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标题: mos管电路的用法 看不懂 请大家探讨 [打印本页]
作者: muyidou    时间: 2016-3-30 18:24
标题: mos管电路的用法 看不懂 请大家探讨
如图，这个电路24v输入，为什么能输出12v。 该电路是成熟电路，实际搭出来的确是能测得接近12v电压？ 请问怎么分析输出电压的产生。$ _% I% U) F4 ]

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1.png
作者: tony123    时间: 2016-3-30 22:59
我也看不懂
作者: 超級狗    时间: 2016-3-30 23:14
書到讀時方恨多！
4 d9 X0 P$ _$ F2 M* q9 F
/ o! ]9 e; B: C% V3 R& q+ V/ K) w+ C- B0 C
9 W; L/ C7 A4 @3 l4 K, K
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AUIRF3205 Id vs Vds.jpg (66.74 KB, 下载次数: 1)

AUIRF3205 Id vs Vds.jpg

Output Characteristics of a Depletion Mode MOSFET.jpg (102 KB, 下载次数: 1)

Output Characteristics of a Depletion Mode MOSFET.jpg
作者: 故城往事    时间: 2016-3-30 23:36
应该是一个NMOS的驱动电路吧，不像常用的电平转换电路。
作者: 故城往事    时间: 2016-3-30 23:36
应该是一个NMOS的驱动电路吧，不像常用的电平转换电路。
作者: fallen    时间: 2016-3-31 00:27
该电路没有分析的价值，完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.
作者: 故城往事    时间: 2016-3-31 08:34
fallen 发表于 2016-3-31 00:27+ _% D1 x, g6 V
该电路没有分析的价值，完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.

8 ^8 p5 C8 c7 Q4 Y; K* g我记得以前有个人发了一个19种电平转换电路,这个应该完全靠增强型NMOS本身管子参数的特性做的电路,吧.
& O3 h8 ]$ D0 K5 A: o
作者: muyidou    时间: 2016-3-31 09:15
fallen 发表于 2016-3-31 00:27! X. a8 c3 d+ w! r' h. O/ k# G* G
该电路没有分析的价值，完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.
0 {6 |) F% J% V6 g
fallen版主，这个电路很疑惑，所以发帖求助，结合狗版主贴的两张图。您的特定条件是指给id一个特定的电流吗？4 G) O* ?) c  D: y& A/ g0 f
作者: muyidou    时间: 2016-3-31 09:16
超級狗 发表于 2016-3-30 23:14
5 I8 x6 D/ P4 c; w( Z9 c書到讀時方恨多！

$ T& L. h" ?# U3 e: o版主大哥，小弟结合两张图没看懂
0 W7 B0 ]. Y0 }
作者: 超級狗    时间: 2016-3-31 09:37
本帖最后由 超級狗 于 2016-3-31 09:39 编辑
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muyidou 发表于 2016-3-31 09:16
' F# J2 ^( P+ {0 E* |( \* {& H版主大哥，小弟结合两张图没看懂

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懂了嗎？" Y& D* W" W5 }( \* }! r
% K2 u1 C+ Y( h! b. y  e: Q1 _& r
小弟的能耐只到這裡！9 b; `, r) Q8 N

8 n9 a" H' J1 }1 \; S. n1 {7 x3 O+ r, w' K! m8 o; R! w  s% ~
作者: skatecom    时间: 2016-3-31 13:46
我表示看不懂啊，狗大解释一下，MOS管跟R26并联，1欧的电阻，1206的封装，12V的压降，意思说通过电阻的电流12A，这不科学啊
作者: muyidou    时间: 2016-3-31 14:39
超級狗 发表于 2016-3-31 09:37
  • 第一張圖是 AUIRF3205 V[sub]DS[/sub] v.s. I[sub]D[/sub] 的特性 。
  • 第二張圖是一般對 MOSFET  ...

    • $ w" x9 E! |4 f$ }" D% f3 n 版主大哥，我和楼下有相同的疑惑，1206的1欧姆电阻能挨得上12v电压吗？
    $ x, V2 {3 H+ }' U- J% k* S$ z: R! a& n
    作者: 超級狗    时间: 2016-3-31 16:52
    skatecom 发表于 2016-3-31 13:46
    ! j7 [+ L- V2 R: o( V* ^4 w我表示看不懂啊，狗大解释一下，MOS管跟R26并联，1欧的电阻，1206的封装，12V的压降，意思说通过电阻的电流 ...
    6 F$ B  f) D5 S3 X( d) t
    家裏沒大人？輪得到 R26 說話嗎？
    2 L6 s0 T& u7 y$ Z. D& s4 k
    " F, l* V6 ]+ }5 ^2 r' N
    1 B: ^' [% Z3 G  P& z

    MF-NSMF050.jpg (94.21 KB, 下载次数: 1)

    MF-NSMF050.jpg
    作者: cszyueluo    时间: 2016-3-31 17:42
    这个电路有点不是很明白，R26的电阻是选择性的上吗？出12V时，R26不上？
    作者: cszyueluo    时间: 2016-3-31 17:44
    如果R26不上件，特定条件下输出12V可以理解，但是R26如果上件，输出12V，必须靠保险丝和R26的串联来顶到12V，耗散功率保险丝根本就顶不住。
    作者: qiangqssong    时间: 2016-3-31 18:04
    PD4是不是稳定管?如果是12V的稳压管就好解释了
    作者: skatecom    时间: 2016-4-1 09:11
    PTC，按1A*0.7，也最多是0.7V的压降，那还剩下11.3V呢，1欧的电阻跟谁并联都是小于1欧的，PTC限制了回路总电流，如果最大电流只能过1A，那11.3V压降从哪里来呢
    作者: clp783    时间: 2016-4-1 11:48
    高人在何方，这是什么情况。
    作者: muyidou    时间: 2016-4-1 19:06
    是呀，还没解惑
    作者: ginooolu    时间: 2016-4-1 19:36
    在下也發表一下個人看法
    , _5 t5 W; f2 ?) m4 C/ U如版主圖所示，Q1不會工作在飽和區(右側水平線)，而是工作在電阻(線性)區(左側斜線)* y. }; @  v" Z
    通電後，Gate電壓固定24*(51/(22+51)=16.76V，Source電壓開始上升。Vgs越來越小，使Q1脫離飽和區進入電阻區，預期Vgs=16.76-12=4.76時會到達穩態，如此轉出12V: n/ K! y" Q' S7 Z& G
    如上面先進所述，PD12是一顆zener diode, 使用Vz=12V的二極體會比較合理
    2 d- O( ~6 ^& ]3 d* j; GR26功能在下也不清楚。樓主電路板上是有上件的嗎?比較能夠避免功率問題的說法應該是該R26與Q1是並聯電路，如果Q1在電阻區的阻值遠低於R1, 那電流就會分流在Q1上。如此負載應要在數十安培才有可能。' R! g: X5 ?4 B9 ^
    作者: 北漂的木木    时间: 2016-4-7 14:09
    表示不能理解这么做的意义，降成本？问题是，3205的成本也不低啊~！
    作者: liangjiatian    时间: 2016-6-6 09:14
    换成PMOS就好了
    作者: kingsr    时间: 2016-8-17 13:43
    Q1实际上进入了变阻区，如果负载电流大发热
    作者: muyidou    时间: 2016-12-13 22:04
    隔了快一年多再次看到这个帖子，感谢各位的回答，这个电路如今已经搞清楚了，R26是预留！！！！   作为12v与24v系统的备选；当12v系统时，R26贴上，Q1\R27\R28不贴； 24V系统时 Q1\R27\R28贴，R26不贴，mos工作与可变电阻区，vgs对应一个Vds,使得vds有12v左右的电压，后面有接LDO（LDO允许的输入范围是9~33v,电流是200ma）,LDO设计时用来产生12->5V,电流是100ma左右，主要热量在mos处；感谢各位！
    作者: 大山    时间: 2017-4-26 14:44
    这个NMOS电路是不是LDO？



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