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标题: 关于去耦电容 [打印本页]

作者: 黄小乖    时间: 2012-9-14 17:19
标题: 关于去耦电容
看书越看越疑惑,关于去耦电容的概念,希望跟大家讨论一下:7 |/ m# z# N% ^2 X; ]/ g, f
     在《信号完整性分析》书中,去耦是根据电源的供电相应时间来定义的,f=1/(2π根号LC),那么C越小,谐振频率越大,谐振时候的周期就越小,响应时间短,这是为什么小电容靠近引脚放,大电容可以拉开一点距离的原因。那么在《电磁兼容》中提到,挑选去耦电容主要根据谐振频率,低于谐振频率,电容表现出电容特性,高于谐振频率以后,因为引脚和引线的影响,电容器开始表现出电感特性,那么在这里,去耦电容到底表现出什么样的作用?跟前一个概念:供电相应时间有什么差别和联系?
9 s- j* W; X4 Y1 F% d       还有,电源平面和地平面的质检平行电容板效应,它的去耦效果到底有多大?同样在两本书中观点也不想同,在信号完整性书中,说的是“平面电容存在,但它太小了,在电源管理中起不到明显的作用,电源与地平面的实际作用就是为芯片和去耦电容间提供低电感回路,而不是提供去耦电容。”在另一本书中,“电源平面能用作有效的退耦电容,对于标致TTL及其他低速逻辑器件,分离的退耦电容可以省掉。条件是电源平面和地平面之间足够靠近。”这里有矛盾的内容吗?0 ~$ ?2 z8 k/ C6 ^# e' l; L2 c
     忘大侠能发表一下高见。。。
作者: James‘    时间: 2012-10-11 14:58
期待答案。
作者: 黄小乖    时间: 2012-10-11 15:43
James‘ 发表于 2012-10-11 14:58
' T1 [, I+ u3 _- G+ {" _. m+ i期待答案。
  E' D, G; r/ T4 r" M; D
在ANSOFT仿真论坛里我又发了一次相同的帖子,那里有初步的讨论结果。如果感兴趣可以去看一下。
作者: James‘    时间: 2012-10-11 15:55
黄小乖 发表于 2012-10-11 15:43 # J8 E" L. x3 R8 j  u4 h
在ANSOFT仿真论坛里我又发了一次相同的帖子,那里有初步的讨论结果。如果感兴趣可以去看一下。

, F! f7 U. |6 v( h5 \- Q" }能不能把快捷方式贴过来,找的话很麻烦。
作者: 黄小乖    时间: 2012-10-12 14:51
James‘ 发表于 2012-10-11 15:55 # H3 A* \9 b; G* K+ h; z; j. Q
能不能把快捷方式贴过来,找的话很麻烦。

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