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标题: NPN的c接地E接电源用 [打印本页]

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作者: flywinder    时间: 2017-6-19 15:38
标题: NPN的c接地E接电源用

) f6 f- Q# y: i前辈留下来的原理图
0 z- w2 q% g' }5 x5 }  u! i三极管c接地E接电源
实测可以用
, {) y7 S! k- v2 A! Y  S) h* f$ u
# O  B8 z1 r$ v" C" [$ V( F9 L
0 I- f2 ^0 G5 m& D$ S. Y

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作者: 超級狗    时间: 2017-6-19 16:02
NPN 和 PNP 反過來是什麼？？？
+ H$ h! O. V. V% M8 L" s
. t9 S7 V" Z5 k4 J& u

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作者: kobeismygod    时间: 2017-6-19 16:30

超級狗 发表于 2017-6-19 16:02
. @5 F* H3 r) e( x9 i% lNPN 和 PNP 反過來是什麼？？？

$ N: ?. N: x' p# g0 K三极管是可以反着用的，只是电流放大系数会变小，这个和两极的掺杂浓度差异有关（发射极的浓度高于集电极？），对吧，版主？

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作者: 江门彦祖    时间: 2017-6-19 16:35
没毛病，电压不高就好

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作者: 超級狗    时间: 2017-6-19 17:38

5 \8 B- @5 ]# u/ Q5 P7 D
What will happen if I bias the collector and emitter of an NPN Transistor inversely?
- G% b2 u& I& P0 t" i4 ?, ~If you use the transistor in reverse, the emitter becomes the collector and the collector becomes the emitter, and its quite simple to see what happens:
, R) g- Q6 R. o2 O8 n
: ?0 Q) e6 p0 a6 l: H! ~6 E0 a

• As the collector doping is less than the emitter doping, the hole current in the collector (now the emitter) increases, leading to lower beta.
• The voltage withstand capability goes down, as now the BE junction is reverse biased, and the emitter is not constructed for high withstand voltage.
• The effect of the thin basis remains. For that reason, if the forward beta is high, then the reverse beta will also be higher.
  

貼個洋文兒嚇唬人一下！

2 G* }  F7 \2 R" E; W- t
$ t: l9 E' l/ G" l1 S( R* S, R

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作者: 超級狗    时间: 2017-6-19 17:54

kobeismygod 发表于 2017-6-19 16:30
2 V. b9 b* q9 k三极管是可以反着用的，只是电流放大系数会变小，这个和两极的掺杂浓度差异有关（发射极的浓度高于集电极 ...

! ?: |& N2 h  ?7 C, N& p. N你讓我想起一個爛笑話︰
  S" X) I9 q- q2 Z* r2 w
8 x/ ?9 n7 d9 A) Z有一個叫林玉琳的人，每次跟人家打賭都嗆︰「如果我說謊，名字讓你們倒過來唸！」

; ^- e1 I$ G' a' `9 z/ {
1 O* S4 ?. x0 o6 ?

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作者: xynsy123    时间: 2017-6-19 18:18


楼主这贴说的太含糊了，不知道是不是我理解能力差。
* b+ d' `1 C9 F+ Q% i% _" U实测可以用，是可以实现什么功能？
2 F7 P5 ?/ ?/ x5 P2 q' }5 jKK2控制电压是多少？
VDD50我就当成5V对吧？
& o4 S7 e' l- n+ _6 U; I- E  EK2是接哪里？
! {# Z# J& n( S2 @7 zPA1A又是什么东西，我猜是器件PA1的，PART-A，但是还是不知道是啥？
我觉得要再说清楚一点才好分析吧。------------------------------
, \5 M  W" M! V, \8 v" W9 g2 a以目前的图来看，PA1A当成是一个负载，当KK2，两种状态的时候，Q2的2脚是悬空或者0V,不过0V的时候，电流的方向不对。

7 W7 Z: h5 O. }2 s4 w/ B. N

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作者: lfc1203    时间: 2017-6-19 20:03

xynsy123 发表于 2017-6-19 18:18
楼主这贴说的太含糊了，不知道是不是我理解能力差。
实测可以用，是可以实现什么功能？
KK2控制电压是多 ...

+ Q, h% t5 T" m3 L. A0 U就是一个继电器控制电路

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作者: hefuzhang    时间: 2017-6-19 23:37
是一个继电器驱动电路，认为还是达林顿形式更好些！

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作者: deardala    时间: 2017-6-20 09:06
一看楼主确认的就是继电器控制电路，再看看狗版主的回复，豁然开朗

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作者: flywinder    时间: 2017-6-20 09:26

超級狗 发表于 2017-6-19 17:38
% |% x' g& P& M) O* MWhat will happen if I bias the collector and emitter of an NPN Transistor inversely?
8 |) K. b4 e) nIf you use the ...

特意百度翻译了一把

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作者: 超級狗    时间: 2017-6-20 15:35

9 v% R2 a' I! |) Q5 \" d

flywinder 发表于 2017-6-20 09:26
" O6 t8 Z8 }0 U7 W  E特意百度翻译了一把

# o! A: p% X7 P; Q2 f* M( H我有繁中翻譯，是你自己不問的。

- y# B) v# ^& D2 q# V! W- m
& F0 x7 B6 x. U0 d( q6 x  e
雙載子電晶體（BJT）如果射極（Emitter）和集極（Collector）反過來用會怎樣？

雙載子電晶體（BJT：Bipolar Junction Transistor）的射極（Emitter）含有比集極（Collector）擁有更多的載子（Carrier），如果射極（Emitter）和集極（Collector）反過來用，被稱為 Reverse Active，會有下列的影響：
% P: g, }1 T/ m- t; W$ x
9 ]( j* w, B" E( i# ~+ `* I

• β 增益會變小，需要花更多的電流來驅動。
• 射極（Emitter）到基極（Base）的耐壓會比集極（Emitter）到基極（Base）的耐壓低。
• Reverse β 增益，會比原來的 Forward β 增益更大一些。（原來的 Forward β 變成 Reverse β 了！）
  - Y" ], P( t( h" h( U' l/ G* O7 }1 R

6 e7 l0 m5 z, e9 R3 j6 r( a附註：
Reverse β 增益，就是雙載子電晶體（BJT：Bipolar Junction Transistor）射極（Emitter）和集極（Collector）反過來用的β增益值，一般 Datasheet 不會標示這個數據。

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作者: flywinder    时间: 2017-6-20 16:35

超級狗 发表于 2017-6-20 15:35
我有繁中翻譯，是你自己不問的。

$ e1 J0 m. o' r: ~2 b% H………………………………

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作者: flywinder    时间: 2017-6-22 09:31

flywinder 发表于 2017-6-20 16:35
" ]  k* s, o; G  d; }- U5 p  Q………………………………

& L* e8 P  D7 ^1 W/ j- Q/ k6 z3 S2 ?1 x) y哎呀，看错啦，想点个赞的

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作者: yjj198709    时间: 2017-6-22 15:56
用PNP吧，这里做反相器用。KK2为高时，输出为低，导通灯是吧。不过灯那边也应该加限流电阻啥的

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作者: yjj198709    时间: 2017-6-22 15:56
用PNP吧，这里做反相器用。KK2为高时，输出为低，导通灯是吧。不过灯那边也应该加限流电阻啥的

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作者: yjj198709    时间: 2017-6-22 15:57
用PNP吧，这里做反相器用。KK2为高时，输出为低，导通灯是吧。不过灯那边也应该加限流电阻啥的

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作者: duzz    时间: 2017-7-17 11:44
这种情况叫倒置放大吧，管压降会小些！！！

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