求助：为什么HFSS仿真中lumped port集总端口尺寸大小会影响仿真结果？

小螺号

4 Y# R8 ~: s' U, }) W+ C
" h& D  @. E. f0 ^我使用HFSS设置集总端口lumped port 时，把lumped port尺寸设置为两种不同的大小时，发现两种情况仿真出来的结果（阻抗）有明显的区别，这是为什么呢？这两种情况是：（1）lumped port大小只接触到传输线和参考地边界；（2）lumped port大小覆盖传输线端口面，但只接触到参考地边界。下面为两种端口设置图：图1和2分别为情况一和情况二，图片右边导体为参考地。有哪位知道，帮忙解答一下，先谢谢啦！
- T9 Y: j% D' |

/ l+ u: z# {- V- ~

cousins

yangjinxing521 发表于 2016-7-18 10:24
为什么？？？

了解二端口网络计算原理的你就会清楚。
S11和负载阻抗，传输线特征阻抗，相位 有较大的关系，而这三个因素在实际测试时都有误差，你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合，所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度，相位角度上一定会有偏差。

咚次哒次

1.首先，要注意的是在设置集总端口激励时，两种求解类型（模式驱动、终端驱动）所对应的设置方式是不同的。目测你应该是应用的模式驱动求解类型。
9 M# s8 v+ a. g) Q$ y2.模式驱动求解类型下，集总端口设置的几个tips：
; Z( m+ x$ S0 {" |: K  L（1）需要设置端口阻抗，作为在端口处计算S参数时的参考阻抗；
) N3 ]$ w, G7 t0 ?/ [* o% \（2）集总端口面宽度与微带线宽度相同即可；
0 L7 g% z- J% G4 [2 Y+ r* D（3）集总端口面上下边缘，分别与微带线和参考地相接即可，不要覆盖或重叠；
) h+ z* C) j1 Q+ r8 M) y（4）积分路径的起点和终点分别是微带线上下边缘的中点。
% R; `6 x$ H: A; p% i* j# X以上是我知道的，希望可以帮到你。

hanqianq123

cousins 发表于 2016-7-14 17:15
覆盖的字面意思是：端口的面和导体的面重叠了。。。
端口与导体面相切是仅仅一条边。
这样好理解了么？ ...

& l! A: J7 N0 J+ i1 T2 _soga~~,懂了，谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型，结果发现，同一个模型，利用两种加端口的方式，得出来的结果，S21基本重合，但S11相差就比较大，其实曲线起伏大概都是一样的，但是具体的值就不一样，也不知道到底是什么问题，所以在寻找答案过程中，，能帮我看看么

欧北_ale

有深度的讨论

nonpariel

' ~' C* a5 [* s/ R( K1 _
那么波端口和集总端口提出的Z参数应当一样吧？

cousins

带宽宽用插值算法。
" R3 y! h1 y+ Bwaveport的大小影响频偏是很正常的，大小设置参考阿笨的走进port

hanqianq123

cousins 发表于 2016-7-22 10:12
0 ?3 k* Z; d0 R6 I, q3 C' M造成这种差异有几个方面：
1.扫频的拐点频率，步长设置是否与VNA一致
& d5 c2 ]3 R/ N8 l  N# _2.看你和实际制版工艺/材质频变特 ...

4 s8 \! y, J0 y5 a9 U) O/ Q& c/ c这是实物和仿真之间的频移的原因吗？我想问同一种模型，两种端口设置下仿真结果也有频移的情况出现是什么原因，不过我的HFSS仿真时宽带设置的是比较宽，会不会和这个有关系

cousins

hanqianq123 发表于 2016-7-22 09:54
! J2 u: q0 e6 @' m2 e; t那在通带内，S11d的峰值处，每个大概有100MHz的带宽偏移也是正常的吗？

造成这种差异有几个方面：
1.扫频的拐点频率，步长设置是否与VNA一致
) A; e. K6 }; }2.看你和实际制版工艺/材质频变特性的差异性

8 F* w& I; K7 ^! p1 F如果你扫的是大宽带又存在工艺材质误差，频偏100MHz很正常。

3 B* S1 T" @7 M* N

hanqianq123

cousins 发表于 2016-7-18 10:16
1 x9 S, O/ t' L3 b  Y! s5 gS11相差大正常的，带宽近似，趋势相近就可以了。

4 l9 |1 S8 L0 ?! S3 {* \8 p那在通带内，S11d的峰值处，每个大概有100MHz的带宽偏移也是正常的吗？

yangjinxing521

cousins 发表于 2016-7-18 10:16
6 `3 l6 w4 \# q* c+ }S11相差大正常的，带宽近似，趋势相近就可以了。

+ H9 w$ X$ x7 U$ }为什么？？？

cousins

S11相差大正常的，带宽近似，趋势相近就可以了。
: H- d* k$ i$ ]& q% O4 |  J# L9 G6 z

cousins

hanqianq123 发表于 2016-7-13 14:24
6 Y8 z6 n, q" d7 A& M什么叫不要覆盖导体，我没有懂，比如说，在一个微带线横截面加一个集总端口，除了宽度与微带线宽度一致， ...

9 g: \/ \& `! \覆盖的字面意思是：端口的面和导体的面重叠了。。。
0 S2 P* m+ N, ^) m端口与导体面相切是仅仅一条边。
这样好理解了么？
* h. t1 U8 s7 N' d; s' p

hanqianq123

cousins 发表于 2016-3-27 07:14
lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

3 w3 f- Z: Z! K/ `$ Y4 f什么叫不要覆盖导体，我没有懂，比如说，在一个微带线横截面加一个集总端口，除了宽度与微带线宽度一致，高度是一边接触到地，另外一边是接触微带线的下表面（端口不覆盖导体），还是上表面（端口覆盖导体）？求解答~~

小螺号

cousins 发表于 2016-3-27 07:14
, U8 U: ?: p) ], c$ j  K& jlumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

9 y9 U- @6 @: M) ?- A( N原来是这样，谢谢！
% h# ^. i6 E' s) N" j2 S. h) {

cousins

小螺号 发表于 2016-3-26 23:57
那如何设置才是正确的呢？

) y$ {/ N' M* Olumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种猜想，我会以这么大的位置引入对应的电场，电磁波传播的方向与这个面垂直，同时磁场与电场正交。