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标题: MOS管开关的问题 [打印本页]
作者: mirage_huang    时间: 2017-7-5 10:48
标题: MOS管开关的问题
线路中，R74阻值改成100K时打开T8，OTG_Power会塌陷，各位大神能让我明白为什么吗？
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作者: kings9527110    时间: 2017-7-5 14:02
第一个图是什么参数下的波形
作者: i265    时间: 2017-7-5 14:20
在T11的 C集串个几k的电阻看看  
作者: 中臣    时间: 2017-7-5 15:38
开关速度太快了，后级电容C68抽载导致的； OTG_Power估计供电能力不强或 trace有点长了 ； 建议soft start，把R120换成电容；
作者: Jasminetr    时间: 2017-7-5 17:58
非常正确
作者: way    时间: 2017-7-5 22:20
可以把C68改为47UF电容，负载瞬间太重C68储能不够。
作者: 松哥无敌    时间: 2017-7-6 10:06
强烈关注这个问题
作者: 松哥无敌    时间: 2017-7-6 10:14
为啥R74阻值改成100K会这样了？？？？强烈关注这个问题
作者: 松哥无敌    时间: 2017-7-6 10:35
我还想问个问题，PMOS管的上拉电阻阻值怎么选型啊？
作者: 松哥无敌    时间: 2017-7-6 10:35
@狗版主
作者: kobeismygod    时间: 2017-7-6 14:42
本帖最后由 kobeismygod 于 2017-7-6 16:08 编辑
, p. c8 m7 j/ k* i7 p7 m- P
7 D! J' X  S" h4 J$ o- |电阻为100K的时候，T11可以很快速的把C极拉低，使MOS 导通，所以瞬间会有跌落，反之10K导通速度没有那么快，可以再R74两侧加电容，从而降低管子导通速度。
作者: 松哥无敌    时间: 2017-7-6 15:18
kobeismygod 发表于 2017-7-6 14:42
% d- x% M' n+ c: N! W电阻为100K的时候，T11可以很快速的把C极拉低，使MOS 导通，所以瞬间会有跌落，反之10K导通速度没有那么快 ...

8 M3 ?1 A5 X, c# q4 {/ N% U' h为什么100K跟10K差别这么大呢？原理是怎么样的啊，大神3 C- I) |5 }3 v7 D
作者: 松哥无敌    时间: 2017-7-7 09:12
我顶我顶我顶顶顶
作者: Lambor小盧    时间: 2017-7-7 17:48
建議你使用MOS G極腳位 串連一顆 電阻 會比較好。
作者: meng110928    时间: 2017-7-8 12:06
电源输入端带载能力差,前端挂个大电容试试,不然可能会引起系统复位.
作者: 超級狗    时间: 2017-7-8 14:51
kobeismygod 发表于 2017-7-6 14:42
8 G1 J8 {; c6 M9 m1 L电阻为100K的时候，T11可以很快速的把C极拉低，使MOS 导通，所以瞬间会有跌落，反之10K导通速度没有那么快 ...
( ]1 ]) x$ v6 M( U, [; Q
我是鋼鐵人，我和超人持相反意見，因為我們是屬於不同的漫畫集團……8 M/ N& K) Q  s! S) V
( W6 M0 n% `( K) y6 m& Y4 ?! l( Z

0 x1 s! l1 e' V( r& `* i6 T3 V4 k2 K& N7 m) j7 b
不是啦！個人覺得是 MOS 管 T8 開太慢，來不及對 C68 充電的緣故。
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8 G+ p; B8 P4 j7 pR74 變大、照理說 MOS 管 T8 的開關速度應該會變慢。" ]" e; |& U/ M7 s# H. G+ d

. Y9 P4 O% A- v# P6 x# B0 S" q' }# ^6 k不管 MOS 管或 BJT 管，各管腳內部還是有寄生電容的。
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作者: 超級狗    时间: 2017-7-8 15:39
USB 2.0 VBUS 旁路電容的規定9 A; ]/ ~0 h& o. M  d2 M, Z

8 ?. h7 v  `4 O  @0 Y; A順便給這份文件好了！' ^% w8 M# a% e; R4 f* B
- E* w9 J- h/ T4 K# T+ I9 _

USB 2.0 VBUS 旁路電容的規定.pdf

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作者: 付官星    时间: 2017-7-9 11:15
如果是因为R47改为100K造成的，那就是T8的控制斜率太大造成的，办法：1、减小R47;2、增大C67
作者: 松哥无敌    时间: 2017-7-10 09:33
超級狗 发表于 2017-7-8 15:391 z0 B  K& g, M8 J  W3 W
USB 2.0 VBUS 旁路電容的規定+ b$ z4 H. C4 n* M+ |) O- o
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順便給這份文件好了！

! B: G) _( R: m3 x狗大叔我对的你崇拜又加深了一分。。。
作者: fashaoyou    时间: 2017-7-10 20:42
T8打开太快了啊，加soft start试试
作者: kobeismygod    时间: 2017-7-12 21:25
超級狗 发表于 2017-7-8 14:51
- K7 x2 h) _# N# ]我是鋼鐵人，我和超人持相反意見，因為我們是屬於不同的漫畫集團……
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超人表示不服！7 b9 v/ ]) K# s1 G, t8 U) _# N
C68其实可以看做OTG POWER的负载，问题就转化为了T8作为开关，其导通速度决定克C68瞬间抽取电流的大小，I=C*(V/T),可以得出在C68上建立相同的电压，用时越短，瞬间抽取的电流越大，也就越容易跌落，这个也是为什么好些负载电容比较多的电源需要加soft start的原因，因为不加缓启可能会出现OCP的问题。另外，看到楼主截图，如果没看错的话，有跌落的那张好像电源的slew rate也更大一些？？所以我感觉是开关开的太快了，以致闪到腰了/ C/ d# F8 A7 y) b' ~) F* {+ m
作者: mirage_huang    时间: 2017-7-13 19:00
非常感谢各位的回复，后续还会验证这个问题，谢谢！
作者: lizudong    时间: 2017-9-8 17:26
100K时 电流小，三极管放电能力更快，也许可以这么理解
作者: zrqiu1314    时间: 2018-5-7 17:36
学习了



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