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标题: i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题 [打印本页]
作者: gwei_0210    时间: 2017-8-18 15:38
标题: i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题
各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊0 a! h6 A/ i, w# U& r7 f
作者: Aubrey    时间: 2017-8-18 16:01
生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？
作者: gwei_0210    时间: 2017-8-19 13:11
天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的
作者: gwei_0210    时间: 2017-8-19 13:12

! M: F2 v; A* G( d/ q- N8 ~! s. [DDR Freq: 396 MHz $ `) W* h$ A$ u5 Z

4 s5 \+ Y3 e. V: Q( Tddr_mr1=0x00000000
' [3 T/ B$ S" e% i5 V. j4 oStart write leveling calibration...# G; y, Z9 n# p
running Write level HW calibration, C* }2 p2 P( A' Y  B
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script$ }, ^7 l" I8 ?/ |0 m5 @
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007+ n, m) P. ~0 e  u! u5 I' \
    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008# v; F* f2 c/ v4 h! {; f& a
Write DQS delay result:
& T+ d$ c" e' D/ w   Write DQS0 delay: 7/256 CK( a  P  m7 w' }( E
   Write DQS1 delay: 3/256 CK
+ U2 m, M- h3 ?+ A* G+ k2 I( |" {. H3 V" g
Starting DQS gating calibration
4 \+ F- _, b$ k5 n0 Y: d2 |. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011. A) l; t" |" H' R
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
- e3 l7 X2 H7 [: L5 W3 z# Q# w. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
5 H) ~; Y' h9 m& D# S, ^2 i. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011( K# z1 h9 q5 r$ ~. X, L
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x000000112 o1 W3 B" w+ y3 D
. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x000000112 L9 a# x0 O8 V8 v# m$ I' b1 I6 _1 |
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x000000113 g4 c" ]) f5 X* A8 F8 e' o5 \
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
7 N% m; [' `7 w4 o, \. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x000000118 k2 i5 t0 D8 ?( J' N2 @, G4 x
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
1 H9 g' O  ]$ v# t$ r; q* v. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
& u: B! z9 ~1 m, [+ \" {1 A, B. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
, a  p3 c! ?: P4 h  H. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x000000112 m! `% R5 A( O- E' y0 k8 u2 n
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011; z6 }9 {! G% g/ b  p0 X& Y& O
ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
2 q6 T; W$ Z4 F- Adram test fails for all values. $ K( }4 ~! b% d5 Z$ Q+ G6 y
6 o* B( T! b) K. x
Error: failed during ddr calibration9 R8 U& G% }0 a! a0 B

( f: H) k  X6 k% K. _% z) e- Q
作者: Aubrey    时间: 2017-8-21 09:58
4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下
作者: kele1983    时间: 2017-8-21 10:41
可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。
作者: gwei_0210    时间: 2017-8-21 13:10
kele1983 发表于 2017-8-21 10:41
5 [6 z, M4 N* ~3 N5 l可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。
) J+ P' }$ k. E, \" b1 z
试过，也不行
* q7 T$ s3 P/ d/ F% l
作者: gwei_0210    时间: 2017-8-21 13:10
Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01
8 f+ C2 n7 j$ t: I: U1 t& |生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？
4 p0 y" u  }' T3 L8 x, @% b
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的4 R. H8 N3 o6 n# D% p
作者: gwei_0210    时间: 2017-8-21 13:11
DDR Freq: 396 MHz
+ G" k& l: c8 u8 X% o, E3 n+ G" L7 h) y( ]3 q
ddr_mr1=0x00000000
  ~- m" @( X; @* tStart write leveling calibration...
+ C2 A1 ?4 O. Rrunning Write level HW calibration' i, ^( X/ |* f+ d
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script9 E+ h7 ~$ l; v- S  C, _: j
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
7 N7 p! t! u$ v' ]" ^    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
% @/ P# N9 i6 E" |: h. y: e% hWrite DQS delay result:
1 p8 s3 a6 H9 |6 ?6 z; \   Write DQS0 delay: 7/256 CK) F& G; P( z, Y
   Write DQS1 delay: 3/256 CK
, D0 A: [( ^5 r) P$ w" r9 J8 A
0 z6 Y  R4 d+ ~  d% k3 ^6 XStarting DQS gating calibration
5 U; F# v( X4 O+ Y$ `  D. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011/ W+ _& |6 i0 b4 W/ D; n; l2 k. `
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
9 L- @) c1 w* O6 \6 j. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
9 n9 s( z7 K0 j. E& z+ X. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
' ^  A% n5 C7 d$ `3 v) ~' R' W8 z8 |. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
; k- J9 ]7 u0 E6 s' q' w7 ~. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
2 @, a. Q1 U4 w. l. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011( Q2 i4 K* h' P( G* B: Y% C6 b
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
/ M( p0 Z; w( U% s. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
, A4 m+ _8 }( t! x. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011/ b& D3 O* R* c0 B" {
. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
" M) S! f/ f( Q* U( U) G. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
& F* o- p+ e+ i5 I# m. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
1 d7 v9 J( \5 T& m; U' B" I* f. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
' q3 r- @2 i/ N3 Q* x  }, cERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!. {2 K4 o* T$ U
dram test fails for all values. 2 Q6 k: L) N+ ~

- |# [! }$ T& s# V# J7 lError: failed during ddr calibration
0 m+ @/ \$ O  z8 y
作者: kele1983    时间: 2017-8-21 13:37
gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10  }$ n. l9 [0 e# C& ^
试过，也不行
: @5 w8 R  V  }! Z+ [; o- m
我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。7 g4 C) Z, ^7 k3 a9 V) c- Y3 r2 Y
还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。
0 n9 Q* [6 {3 A" i) `/ W6 g" ~我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。
  X5 |0 j, A" u' ]( }
4 Y) g) K+ A5 y5 ~4 p
作者: 超級狗    时间: 2017-8-21 14:18
挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。
0 u* x  @1 w' u9 \  H/ [/ I
$ w3 N" ]! d+ z% \8 dhttps://community.nxp.com/thread/365106
% u  F% W+ D( F8 \5 S! E+ [8 Z( p$ R
4 D7 F, d2 v/ g6 W

& @' W5 V2 H/ k+ r& \: \
! T5 j; b3 P# F$ v/ i% V$ o
作者: 超級狗    时间: 2017-8-21 14:28
本帖最后由 超級狗 于 2017-8-21 15:39 编辑 9 x( P; J; L; Y3 w5 e1 V
gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
1 Q6 @& L/ `$ s; t% ]填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...

: L( C$ Y. c$ M% R 走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。% ^& z8 S; R' W" N4 J* I8 Y; U7 E
. Y# L4 s  \6 Z- E/ p2 O
如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。
" e; u( O9 m, p/ J) d9 @! i. X
- s( V7 U9 m4 @4 g) I& X. ?! g
: z4 F! c  }# o3 r( I7 t7 L
作者: duzz    时间: 2017-8-21 16:40
狗版主，这么翻译飞卡要气死
作者: gwei_0210    时间: 2017-8-21 16:54
已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了
作者: zxk    时间: 2017-8-22 07:16
路过，学习一下 mark
作者: x1215    时间: 2017-12-24 07:43
挨打沒死六 XD



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