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标题: 请教下大家,MOS管的ID和IDSM区别 [打印本页]

作者: belphigor    时间: 2018-6-27 00:22
标题: 请教下大家,MOS管的ID和IDSM区别
有些芯片资料里没有IDSM这项,有些有。而且字面上看这两个是同样的意思,但数值差别很大。具体IDSM有什么意义?跟ID的区别是什么?请教各位高手。谢谢!!!
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无标题.jpg

作者: MaxEnding    时间: 2018-6-27 00:33
ID(on)---通态漏极电流 ; * \" r+ Q4 m; e( ^$ C% `) @
IDSM---最大漏源电流
作者: belphigor    时间: 2018-6-27 10:53
MaxEnding 发表于 2018-6-27 00:337 f. v$ {/ x9 h% J0 _. \
ID(on)---通态漏极电流 ;
( t) w/ J' C! o3 YIDSM---最大漏源电流

' O$ t0 j* Q' P1 M感谢大神。多问一句,在管子D和S导通状态下,考虑通过D和S的电流的极限值应该参考ID而不是IDSM吧?望赐教。多谢
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