标题: MACOM在射频、光学和数字方面产品线的完善 [打印本页] 作者: 繁华笙歌 时间: 2017-10-30 17:40 标题: MACOM在射频、光学和数字方面产品线的完善 MACOM在2016年收购AppliedMicro之后，产品线不断延长，已经拓展至数字领域。除了此次收购，MACOM此前也有多项收购，诸如此前对于FiBest的收购，扩展了其数据中心的目标市场;收购AeroFlex加强了射频微波产品，拓展了航天应用市场;收购BinOpTIcs成为全球最大纯高速通信激光器供应商等。综合MACOM此前在其他方面的收购表现，MACOM在收购过程中，不断完善自身在射频、光学和数字领域的产品线。! e+ z. ]* F$ W
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光学器件覆盖5大应用7 \7 ~+ b8 [6 Q8 s
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光学市场正处在蓬勃发展期，不论是视频图像、网上游戏、传统传输网亦或是数据中心，背后都离不开光学传输的支持。据光学销售部门副总裁Ali Abouzari先生介绍：在光学应用上，传统光学应用分为5大方面，分别是接入市场、无线回传、城域网、长距传输网和数据中心。而目前MACOM的产品可以完全整个的光学应用。从纵向的光学产业链上来看，分为5个层次：大型数据中心用户、光学系统提供商、光学收发器供应商、光学组件和解决方案以及半导体供应商。如下图所示，MACOM一直处在最下面两层中，并不会进入收发器的市场，通过在底层两个市场的扩张来对整个光学市场做出贡献。" `: i# ^5 }6 v' H6 t3 _. z
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城域网和远距通信领域，MACOM具有业界最低功耗的磷化铟产品MAOM-03409B和业内首款64G波特驱动器产品MAOM-006428。在接入网和无线回传这两个市场，MACOM都具有超过一半的市场份额;四倍的激光器容量可应对业内容量短缺的现状，而且是业内唯一一家同时提供PON激光器和PMD IC的供应商。在数据中心应用中不论是多模短距还是单模长距，MACOM都可以提供全面产品覆盖。5 s Q7 E5 Z: u' }$ F/ j4 J" V
6 q6 t% W/ s j' \1 B在数据中心互连方面，MACOM的应用增长速度达到了313%，值得一提的是，面对目前的超高速应用，MACOM已经可以支持100G、400G乃至更高速率的产品。最新推出的25G激光器可以为大批量成本敏感的100G光学市场带来价格、容量和性能优势。此最新产品利用获得专利的蚀刻面技术实现高性能和产品一致性。' t7 u' n2 K H ^4 G# o
@. ]' k. N p; b对于100G收发器的模块制造商而言，MACOM是一个最好的选择。因为收发器中所有的关键组件都可以在MACOM一家订购，这样就免去了在多家订购时设计容易出现的兼容性等问题，而且这对于初创公司来说是一件好事。另外，如果全部部件都在MACOM采购的话，也很容易拿到折扣，这也是在其它供销商那里得不到。而且对于客户而言，在同一家采购后的技术支持能力也就越强，避免了不同供应商之间推诿扯皮的现象。 # r. C( D$ J% h& X0 L 9 e3 q: |" ~: |. Z# e独具特色GaN射频功率器件 8 F# @: N) l" e3 w4 _* a1 K$ p+ y7 n( Z) c$ O" i' r/ e
虽然GaN的产品性能方面优势明显，但其推广的速度明显低于业界的预期。这是因为在低频段领域，LDMOS还具有一定的成本优势，不过MACOM对于GaN产品的未来发展十分看好。目前MACOM的GaN产品已经推出到第四代，MACOM是目前业内唯一一家可以同时提供Si基GaN和SiC基GaN产品的厂商。MACOM 的氮化镓拥有实现射频能量应用的全部特性。如下表所示，性能方面GaN远高于LDMOS。对比Si基GaN与SiC基GaN，Si基的在供应链和性价比方面更具有优势。凭借着Si基GaN的产品，可以加速整个GaN产品的推广，并且目前Si基的GaN产品已经取代了部分LDMOS和SiC基GaN的应用。 : N3 ?7 G, N6 v+ `% m # H; F5 _& X: eMACOM对于GaN的产品应用，主要集中在基站和射频能量两个方面。5G的普及对于基站的体积性能功耗都提出了更高的要求，传统器件已经无法满足其标准。 与LDMOS相比，MACOM的硅基氮化镓技术能够以更小的封装提供更高的功率和更高的能效，从而提高数据容量、削减运营成本并减少二氧化碳排放量。而在射频能量市场上，通过GaN产品可以实现终端产品在体积上的极大优化。试想一个杯子的体积就可以产生一个微波炉的能量，这对于人类生活品质是极大地提升。氮化镓射频晶体管取代了现有磁控管，可明显延长系统使用寿命、稳定输出功率并实现区域可控的加热。在等离子照明方面，也有很多厂商专门开发了机遇GaN的产品，具有传统光源不可比拟的优势。 1 ^5 R S" o/ Z% j, K1 f 8 u5 F9 t% e. W3 u9 j" a' ] - c5 Q" f3 d8 y