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标题: SystemSI-Parallel bus analysis（DDRx）仿真模型on die上的参数问题 [打印本页]
作者: shg_zhou    时间: 2012-2-17 11:55
标题: SystemSI-Parallel bus analysis（DDRx）仿真模型on die上的参数问题
本帖最后由 shg_zhou 于 2012-2-17 12:23 编辑 " M8 N. g) g* p1 T/ m, W: g
* a+ ~  J+ X1 }: \8 y; E7 g
On die上寄生参数的模型从何而来，其具体的Top是怎样的?2 Q6 x4 e9 L% O3 [" W

& Y& `+ v& A+ g; \, U如下图： Short resistor ; PDS resistor ； PDS capacitor等；
. @* c# w% v: f; t0 q/ z
作者: zzchu    时间: 2012-2-17 12:02
The PDS RC values are just between the power and ground terminals of the IOCells (drivers/receivers). The “short” resistor is the resistance of the signal paths through the die, which is essentially the RDL (re-distribution layer) parasitics for each signal. User can get these parameters from the chip design team.$ t% }" ]5 b% ^. l
作者: calabazas    时间: 2012-2-18 11:52
研究中感兴趣的项目啊!
, w" f5 p, ?- _6 h( v4 ^% m谢谢Sigrity工具
作者: tiankong2008    时间: 2012-11-27 22:14
from the IBIS model
作者: cousins    时间: 2013-10-28 19:37
直接看IBIS model里面每个pin脚对应的rlc
" y& a: n0 e* u! g手动添加。
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