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标题: DC-DC Driving MOSFETs Igd 的计算公式 ? [打印本页]

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作者: Quantum_    时间: 2017-5-25 21:59
标题: DC-DC Driving MOSFETs Igd 的计算公式 ?
1. 如下图， 在阅读RT9610C  Driver datasheet时，
2 j2 T* C  R4 S/ S, b2. 红框圈中部分， 不太理解它的电学原理。 D2  打开与Igd1 有什么联系。 会不会是DATASHEET 上的笔误？
0 O" K! n( q0 f2 N9 h0 {$ p! x3. 如果， 它说的有道理， 还请详细指点一下， 来龙去脉
" s6 H: m5 g  z4 D
0 O; H* v% K+ S) w- i谢谢！

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2017-5-25 21:49 上传

Igd1

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作者: 超級狗    时间: 2017-5-25 23:19


! t5 f' J0 u6 D2 @) OControl Logic
Control logic block detects whether high side MOSFET is turned off by monitoring (UGATE - PHASE) voltages below 1.1V or PHASE voltage below 2V. To prevent the overlap of the gate drives during the UGATE pulls low and the LGATE pulls high, low side MOSFET can be turned on only after high side MOSFET is effectively turned off.
  b5 o4 `4 s& I# C3 V' q/ x
High Side MOSFET 和 Low Side MOSFET 的開關控制是不會重疊的，在 High Side MOSFET 已經關閉，但 Low Side MOSFET 又尚未開啟之前，右側電感的迴路只能透過 D2 的 Body Diode 導通，這段時間被稱為 Dead Time。

" Z; v8 c$ E0 K! I6 X! \由於 Body Diode 會有個順向導通壓降（Forward Voltage），所以這段時間會有個叫 Low Side MOSFET Dead Time Body Diode Loss 的損失。

它只是說明這個關係，沒特別的意思！
# Y1 `- T1 w6 l# e6 \
參照附圖！
3 ]+ \5 }; J8 ~! j+ L7 R
% y, c1 \# v1 m  ~- q4 @6 J

Low Side MOSFET Body Diode Conduction On.jpg (27.09 KB, 下载次数: 0)

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2017-5-25 23:19 上传

Synchronous Buck Low Side MOSFET Body Diode Conduction Period.jpg (36.21 KB, 下载次数: 0)

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作者: 松哥无敌    时间: 2017-5-26 16:11
厉害了狗版主

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作者: cjz351421568    时间: 2017-5-26 23:59
看不懂666666666

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作者: 超級狗    时间: 2017-6-4 12:32

liu19850810 发表于 2017-5-29 15:11 :
How long is the dead time?

9 z- J3 q5 _3 l1 O0 T% d8 O你是問殭屍還是吸血鬼會死多久嗎？
7 D! f: P: P2 H2 ~8 G
( V8 r: ]9 W* ^( b

7 k; t- z) Q# P4 a

+ f, e+ [! T- O8 O5 }

% c1 w$ W' P. a7 Y5 ]
& a8 I2 m$ z1 h, u8 A1 v& T

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作者: cakey    时间: 2017-6-22 15:46
D2  打开表示就表示low side Mosfet是turn off, Ig2 = 0

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