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标题: 无法避免在晶振下面走线怎么办?? [打印本页]

作者: lance_hnu    时间: 2012-5-8 11:45
标题: 无法避免在晶振下面走线怎么办??
晶振离单片机很近,周围又有很多信号线,肯定不能避免从它下面走线了,这样是不是对电磁兼容很不力?怎么办?9 [2 a6 }4 E$ Z' x; N

作者: 77991338    时间: 2012-5-8 13:03
像你这样布局的话应该可以将信号线从TOP面往芯片内部引线打孔,再用BOTTOM层引线出去吧.
作者: 77991338    时间: 2012-5-8 13:08
还有一点 我觉得你的C1 C2能放在晶振与电容之间最好,因为这两个电容主要有两个作用,一个是给从晶振流出的信号消除振荡效果,还有个作用就是给晶振起振的.现在的布局貌似第一个作用已经被弱化了.
作者: lance_hnu    时间: 2012-5-8 13:29
77991338 发表于 2012-5-8 13:08
% J/ x, Y, Z5 A1 Z还有一点 我觉得你的C1 C2能放在晶振与电容之间最好,因为这两个电容主要有两个作用,一个是给从晶振流出的信 ...
% Q8 w* \1 m7 G+ Y6 L/ R# w
你是说把C1和C2这两个电容往下面移动,放在晶振和芯片之间是吧?{:soso_e100:}
作者: 77991338    时间: 2012-5-8 13:45
lance_hnu 发表于 2012-5-8 13:29 ( i' ~) j+ M& ^  }- B) k( V
你是说把C1和C2这两个电容往下面移动,放在晶振和芯片之间是吧?

4 k# o3 M  T, V9 M! V2 e对,这样从晶振流出的信号源就能优先经过电容的过滤,去除晶振信号中附带的振荡.对信号更好.
作者: protel10000    时间: 2012-5-8 23:35
我认为不妥,电容还是在上面好,一般原理图都是那样,而且电容在前后都要靠与之连的地来整波
作者: 296222219    时间: 2012-5-9 08:10
谢谢分享
作者: part99    时间: 2012-5-9 10:18
时钟不要走过孔,加大,晶振电容和晶振单点接地。其他信号线远离晶振。
作者: 77991338    时间: 2012-5-9 10:22
protel10000 发表于 2012-5-8 23:35
. q" g& e' p8 g8 W* h% j! B) f+ d我认为不妥,电容还是在上面好,一般原理图都是那样,而且电容在前后都要靠与之连的地来整波
( j! d% ?7 ?+ P0 E
我认为吧,其实晶振的这个整波电容和一些电源的滤波退耦电容其意义都是一样的,我就是觉得从晶振流到芯片的信号,在流经过程中经过电容的整波,然后直接到芯片这样会好很多.就像滤波电容一样,最优设计就是先从电源管教直接流出到电容在从电容打孔或者拉线到主电源上,反之则滤波电容存在的意义不大.原理图的话,我也做过一些简单的,就晶振这块我也是这样话的,从芯片出来直接到晶振然后才到电容,因为我觉得这样方便,电容的地与晶振的地能用一个地标示就够了,PCB上我就不会这样处理了.还有就是应该不是说原理图上怎么定位器件PCB上也得怎么定位吧,有些硬件工程师做原理图还喜欢把一些芯片电源的滤波电容全部排成一排一起连起来放在芯片旁边,难道我们Layout在PCB上也要这样放么?呵呵 ,这都是一些个人见解,也不见得一定正确,呵呵.
作者: zhengzy    时间: 2012-5-9 10:55
按照三楼所说的布局,之后再走线,可以避免你说的情况
作者: lance_hnu    时间: 2012-5-9 14:17
zhengzy 发表于 2012-5-9 10:55   A: j( p* b  }0 t* B  I- x
按照三楼所说的布局,之后再走线,可以避免你说的情况
3 G. O3 j& y  S8 R* g
哈哈 我已经改过来啦,果然整个空间大了很多,不用晶振下面走线啦~~
作者: lance_hnu    时间: 2012-5-9 14:21
part99 发表于 2012-5-9 10:18
9 q2 D4 [$ @1 T* L- o. I时钟不要走过孔,加大,晶振电容和晶振单点接地。其他信号线远离晶振。

" a1 X1 @8 n9 V, {我如果在晶振附近采用大面积敷铜,是不是也可以相当于单点接地?{:soso_e100:}
作者: part99    时间: 2012-5-10 10:09
lance_hnu 发表于 2012-5-9 01:21
1 M! {" b- w) q$ g$ K+ x9 o7 Q+ w我如果在晶振附近采用大面积敷铜,是不是也可以相当于单点接地?

% ]# K0 I! V/ A# {- H大面积敷铜和单点接地不一样,所以在关键的信号上要采用单点接地。
作者: old513    时间: 2012-5-11 15:32
謝謝分享{:soso_e100:}
作者: zzgezi    时间: 2012-7-8 09:18
学习了。
作者: zzgezi    时间: 2012-11-17 21:00
本帖最后由 zzgezi 于 2012-11-17 21:02 编辑 9 q# V) s- s; {3 d7 g% M6 i
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学习了,楼主可否把晶振这块走线再贴张图看看。谢谢
作者: eversong    时间: 2012-11-21 13:02
晶振下方无法避免走线时,只要不在相邻层走线即可,如BOT层走线。
作者: 77991338    时间: 2012-11-21 13:55
zzgezi 发表于 2012-11-17 21:00
( m! o/ |- w6 c# q- t+ h学习了,楼主可否把晶振这块走线再贴张图看看。谢谢

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作者: 405122007    时间: 2012-11-22 17:09
怎么一个电容 单点接地阿!还有一个被忽略了
作者: 黑驴蹄子    时间: 2012-11-23 08:36
其实晶振可以稍微远一点   出几根线还是可以的
作者: cloudy1205    时间: 2012-11-26 08:42
多學多看!謝謝分享!
作者: fll454    时间: 2012-11-27 16:33

作者: 2009zhaoqf    时间: 2016-9-30 15:13





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