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标题: DDRx的阻抗 [打印本页]

作者: caiyongsheng 时间: 2011-10-25 18:05
标题: DDRx的阻抗
今天猛然间看到，DDR走線的特性阻抗設計50~60歐姆，DDR2設計50歐姆，DDR3設計40歐姆，这样子对么？

作者: jimmy 时间: 2011-11-8 14:45
都按50欧设计的路过.

作者: 毒女 时间: 2011-11-8 14:59
DDR3設計40歐姆应该是地址线. 这些线走线都比数据线粗

作者: 349384184 时间: 2011-11-8 15:00
DDR那里的数据线与地址线之类的一般是按50ohm设计的，时钟线走的差分就要做100ohm的差动阻抗控制了。

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