?),建议你4片DDR3的布局相对于BGA的中心对齐,尽量保证1和3之间关于T点对称,2和4之间关于T点对称。再有就是4片DDR离BGA的距离不要太过远了。( R5 p1 s7 {) \) |+ M5 i6 i0 W
上张图片给你参考下吧。

1.png (82.81 KB, 下载次数: 5)

1.png

作者: neon    时间: 2012-10-31 11:42
DDR3能走T型?
作者: wyb546024278    时间: 2012-10-31 12:00
迷茫,求高人指点!
作者: 75484702    时间: 2012-10-31 13:02
ddr3的拓扑结构不是要走菊花链的吗,怎么T形拓扑可以吗
作者: 李泽尚    时间: 2012-10-31 19:18
前提是你的层和空间够用,当然优先菊花链。不够的话……
作者: rx_78gp02a    时间: 2012-10-31 19:28
本帖最后由 rx_78gp02a 于 2012-10-31 19:36 编辑 , A3 w; w& g0 t
- D: b5 J( D, ]% d* l  j
我有个疑问,所有DDR3控制器都支持菊花链吗?
作者: jiajinkey    时间: 2012-11-1 10:50
fily-by-fly
作者: 木棉花    时间: 2012-11-1 11:33
论坛有个贴子回复的比较好!
作者: 霹雳风雷    时间: 2012-11-8 21:57
DDR系列的芯片布线,会有两种方式:一个就是菊花链,一个就是T型线。
& d0 ?# X- r3 J3 k# N% g" a但是这并不意味着任何一种线都是可以的。
6 ~% X) q, p) Z4 ?7 \$ [/ e对于菊花链主要用于走数据线,而T型线主要走地址线。这个是有区分的
作者: yangyang1989    时间: 2012-11-8 22:42
DDR3都是采用fly-by走线,T型走线不允许吧!!我做都是这样的!
作者: kley    时间: 2012-11-29 09:49
我们一直都是做T型拓扑,还没有做过菊花链的,一直都没有问题!
作者: wanglan    时间: 2012-11-29 11:14
学习下
作者: pwj6323    时间: 2012-12-4 10:05
kley 发表于 2012-11-29 09:49 6 l* Y. g, a, @. E
我们一直都是做T型拓扑,还没有做过菊花链的,一直都没有问题!

6 G  }8 b/ s+ w) t' H% vDDR3如果需要跑更高的速率,需要走FLY-BY结构。且越多的负载器件,越适合走fly-by。$ r7 F8 @5 A4 Y. y! t  ^4 f
走fly-by结构主要是为了更有效的控制DDR3的阻抗连续,因为DDR3的时序可以更可靠地进行内部控制了。这种控制方式被称之为write/read leveling(读写时序矫整)
作者: jimmy    时间: 2012-12-4 10:22
pwj6323 发表于 2012-12-4 10:05 ' b% Y$ c5 u' j* Z2 G
DDR3如果需要跑更高的速率,需要走FLY-BY结构。且越多的负载器件,越适合走fly-by。  k6 [5 ~2 s0 H9 a
走fly-by结构主要是 ...

6 d  Z( G; M* c4 F
作者: 316604579    时间: 2012-12-5 11:05
之前一个朋友做DDR3的板,由于空间有限,我建议她走T型了   结果做出来的产品 跑不起来  悲催  
作者: beyondoptic    时间: 2012-12-5 17:56
如果负载少,比如2片或者4片是可以走T拓扑的,- o+ T/ n+ d+ I5 C6 U: k) g6 h
" W! {3 f  W6 l9 h, \
另外表底贴的可能走T点也比较好走点: q! s. P" b1 g. T
: q  [4 ]. G& X
当然所有的DDR3都首先建议走Fly-by结构。Fly-by的眼图会明显优于T拓扑。
作者: bmzyluo    时间: 2012-12-11 09:01
316604579 发表于 2012-12-5 11:05 $ ~  @/ r# V+ M6 U' [* j# G
之前一个朋友做DDR3的板,由于空间有限,我建议她走T型了   结果做出来的产品 跑不起来  悲催

& c4 l* M; j' R# f! F/ f* i: k还好,我们这边也是一直做T型4片DDR,好的板子能跑到500MHz以上。但是如果要跑1333或者1600就必须是fly-by拓扑结构了。
作者: bmzyluo    时间: 2012-12-11 09:05
beyondoptic 发表于 2012-12-5 17:56 5 X4 D! F, v9 ^8 J' i
如果负载少,比如2片或者4片是可以走T拓扑的,; Z" D# ^/ L- i  r- R6 I5 V  {: h

1 |9 b/ |) d: v! |8 a/ Q1 J另外表底贴的可能走T点也比较好走点
: _0 C5 X: k& a. y  j& h  C
如果要完全发挥DDR3的功能,肯定要fly-by拓扑结构,不过如果空间有限,且DDR3不需要跑到1333或者1600的话,用T型也可以,T型结构layout好的话跑到1066应该没问题。
作者: bmzyluo    时间: 2012-12-11 09:20
jimmy 发表于 2012-12-4 10:22

3 `6 V: m  i, d5 t2 Rfly-by结构资料在网站这里倒是很多,但是T型的好少,不过我看应该有蛮多人还是在用T型结构吧。9 m% ^: _+ L1 F/ x! {4 Q: \4 I

3 K7 [) H- g: T# U, L( y8 `$ \像给相机、手机layout的我看就走不了fly-by。
作者: jimmy    时间: 2012-12-11 11:40
bmzyluo 发表于 2012-12-11 09:20
) c0 o% y' l2 W. Lfly-by结构资料在网站这里倒是很多,但是T型的好少,不过我看应该有蛮多人还是在用T型结构吧。6 a6 K8 c$ O8 B8 ~, L/ o- K8 l6 f

5 c" L8 Z8 B% o' |- y  c像给相 ...
$ E. h/ l5 k5 B9 z% C5 |, X# M
至于用T还是fly-by。
) P. u2 A% A4 `' Y# o  S4 O' N% H4 M6 z
首先要看主芯片的推荐设计。如果没有推荐,应采用fly-by
作者: 冠少H    时间: 2012-12-12 17:32
yangyang1989 发表于 2012-11-8 22:42 * E3 }8 z% Z- h$ M. `
DDR3都是采用fly-by走线,T型走线不允许吧!!我做都是这样的!
  V+ M0 I1 I* K, B
请问fly-by走线是什么意思啊
作者: Tiv    时间: 2012-12-13 10:11
jimmy 发表于 2012-12-4 10:22
3 o: D8 [$ ~9 }4 A1 A9 s4 Y
经典。。。。。。。
作者: Tiv    时间: 2012-12-13 10:18
pwj6323 发表于 2012-12-4 10:05
: H% h& D& }2 \$ m* |DDR3如果需要跑更高的速率,需要走FLY-BY结构。且越多的负载器件,越适合走fly-by。
8 J- K  ]: O6 h5 ]2 v5 C* w+ ?& K7 ^走fly-by结构主要是 ...

, `1 G6 n9 P# I0 s9 }% d6 B4 H能麻烦普及一下基础吗??呵呵
/ Q0 q& Z3 A* f2 x7 X2 t
# n) {' C" h+ R5 z& i: E1、走fly-by结构 是如何实现(或为什么能) “更有效的控制DDR3的阻抗连续”?
  q5 ]. B' n" B. N2、在DDR3上,阻抗不连续会带来什么现象和后果?4 x0 p! m+ a4 l1 K+ M) `- H" q2 s
% {1 r+ n# h0 a8 m
麻烦大侠们了。。。。。。。
作者: jimmy    时间: 2012-12-13 10:51
Tiv 发表于 2012-12-13 10:18
) X, ]$ J/ r% T, W+ Q能麻烦普及一下基础吗??呵呵
: f% V; t0 t: w" \/ V) b- S& k
' P* A. j5 ?( N! x; {# N1、走fly-by结构 是如何实现(或为什么能) “更有效的控制DDR3的阻抗连 ...

. }4 {; u+ R, ]  ]关于DDR的拓扑结构和走线资料,希望对大家有帮助
3 J: a) M8 w  Y- vhttps://www.eda365.com/forum.php? ... 05&fromuid=1147- z& w# c! I0 |( I2 ]0 T, p# R

作者: pwj6323    时间: 2012-12-13 14:38
本帖最后由 pwj6323 于 2012-12-13 14:41 编辑
% i5 L+ o/ W6 k! a) J& }, e
Tiv 发表于 2012-12-13 10:18
  D7 ?7 N' Y) t7 [! r1 ?能麻烦普及一下基础吗??呵呵; L0 G2 o) T6 A" K9 X6 H+ U. a2 a9 ~

0 t  w9 J! n6 {/ ?* l4 Z- O1、走fly-by结构 是如何实现(或为什么能) “更有效的控制DDR3的阻抗连 ...

! U$ g. t# w- U! p8 p- G) ]+ k0 x
1 N$ @. S2 u4 a, c1、走fly-by结构 是如何实现(或为什么能) “更有效的控制DDR3的阻抗连续”?
" X: S7 l; k, ~9 J2 Q' ^) D这可以从DDR1,DDR2说起,由于芯片内部没有时序控制功能,为了满足时序建立、保持时间的裕量,我们只好走T形连接、树(星)形连接,但对于T形和树形都存在较长分支走线的现象,因此在DDR2的地址线上需要拉一下50-120的拉电阻,电阻值的大小除了起电压偏置效果,还可以将分支两端的走线阻抗拉高(见ATI规范中)。
, C4 y' |9 _8 X1 B' {而fly-by,与菊花链类似,但要求更短小的分支,因此可以更好地控制分支带来的信号反射现象,这种走线方式对于更高速并口走线的阻抗控制具有更有效的作用。当然,此种方式对于PCB上任何走线都是需要遵循的真理。{:soso_e100:} ( J2 x, ?% ]1 I8 }  N/ p- _

7 H* C% ?# b. w6 G2、在DDR3上,阻抗不连续会带来什么现象和后果?
+ }; K0 H  F% V1 b0 N这个可以看下高速设计的理论,阻抗不连续会带来很多问题。。。
作者: tuzhiquan    时间: 2012-12-25 19:07
jimmy 发表于 2012-12-11 11:40 $ v% f0 e: V) m2 |) N" g8 f% g
至于用T还是fly-by。1 [8 H8 q$ K& p( \
* @3 }  N) Q0 R: {) B
首先要看主芯片的推荐设计。如果没有推荐,应采用fly-by
& o" i( ~3 R* P$ H
如题,这个是跟心片的设计有关吧?我一个板人家说就是用T的,不用FLY-BY。他说是心片从设计的时候就决定了。但也没说其它的原因
作者: tuzhiquan    时间: 2012-12-26 10:46
tuzhiquan 发表于 2012-12-25 19:07
6 j- n, I" }3 C5 D4 B如题,这个是跟心片的设计有关吧?我一个板人家说就是用T的,不用FLY-BY。他说是心片从设计的时候就决定了 ...
7 r" H/ L# L- N
但不知道为什么,他说是控制器的设计有区别,但还是不太明白




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