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标题: N沟道MOSFET的VGS问题 [打印本页]

作者: dqwuf2008 时间: 2017-5-25 16:01
标题: N沟道MOSFET的VGS问题
N沟道MOSFET的数据手册中VGS（th）会有一个最小值和一个最大值，如果VGS的值在最小值和最大值之前的话，N沟道MOSFET是否导通？

作者: 中臣 时间: 2017-5-25 16:52
MOSFET 的值离散型很大，要使MOSFET可靠导通，VGS必须大于最大值；如果VGS的值在最小值和最大值之前的话，有的MOSFET会由于本体差异不导通的；

作者: dqwuf2008 时间: 2017-5-25 17:08

作者: lfc1203 时间: 2017-5-25 21:07
VGS是导通的临界电压，此时有导通电流也是很小，Rds会很大

作者: 戏出东方 时间: 2017-5-26 17:07
VGS(th)的值就是能够导通的值，达到最小值，MOS管能够完全导通，最大值是一个限值，VGS超过此值会损坏MOS管

作者: dqwuf2008 时间: 2017-5-27 09:36

戏出东方发表于 2017-5-26 17:07
, B K j# P: q0 f/ WVGS(th)的值就是能够导通的值，达到最小值，MOS管能够完全导通，最大值是一个限值，VGS超过此值会损坏MOS管

你对我的问题理解有误

作者: kevin890505 时间: 2017-5-27 12:19
就是这个阈值不是很准，比较散，但可以确定的是阈值是分布在最大最小值之间的，对于同一批次的不同mos，有的min就打开了，有的max才打开。这个问题我以前遇到过，我选用一个阈值typ可以用LVTTL电瓶驱动，但是范围是2-3V左右的（具体值和型号记不清了）PMOS，大部分板子都没问题，做了10个就有几3个板子不行，后来才发现是阈值太临界了，有几个MOS刚好碰上这个max了，单片机引脚输出的刚好落在放大区了，不能完全打开。吃一堑长一智！！！

作者: lizudong 时间: 2017-5-27 14:54
驱动电压小于 VGS最小电压处于半导通状态 RDS 很大驱动电压大于VGS 就会损坏MOS管

作者: ABCDJ 时间: 2017-6-13 22:19
VGS有个范围是针对各种批次的器件和各种环境条件下的参数范围。若在最大最小值之间，则某些器件可能会导通，也可能某些环境下能导通。

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