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标题: 官宣：三星成功研发首款3nm GAAFET工艺芯片！ [打印本页]

作者: admin 时间: 2020-4-28 10:19
标题: 官宣：三星成功研发首款3nm GAAFET工艺芯片！

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据韩国《韩国经济》杂志周四报道，三星已经成功制造出第一个3nm工艺的原型。根据这份报告，三星的目标是到2030年成为世界第一的半导体制造商。

3nm工艺基于全能栅极（GAAFET）技术，与FinFET的行业标准不同。技术上的这种变化使总硅片尺寸减小了35％，同时功耗也降低了50％。这使5nm FinFET工艺的性能提高了33％。

GAAFET设计与FinFET设计有很大不同，GAAFET设计围绕通道的四个侧面构建，以确保减少功率泄漏，这改善了对通道的控制，这是缩小工艺制程时的基本步骤。这种设计可实现更高效的晶体管设计，并具有更小的整体制程尺寸，从而在5nm FinFET工艺上实现了每瓦性能的巨大提升。

三星最初表示将在2020年之前使用4nm GAAFET工艺。尽管业界观察家（如Garner副总裁Samuel Wang）一直对GAAFET芯片是否会在2022年之前量产表示怀疑。但是，最近Wang表示现在看来，三星将把GAAFET芯片投入生产的时间比业界观察家最初预期的要早。不过，如果三星拥有3纳米制程的可行原型，则可能表明该厂商可能比最初预期的生产时间更接近。

一年前，当三星最初开始研究3nm GAAFET工艺时，最初计划在2021年开始批量生产3nm GAAFET工艺。这是因为AMD在此工艺中使用了该工艺，达到了7nm商业高峰。

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