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标题: 电源与功率电路基板导线设计教程 [打印本页]

作者: jinsihu2005    时间: 2009-11-7 16:22
标题: 电源与功率电路基板导线设计教程
a.面封装型线性调整器的散热图案
4 v2 l0 S5 L+ Z. T  [6 l7 n    接着介绍输出电流1.0A 低饱和型线性调整器(linear regulator)散热图案设计技巧。三端子调整器构成组件非常少因此广被使用,图1 是由面封装型线性调整器NCP1117构成的降压电路;图2 是降压电路基板图案。
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图1 线性调节器构成的降压电路                                   图2 降压电路基板图案
4 Q2 ]$ }9 h, r0 o) p' D    旁通电容器(bypass condenser) C1、C3 封装在半导体的输出入端子附近,NCP1117为面封装型半导体,使用电路基板图案作散热。图3 是NCP1117 的散热pattern 大小与容许电力-热阻抗的关系,例如输入8V,输出5V,输出电流400mA 时,半导体的损失利用输出、入的电压差(8V-5V=3V),乘上输出电流后等于3V×0.4A=1.2W,根据图3 可知NCP1117 需要7mm正方以上的散热pad。直接与散热pad连接时,如果输出平滑电解电容C4的电路基板图案太宽时,热量会经由图案传导至电容器造成电解电容温度上升,所以散热pad 与C4的基板图案必需案配合输出电流,尽量降低导线图案的宽度。- J4 ?! [% S4 \7 v( J7 w5 C
3 g! F* p( G9 j, V; j6 b
图3 NCP1117的散热pattern大小与容许电力-热阻抗的关系
- H3 A4 C0 B! ~, ]5 `    同步整流step down converter BIC221C与控制电路,以及MOSFET驱动电路三者同时封装成一体,本电路的动作频率为300kHz,输入5V,输出2.5V/3A。图4(a)是step down converter电路图;图4(b)是BIC221C的内部方块图;图5(a)是电路基板组件面图案。如图4(b)所示,BIC221C内部方块图所示第4,6号脚架的GND,与第8 号脚架的P.GND1、第16 号脚架的P.GND2明确分隔,如果按照图4(a)电路图指示,直接描绘含盖上述脚架配线图案的话,可能会造成误动作与噪讯增加等后果,因此设计电路基板图案时,必需将第8号脚架的P.GND1、第16 号脚架的P,GND2 分开,避免第4,6 号脚架GND 大电流流动。具体方法如图5 所示,GND 的第4,6 号脚架在组件面连接,P.GND1 的第8 号脚架再与焊接面连接,大电流从C5 通过P.GND2 的第16 号脚架,再从Vout(11,12,13,14pin)通过L1 流入C5,P.GND1的第8号脚架从C1设置slit作连接,因此连接与第4,6 号脚架的GND 的图案不会有大电流流动。+ z* G/ \$ n6 L" }1 K
* V) N' T( E: p
(a) 电路图
. {+ H0 }. w' c! ?! P, a; S
  D8 Q' t' n0 |  ^" [(b) BIC221C的内部方块图7 T/ P7 Y; X& }  b
图4 同步整流式step down converter BIC221C构成的step down converter
; C2 `  h/ `; V, p, M( M 2 n$ s0 j! |# r+ `* D: z8 j  `
(a) 组件面
; k! b2 W% r8 P, O1 n" h : R" u0 \8 f  D$ b! G
(b)焊接图' F. _& k+ u8 K" z" S
图5 2.5V/3.3A输出的DC-DC converter 电路基板图案9 U6 ^! k9 R, A: \
b. 光学耦合器构成的gate驱动电路基板图案
/ N, h' r: P: {7 ]3 D: m    为避免控制电路遭受破坏,因此图6 将光学耦合器TLP351 与二极管构成的控制电路,以及功率MOSFET分离。  x; [# p7 P! r7 m
$ H0 j; g9 u6 |3 z. s
图6 photo coupler 构成的gate驱动电路+ K( k7 z: m  A0 J+ j  u
    图7 gate驱动电路的基板图案,光学耦合器的光学二极管单元属于电流驱动,光学晶体管与功率MOSFET 等gate 驱动单元则是电压驱动,所以光学耦合器封装在功率MOSFET 附近,此时必需避免光学二极管的正、负极的平行导线Ⓐ部位面积变大。7 H+ k4 c9 d# y0 d9 r) f

# M2 D/ S* r8 @8 N5 }! y' G图7 gate驱动电路的基板图案, D; s" j4 r+ O! h! E; @7 h
c. 专用IC构成的gate驱动电路基板图案
( W. I! x- I7 Q) z    IR2011 8pin驱动IC内嵌high side与low side的gate驱动电路,属于D 级audio增幅器与DC-DC converter 的gate驱动器。图8是专用IC的构成的gate驱动器电路;图9 是驱动电路的基板图案。7 ]# `$ f9 a, w3 {
    虽然设计上要求gate驱动IC尽量靠近功率MOSFET设置,远离功率MOSFET设置的场合,为避免high side的source电位波动,造成IC1 第4 脚架V5 的负电位波动,所以需将二极管D2设在gate驱动IC附近。此外为防止Tr1、Tr2误动作,因此source与gate的导线尽量邻接,此外控制信号的输入图案与COM图案两者必需平行设置。
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3 a: A/ D! B7 O, }, g$ m8 O. w图8 专用IC的构成的gate驱动电路
& r2 _. C3 P0 v# ^3 p $ E' d$ A: x7 d" D9 d: {& K/ A
图9 专用IC的构成的gate驱动电路的基板图案
作者: tiankong2008    时间: 2009-11-7 22:05
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