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标题: 数字地模拟地的一个问题 [打印本页]

作者: bbsssshheenn 时间: 2012-7-11 18:09
标题: 数字地模拟地的一个问题
在之前接触到的一些原理图设计中，数字地跟模拟地都是用磁珠连接的。这里的模拟信号时RH45网络接口出来的，为什么是用电容连接两种地，而且是两个电容呢？

QQ截图20120711173212.jpg (4.69 KB, 下载次数: 5)

作者: eeicciee 时间: 2012-7-13 09:27
你说的应该是RJu45网络接口吧？？左边的是和RJ45外面的金属封装连在一起的。原理我就不太懂，

作者: bbsssshheenn 时间: 2012-7-13 16:24

eeicciee 发表于 2012-7-13 09:27
& |0 X9 n7 V: J你说的应该是RJu45网络接口吧？？左边的是和RJ45外面的金属封装连在一起的。原理我就不太懂，

是RJ45网络接口。。。但是我不明白为什么要用电容连接两种地。

作者: eeicciee 时间: 2012-7-13 16:26
是RJ45的外壳地是金属做的，如果和电路板的地直接连到一起，很危险。

作者: bbsssshheenn 时间: 2012-7-13 17:25

eeicciee 发表于 2012-7-13 16:26 ) k$ [+ G4 |7 [
是RJ45的外壳地是金属做的，如果和电路板的地直接连到一起，很危险。

用电容连接能减小这个危险吗？如果是出现高压的话，电容会不会被击破？

作者: jacklee_47pn 时间: 2012-7-13 17:53
不確定這個電路圖是不是畫錯? 通常 RJ45 外邊的GND 和板內的 GND 跨接電容器，是使用 1NF 、耐壓是2KV 以上、尺寸是 1206 以上的。

作者: cz0924 时间: 2012-7-13 18:50
防雷击

作者: eeicciee 时间: 2012-7-14 11:07

bbsssshheenn 发表于 2012-7-13 17:25
: l4 B0 ]% X# m" y0 e0 Z# B用电容连接能减小这个危险吗？如果是出现高压的话，电容会不会被击破？

没事，又不是雷击

作者: 564250462 时间: 2012-7-14 19:00
虽然在实际中没有见过这电路，但我觉得会不会跟防静电有关呢

作者: bbsssshheenn 时间: 2012-7-15 11:40

jacklee_47pn 发表于 2012-7-13 17:53
; ^3 b6 g! X2 Y; f: B& r不確定這個電路圖是不是畫錯? 通常 RJ45 外邊的GND 和板內的 GND 跨接電容器，是使用 1NF 、耐壓是2KV 以 ...

我也觉得这个地方应该是设计错了，应该是用耐压电容才对。

作者: fyh629 时间: 2012-7-16 11:15
并联电容，容量减小一半，耐压增加一倍，RJ45外壳到信号地一般都跨界电容

作者: qiangqssong 时间: 2012-7-16 16:12
防雷击和静电的！！采用的是堵的方法

作者: bbsssshheenn 时间: 2012-7-17 17:29

qiangqssong 发表于 2012-7-16 16:12
) W3 g" L* \- g* f8 x) W1 a防雷击和静电的！！采用的是堵的方法

麻烦问一下，什么叫堵的方法呢？

作者: qiangqssong 时间: 2012-7-18 08:55
把静电或其它的能量堵在PCB板外面的做法。对付静电通常有堵和疏两种方法！！

作者: 西柯一梦 时间: 2012-7-26 16:34
防静电有两种方法：一种是把静电挡在外面不要它进来（通常采用一些不导电的外壳）或者电路设计
另一种是把ESD引进来就近下地（要求LAY板的水平要好，要有大面积的地来帮助）

作者: bbsssshheenn 时间: 2012-8-1 16:31

西柯一梦发表于 2012-7-26 16:34 # }$ n0 n; v. O
防静电有两种方法：一种是把静电挡在外面不要它进来（通常采用一些不导电的外壳）或者电路设计
8 H0 K2 O* b- z. u ...

谢谢~

作者: bbsssshheenn 时间: 2012-8-7 10:51

wuxisen 发表于 2012-8-3 23:35 : m+ t; d8 F; O& S6 C Y. Y
可以用可变电阻器并联1NF 2kV来处理

谢谢你，受益匪浅

作者: 34052762 时间: 2012-8-20 22:36
EMC设计，就是防静电的

作者: wolf343105 时间: 2012-8-21 08:55
防雷击和静电的！！采用的是堵的方法.ok

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