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标题: 延时电路设计 [打印本页]

作者: tlyyy1314    时间: 2016-7-8 09:27
标题: 延时电路设计
本帖最后由 tlyyy1314 于 2016-7-8 09:29 编辑 " T) I, ~3 {# y* n- y5 C  Q
' K0 t- t! @# y# m+ V. _  t
" K: W$ B9 K5 Q0 d6 }9 W: v
想做一个延时电路,就是3号位置上电由低延时一会变高,想问下这个电能能实现么?自己multisim仿真了一下,没仿出来。
作者: tlyyy1314    时间: 2016-7-8 13:59
自己顶一下
作者: winwt    时间: 2016-7-8 16:32
由低延时一会变高,那为何不直接使用简单的RC电路?
作者: swimage    时间: 2016-7-8 20:45
RC加施密特整形
作者: huahuaishere    时间: 2016-7-10 11:00
将Q1的基极接C1和R1的连接处,R1的另外一脚接地
作者: change2011    时间: 2016-7-11 10:19
不能,直接用RC
作者: ahgu    时间: 2016-7-12 10:12
延遲多少?+ t# I) h+ h# I& [

作者: xhy_hard    时间: 2016-7-13 23:44
huahuaishere 发表于 2016-7-10 11:00! _7 E& r, Q& e4 B! ~0 a: Z# i/ q
将Q1的基极接C1和R1的连接处,R1的另外一脚接地
1 r* C: d( N1 x
这样可以。或者采用PNP管,基极接在RC中间,R接VDD,C接地。7 C4 Z5 R; @3 p4 c

作者: xiaoyu19890210    时间: 2016-7-23 23:02
可以实现,但是要注意两点,三级管集电极对gnd要增加一个小的电容,防止瞬间3的位置出现高电平尖峰。1的位置增加一个对gnd的二极管,二极管阳极接gnd,防止下电时C1放点把三极管基极、发射极PN结击穿。




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