EDA365电子工程师网

标题: 请教下大家，MOS管的ID和IDSM区别 [打印本页]

作者: belphigor 时间: 2018-6-27 00:22
标题: 请教下大家，MOS管的ID和IDSM区别
有些芯片资料里没有IDSM这项，有些有。而且字面上看这两个是同样的意思，但数值差别很大。具体IDSM有什么意义？跟ID的区别是什么？请教各位高手。谢谢！！！

无标题.jpg (157.79 KB, 下载次数: 0)

作者: MaxEnding 时间: 2018-6-27 00:33
ID(on)---通态漏极电流；
IDSM---最大漏源电流

作者: belphigor 时间: 2018-6-27 10:53

MaxEnding 发表于 2018-6-27 00:33
' n0 `) M; s1 c1 ^. z4 pID(on)---通态漏极电流； - c- D# I& S, s7 G
IDSM---最大漏源电流

感谢大神。多问一句，在管子D和S导通状态下，考虑通过D和S的电流的极限值应该参考ID而不是IDSM吧？望赐教。多谢

欢迎光临 EDA365电子工程师网 (https://bbs.elecnest.cn/)