EDA365电子工程师网

标题: 请高手帮忙解答 [打印本页]

作者: yangyuan 时间: 2017-6-5 17:09
标题: 请高手帮忙解答
如图中，VBUS前段Q1，Q2电路起什么作用，直接输入不就行了吗，为什么加这部分电路起什么作用

recommend circuit.png (113.26 KB, 下载次数: 3)

作者: maxnnw 时间: 2017-6-5 17:19
应该是保护和缓启动的作用。

作者: 3637320230 时间: 2017-6-5 21:49

maxnnw 发表于 2017-6-5 17:19
6 I3 h/ u- s+ t0 W( c% w% a3 L应该是保护和缓启动的作用。

具体分析下啊

作者: 松哥无敌 时间: 2017-6-6 10:01
强烈关注此问题

作者: ksvhxd 时间: 2017-6-6 11:13
这应是防止电流倒灌的保护电路，是利用（Q2）SI2312DS的0.65v的开关门限，只要输入电压小于2.4V，就关断Q1，防止电池电流的倒灌。

作者: yangyuan 时间: 2017-6-6 17:43

ksvhxd 发表于 2017-6-6 11:13
2 t& s% o* Q3 e$ p, P& W+ _8 q这应是防止电流倒灌的保护电路，是利用（Q2）SI2312DS的0.65v的开关门限，只要输入电压小于2.4V，就关断Q1 ...

感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢，这个有什么考虑吗

作者: HengliangYau 时间: 2017-6-8 09:14

yangyuan 发表于 2017-6-6 17:43
4 e9 o. F% h8 `- m感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢，这个有什么考虑吗

怎么说，提高MOS管的开关偏置电压好处的，1防止输入端有干扰电压（大于0.65）时，直接导MOS管导通，电池进而倒灌、2,这里还有点像软启动的作用，只有适配器电压建立了2.4V之后，整个充电电路才开始工作。Ps：聚合物电池电压正常工作在3.0~4.25V之间，低电压保护在2.7~2.9V之间。

作者: yangyuan 时间: 2017-6-8 19:21

HengliangYau 发表于 2017-6-8 09:14) `* Y) s6 `) Q3 L/ s% E! s
怎么说，提高MOS管的开关偏置电压好处的，1防止输入端有干扰电压（大于0.65）时，直接导MOS管导通，电池 ...

受教了。十分感谢！

作者: 超級狗 时间: 2017-6-10 10:08
本帖最后由超級狗于 2017-6-10 10:09 编辑

yangyuan 发表于 2017-6-6 17:433 o4 ^) l5 U9 n, }
感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢，这个有什么考虑吗

SI2312DS V[sub]GS[/sub] 在 1.8V 就會導通，2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。
SI2312DS V[sub]GS[/sub] 只能承受 +/-8V 的電壓，你不分壓讓 17V 灌進來，莫死（MOS）管就往生了！
" p' U# w! x, ?% ~0 F! X( I5 s1 w5 N

SI2312DS Drain Current.jpg (21.35 KB, 下载次数: 1)

SI2312 Vgs.jpg (82.11 KB, 下载次数: 1)

83.86 KB, 下载次数: 2, 下载积分: 威望 -5

作者: xhy_hard 时间: 2017-6-11 10:38
本帖最后由 xhy_hard 于 2017-6-11 10:41 编辑

ksvhxd 发表于 2017-6-6 11:13
) x: k) o) E# V2 ~. D) t5 p0 ?这应是防止电流倒灌的保护电路，是利用（Q2）SI2312DS的0.65v的开关门限，只要输入电压小于2.4V，就关断Q1 ...

作者: xhy_hard 时间: 2017-6-11 10:47

超級狗发表于 2017-6-10 10:08
SI2312DS V[sub]GS[/sub] 在 1.8V 就會導通，2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。
SI2312DS V[sub ...

用两个MOS管，是增加暖启动？不然一个PMOS管就能搞定了

作者: yhg-cad 时间: 2018-1-25 09:54
防倒灌的

欢迎光临 EDA365电子工程师网 (https://bbs.elecnest.cn/)