EDA365电子工程师网
标题:
DDR高速电路怎样更好的控制EMI呢?
[打印本页]
作者:
sinow
时间:
2011-4-21 22:20
标题:
DDR高速电路怎样更好的控制EMI呢?
MID 的CPU 带有两个DDR2 800M 但在整机测试EMI 不加屏蔽的情况下过不了,请问大家在PCB Layout 的时有没有什么要改善的?
作者:
sinow
时间:
2011-4-21 22:21
主要是针对EMI 测试,大家有没有什么好的见意?
作者:
cccccc32
时间:
2011-4-22 09:32
帮顶!!!!!!!!
作者:
kaenii
时间:
2011-5-1 16:06
注意差分时钟的布线,用地线包起来。
! @! u( E n" r/ ~' h
注意信号线的阻抗连续性,参考平面要注意。
# ^6 o- z4 k. p; D
信号的过冲厉害也会带来一定的EMI问题。
作者:
linbanyon
时间:
2018-6-12 13:16
谢谢
欢迎光临 EDA365电子工程师网 (https://bbs.elecnest.cn/)
Powered by Discuz! X3.2