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标题: NPN的c接地E接电源用 [打印本页]

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作者: flywinder    时间: 2017-6-19 15:38
标题: NPN的c接地E接电源用

前辈留下来的原理图
' E9 ^$ H3 n. T1 v) b4 [( |三极管c接地E接电源
实测可以用


( G; p( J$ }6 H8 {. b4 O/ H$ }

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作者: 超級狗    时间: 2017-6-19 16:02
NPN 和 PNP 反過來是什麼？？？
9 F3 |. q! ], F/ r, P

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作者: kobeismygod    时间: 2017-6-19 16:30

超級狗 发表于 2017-6-19 16:02
NPN 和 PNP 反過來是什麼？？？

三极管是可以反着用的，只是电流放大系数会变小，这个和两极的掺杂浓度差异有关（发射极的浓度高于集电极？），对吧，版主？
8 ]6 T% _1 V0 p0 ^: Y9 ^# u

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作者: 江门彦祖    时间: 2017-6-19 16:35
没毛病，电压不高就好

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作者: 超級狗    时间: 2017-6-19 17:38


( M+ n! ?6 t7 T2 TWhat will happen if I bias the collector and emitter of an NPN Transistor inversely?
- G6 W' x+ w$ a/ L: DIf you use the transistor in reverse, the emitter becomes the collector and the collector becomes the emitter, and its quite simple to see what happens:

• As the collector doping is less than the emitter doping, the hole current in the collector (now the emitter) increases, leading to lower beta.
• The voltage withstand capability goes down, as now the BE junction is reverse biased, and the emitter is not constructed for high withstand voltage.
• The effect of the thin basis remains. For that reason, if the forward beta is high, then the reverse beta will also be higher.
  : n) y6 T5 Z0 W( J+ ?0 h- T

貼個洋文兒嚇唬人一下！
; i; a4 i* J9 R3 C- T& X3 Z
3 Q8 B# i0 I5 j& r
0 [% ~# Z& ]2 H' v

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作者: 超級狗    时间: 2017-6-19 17:54

kobeismygod 发表于 2017-6-19 16:30
三极管是可以反着用的，只是电流放大系数会变小，这个和两极的掺杂浓度差异有关（发射极的浓度高于集电极 ...

. z! H+ q8 e# f. v! K, e你讓我想起一個爛笑話︰

有一個叫林玉琳的人，每次跟人家打賭都嗆︰「如果我說謊，名字讓你們倒過來唸！」

- M) c6 ?7 {, S) t) I
" _" W! f; T7 t& E

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作者: xynsy123    时间: 2017-6-19 18:18

" [0 _& c/ V; [! n' Y+ n$ w8 n
楼主这贴说的太含糊了，不知道是不是我理解能力差。
实测可以用，是可以实现什么功能？
. {% @% j3 Q8 y5 q4 CKK2控制电压是多少？
VDD50我就当成5V对吧？
K2是接哪里？
& X9 W$ H3 d# y2 `PA1A又是什么东西，我猜是器件PA1的，PART-A，但是还是不知道是啥？
我觉得要再说清楚一点才好分析吧。------------------------------
! V2 W9 k3 A( n% l0 \以目前的图来看，PA1A当成是一个负载，当KK2，两种状态的时候，Q2的2脚是悬空或者0V,不过0V的时候，电流的方向不对。
# @" k) d2 ]$ Y4 B, m" b$ x: y6 C* H
$ n6 L7 Y, k2 {

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作者: lfc1203    时间: 2017-6-19 20:03

xynsy123 发表于 2017-6-19 18:18
楼主这贴说的太含糊了，不知道是不是我理解能力差。
实测可以用，是可以实现什么功能？
: n9 B5 c: v: q' X. xKK2控制电压是多 ...

就是一个继电器控制电路

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作者: hefuzhang    时间: 2017-6-19 23:37
是一个继电器驱动电路，认为还是达林顿形式更好些！

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作者: deardala    时间: 2017-6-20 09:06
一看楼主确认的就是继电器控制电路，再看看狗版主的回复，豁然开朗

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作者: flywinder    时间: 2017-6-20 09:26

超級狗 发表于 2017-6-19 17:38
What will happen if I bias the collector and emitter of an NPN Transistor inversely?
- V: J( x% q# EIf you use the ...

% D% o8 g1 E0 p3 b2 M- L- h- L0 g特意百度翻译了一把
/ @$ `" P8 v. I2 a

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作者: 超級狗    时间: 2017-6-20 15:35

3 z& X/ o- T0 l$ M# b* f

flywinder 发表于 2017-6-20 09:26
! [. C5 t0 v4 B特意百度翻译了一把

我有繁中翻譯，是你自己不問的。


4 v2 l- U9 n$ Y- D. q  f0 |4 x
雙載子電晶體（BJT）如果射極（Emitter）和集極（Collector）反過來用會怎樣？
' D& H5 @0 i# [( Y. S$ J6 b
& c' z! B) i: u( k2 B0 a/ F雙載子電晶體（BJT：Bipolar Junction Transistor）的射極（Emitter）含有比集極（Collector）擁有更多的載子（Carrier），如果射極（Emitter）和集極（Collector）反過來用，被稱為 Reverse Active，會有下列的影響：

+ Y4 u! z6 A' N/ J$ D. e' m$ g

• β 增益會變小，需要花更多的電流來驅動。
• 射極（Emitter）到基極（Base）的耐壓會比集極（Emitter）到基極（Base）的耐壓低。
• Reverse β 增益，會比原來的 Forward β 增益更大一些。（原來的 Forward β 變成 Reverse β 了！）
  * S8 e; v. v- {0 [2 n

附註：
Reverse β 增益，就是雙載子電晶體（BJT：Bipolar Junction Transistor）射極（Emitter）和集極（Collector）反過來用的β增益值，一般 Datasheet 不會標示這個數據。

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作者: flywinder    时间: 2017-6-20 16:35

超級狗 发表于 2017-6-20 15:35
. ]6 i, y( Q/ g) A* c我有繁中翻譯，是你自己不問的。

………………………………
$ U# B3 a& ~8 n$ X) |

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作者: flywinder    时间: 2017-6-22 09:31

flywinder 发表于 2017-6-20 16:35
; G9 S/ ]! O1 U, r5 E………………………………

3 R: W' H) x- S3 ~, P- r哎呀，看错啦，想点个赞的

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作者: yjj198709    时间: 2017-6-22 15:56
用PNP吧，这里做反相器用。KK2为高时，输出为低，导通灯是吧。不过灯那边也应该加限流电阻啥的

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作者: yjj198709    时间: 2017-6-22 15:56
用PNP吧，这里做反相器用。KK2为高时，输出为低，导通灯是吧。不过灯那边也应该加限流电阻啥的

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作者: yjj198709    时间: 2017-6-22 15:57
用PNP吧，这里做反相器用。KK2为高时，输出为低，导通灯是吧。不过灯那边也应该加限流电阻啥的

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作者: duzz    时间: 2017-7-17 11:44
这种情况叫倒置放大吧，管压降会小些！！！

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