EDA365电子工程师网

标题: DDR3的这些NC的到底要不要? [打印本页]

作者: Aubrey    时间: 2017-3-26 23:02
标题: DDR3的这些NC的到底要不要?

: t- V% n( Z4 h6 j" _如图,参考的资料里面J1,J9,L1,L9,M7有两种不同的接法,问下这两种有什么区别?
6 b- D4 D5 }' q+ E9 |: K: F( i
作者: myiccdream    时间: 2017-3-27 08:51
兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。9 f7 `7 J# j5 F) m$ p
比如说128x16bit用不到那些NC脚,但是256X16bit就能用到了
作者: WYL_GW    时间: 2017-3-27 08:52
如果没看错是美光的颗粒,资料写的很清楚,不连,你说的第二种接法我也想学习一下看看到底是用来干啥的。

nc.jpg (23.7 KB, 下载次数: 0)

nc.jpg

作者: 超級狗    时间: 2017-3-27 09:48

/ c+ F: h; r  c# U, q$ a2 @$ G0 I) T& K1 a& ]9 |! D
& S& G( r9 @- i  }

作者: clp783    时间: 2017-3-27 09:51
路过,顺便看下。
作者: Aubrey    时间: 2017-3-27 10:11
myiccdream 发表于 2017-3-27 08:51
9 R0 {; h  Y( i+ f9 _1 `兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。
0 O6 H& s& P) E比如说128x16bit用不到那些NC脚,但是256X16bit就 ...

* F( r& X1 f' a! B您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留,我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书,貌似只有8Gb(512MX16)才需要接这几个脚,2Gb(128MX16)和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb(512MX16)的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和高低位之分: A- A' o4 R, {7 p* K- q. [. c

7 v5 u9 ]& b7 V8 i, j2 x+ R' }5 y Datasheet_K4B2G1646F-BYMA [2G_F_DDR3_1 35V_x16 only_Samsung_Spec_Rev0 5 Oct15].pdf (696.2 KB, 下载次数: 2) Datasheet_K4B4G1646Q-HYK0 [1.35V_x16 only_4G_Q_DD.pdf (1.41 MB, 下载次数: 1) Datasheet_K4B8G1646D-MYK0 [8G_D_1.35V_DDP_x16_DDR3_Samsung_Spec_Rev0.0_Sep.15].pdf (928.14 KB, 下载次数: 1)
% P9 x% q1 T2 {: s6 y6 v- {) f
3 \2 @2 \5 c$ K/ R! O8 K% d  y. N
: d. X4 y% b1 y9 s3 _2 v0 M/ s) O" [% q. m4 Q

作者: Aubrey    时间: 2017-3-27 10:16
超級狗 发表于 2017-3-27 09:48
  • ODT1 和 CS1N 是為了雙顆粒封裝(DDP︰Dual Die Package)預留的。
  • A15 是為了加大容量預留的(多 ...

  • , o# W5 b& T- G& R. N8 W谢谢版主 ,8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧 - l* s. z' b. M) J; `

    作者: 风的缘故    时间: 2017-3-27 13:24
    一般是兼容设计预留用
    作者: 超級狗    时间: 2017-3-27 13:27
    Aubrey 发表于 2017-3-27 10:167 ?; Y5 O  V% N
    谢谢版主 ,8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧
    & B1 `1 e( v$ @' v0 p* A) p1 q: Z: z
    多數半導體在初期,大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量,並且要求空間小,雙顆粒封裝DDPDual Die Package)的做法就會出現。過些時日技術成熟了,單顆粒封裝SDP Single Die Package)就會取而代之。( H: K! I5 \; [* f: @2 k4 C
    $ O6 V/ N  o3 @3 k* ^  y  B7 ?
    兩個 4Gb 的顆粒,等於一個 8Gb 顆粒,算法上是沒錯,但要注意封裝的方式。
    ; y$ i# N$ c, ?5 b- N* ?/ N
    ) M  C* D. P$ f% o8 R) m' ^; r0 x0 y0 l/ {7 l) A' P7 `/ o1 N

    ! V6 y2 i. [! k- [2 s% o
    作者: WYL_GW    时间: 2017-3-27 17:16
    版主研究的好细致,学习了。
    作者: bingshuihuo    时间: 2017-4-1 09:24
    Aubrey 发表于 2017-3-27 10:11
    ' b- `  e* p/ b8 [: u* n9 ~您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留,我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书,貌似只有8Gb(512MX16)才需 ...

    ' _9 l* j' [$ K( g8 O: t! I一般是兼容设计预留用
    $ M0 b, R6 c. _# X* p9 ^) v1 b
    作者: yzhfendou    时间: 2017-4-4 13:41
    学习了




    欢迎光临 EDA365电子工程师网 (https://bbs.elecnest.cn/) Powered by Discuz! X3.2