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标题: DDR2走线 [打印本页]

作者: DYDXP 时间: 2012-9-7 08:56
标题: DDR2走线
请教下大家，ARM核心板DDR2走线需要用软体仿真吗？（主芯片9G45，频率300M）

作者: part99 时间: 2012-9-7 11:48
要

作者: liuhuit2006 时间: 2012-9-7 12:23
一般来说，较严格遵守走线规则即可，比如阻抗和等长。另外，用IBIS模型仿真一下看看就行。后端PCB仿真，我还一直没做过，这个要请教高手了。

作者: liuhuit2006 时间: 2012-9-7 12:25
较严格遵守走线规则即可，比如阻抗和等长。仿真的话，我只做过简单的IBIS模型仿真，PCB仿真一直都没做过，这个要请教仿真高手了。

作者: ghtxgf 时间: 2012-9-7 17:40
阻抗\等长\间距控制好，信号参考面保证完整，基本上OK了

作者: DYDXP 时间: 2012-9-8 08:54
阻抗相等的话不是要仿真了

作者: buliaoqq 时间: 2012-9-8 10:18
阻抗相等？

作者: DYDXP 时间: 2012-9-14 17:22
高人们指导下啊

作者: yuyanqing2003 时间: 2012-9-15 13:24
最近我也在纠结这方面的，能否有高手知道下这部分的仿真要怎样做？或者等长线的关键因素有哪些?

作者: kenhzh0 时间: 2013-7-23 08:15
阻抗不看重，等长最重要。要是严格按照阻抗来走，项目就不用做了。

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