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标题: P-MOS损坏求救 [打印本页]
作者: tdjfnwxf    时间: 2017-2-24 08:22
标题: P-MOS损坏求救
小弟请教知位大神
: r: }; ^2 x9 M& f# O  ^' U' q原理图如图所示。
: y1 d2 z7 I, d  i电路使用情况是这样，板子有俩路工作电源。一路是12V，另一路是100V，在测试的时候发现，如果在没有加截12V电源的时候，另外100V电源在供电，D703会有漏电到Q701.有时Q701会损坏，板子工作的时候Q702控制为高电平已导通。
1 t5 d4 _0 I9 q2 R) |: k0 d请教各位大神，如果将R711  1K电阻改为0欧是否会好点。方法二，将P-MOS管Q701  D  S极并一个10K左右电阻。% M* l; X# T( g5 z6 ^; y
麻烦大家看看是怎么回事。
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100V.png (43.96 KB, 下载次数: 10)

100V.png
作者: ksvhxd    时间: 2017-2-24 09:11
本人拙见，没有12V的情况下，100V漏过来的电压会使Q701的SG电压大大超过20V极限电压而损坏，你可试试在R710上并一支12V的稳压二极管。
作者: tdjfnwxf    时间: 2017-2-24 10:08
MOS SG电压超过20V极限的可能性比较小，: y% N6 x, X/ i3 Y
请看D703的规格书- j9 w" m8 I& v' l
另外还有一个问题没有说，刚开始设计的时候R710是100K, MOS管，Q701一上电100V就烧坏，现在改为R710改为10K已经好很多了，但长时间工作还是有损坏的现像。

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100_2.png
作者: 超級狗    时间: 2017-2-24 11:19
二集管的逆向電壓承受力剛好是 100V，你標的 100V 宮殿式有多接近 100V？% v! m* H3 n% c4 |# c8 N) j
; ~+ k6 I% \) f2 ?1 Y
是什麼樣的 100V？AC 還是 DC？
5 f1 f6 _! I6 v7 J$ q( m% ?
; E* R& ^! z8 H, q: d3 ~如果是 AC  整流成 DC，是怎麼做的？
  `0 R, P& t  o+ M+ @0 N0 ?4 r5 M% X# v
作者: hagelee    时间: 2017-2-24 11:49
说一下的我的看法,如果有不对的地方,请大家指正./ Y: u( C' l- I" C
二极管在12V断电的时候是反向的，由于阳极处于悬空状态，没有嵌位，所以100V可以传到MOS管的D端；MOS管的资料上有个指标 VDS最大100V，开机瞬间100V如果有个毛刺或者过充很容易导致MOS管子烧坏。/ p1 ^9 }9 o8 l9 l$ F( c
作者: tdjfnwxf    时间: 2017-2-24 13:36
超級狗 发表于 2017-2-24 11:19- Q; A4 B( s) s2 \4 G, E; J
二集管的逆向電壓承受力剛好是 100V，你標的 100V 宮殿式有多接近 100V？; {  w# P5 x/ x, X! Q
* B; i& `# `$ J( _" t
是什麼樣的 100V？AC 還是 DC ...
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100V供电，实际使用电源只有90V。这个12V,及100V供电都是指的是直流( G# \4 w3 y2 F2 x& C5 u) y$ ?
作者: bbw2131489    时间: 2017-2-27 09:29
tdjfnwxf 发表于 2017-2-24 10:08
0 u! d+ U! D, ^  B/ {& h+ c. a6 LMOS SG电压超过20V极限的可能性比较小，+ w0 G7 g9 m; i" `4 M& O1 i
请看D703的规格书
8 E4 p+ U( g& r% t# R" M( x% g另外还有一个问题没有说，刚开始设计的时候R71 ...

$ r6 a% Q. @( V! J2 {3 l从R701由100K改为10K有好转来看觉得还是GS烧坏的可能性大点，可以换回100K用示波器抓下Q701导通瞬间Vgs瞬间的波形。另外R701可以并一颗小电容看看有没有效果  I# |3 m+ q/ T7 B. f- [. x
作者: djadfas    时间: 2017-2-27 10:08
至少得说说用法 12V没用如果悬空 并没啥关系啊
作者: tdjfnwxf    时间: 2017-2-27 10:43
bbw2131489 发表于 2017-2-27 09:296 j+ O5 k" \" E
从R701由100K改为10K有好转来看觉得还是GS烧坏的可能性大点，可以换回100K用示波器抓下Q701导通瞬间Vgs瞬 ...
: m. X) |" x5 O0 w7 H) o( A$ s
感谢回复，我试试
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作者: ksvhxd    时间: 2017-2-27 11:22
mos管的源栅电压一般是10V，极限是20V，在有12V电压时，100V电源由二极管漏过的电流被12V电源吸收，不会对MOS管造成影响。但12V悬空，100V电源由二极管漏过来的电流在R710得到一个较高的电压。如果超过20V就有可能损坏P-MOS。改变R710的阻值，也可改变R710上的电压，有一定的效果，但解决不了根本问题。所以常规办法一是在源栅加稳压二极管限压，二是在PMOS至二极管间对地加电阻吸收漏电流。
作者: tdjfnwxf    时间: 2017-3-27 18:28
ksvhxd 发表于 2017-2-27 11:22
: R; T7 O7 K7 E# pmos管的源栅电压一般是10V，极限是20V，在有12V电压时，100V电源由二极管漏过的电流被12V电源吸收，不会对M ...

, J. e0 A, Q# t4 t3 _你好，请问一下，如果在PMOS至二极管间对地加电阻吸收漏电流，这个电阻选多大比较合适，电阻选的太小会导致机器12V供电时机器工作电流增加，如果电阻值选大会不会又起不到很大工作呢。
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