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标题: poe受电设备pd检测电阻的上下限问题 [打印本页]
作者: muyidou    时间: 2016-2-16 17:37
标题: poe受电设备pd检测电阻的上下限问题
采用的是凌特的方案设计的，25kΩ是标准值。 请问用什么方法或者仪器可以测量这个电阻值？
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作者: 超級狗    时间: 2016-2-16 23:54
本帖最后由 超級狗 于 2016-2-17 09:39 编辑
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IEEE 802.11af 的規範，PD 接上 PSE 之後，PSE 會送一個 <10V 的電壓來偵測，是否有一個 25K（R[sub]DET[/sub]）的電阻在負載上。2 B0 X, X# I; ?  t9 C; a

' l- ?& \+ d7 N" G偵測的方式可以用分壓或電流，如附圖。9 h& k! S% S6 N; l2 r
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所以可能有兩種方式可嘗試量測這個 25K 電阻︰
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第二張 TI TPS2370 的方塊圖所示，25K 的電阻外掛於芯片外。裏面有個 MOS 管，決定要不要將 R[sub]DET[/sub] 並聯在 VPOS 及 VNEG 間。但 MOS 管是在不給電時就會導通，或是給一個 <10V 的電壓後才會導通，就看芯片設計了。, c+ J9 r1 w% h9 a
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& P9 d0 ?% x. }/ ]最後附上一張 PoE 上電訊號程序圖，供樓主研究！
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5 i+ i' j& K+ J& ?8 ]! u* \# o, Z樓主最後若有所得，亦請回饋眾網友。
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感恩！
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PSE Discovery Block Diagram.jpg

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TPS2370 Internal Block Diagram.jpg

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作者: 超級狗    时间: 2016-2-16 23:55
本帖最后由 超級狗 于 2016-2-17 09:40 编辑 ) c( N  C3 G1 ~1 O& N
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IEEE 802.11af 的規範，PD 接上 PSE 之後，PSE 會送一個 <10V 的電壓來偵測，是否有一個 25K（R[sub]DET[/sub]）的電阻在負載上。
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4 r8 [4 H, c7 V- o) h8 B偵測的方式可以用分壓或電流，如附圖。
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所以可能有兩種方式可嘗試量測這個 25K 電阻︰
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4 t# r3 t6 N) {& a! [" s* n第二張 TI TPS2370 的方塊圖所示，25K 的電阻外掛於芯片外。裏面有個 MOS 管，決定要不要將 R[sub]DET[/sub] 並聯在 VPOS 及 VNEG 間。但 MOS 管是在不給電時就會導通，或是給一個 <10V 的電壓後才會導通，就看芯片設計了。6 S2 }5 s. [6 D' }$ Q
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) J8 N+ h5 w* K5 Q; m4 Z最後附上一張 PoE 上電訊號程序圖，供樓主研究！
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7 ^, f6 e9 E( k% J樓主最後若有所得，亦請回饋眾網友。* R" t' Z5 v$ y; y
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感恩！
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s signal during PoE process.jpg (72.52 KB, 下载次数: 1)

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作者: muyidou    时间: 2016-2-17 10:00
超級狗 发表于 2016-2-16 23:55
& p3 q& a( R( b2 E, g% \IEEE 802.11af 的規範，PD 接上 PSE 之後，PSE 會送一個

. a& [- T, S4 U( m8 ^" k. t+ k感谢狗版主大神回复，请问您那里有没有 “pse采用一种ΔV/ΔI测量方法来计算特征电阻”  的ΔV/ΔI 曲线图？ 另我想知道检测电阻的范围是多大，达到多大的电阻后pse就无法检测到pd设备？
作者: muyidou    时间: 2016-2-17 10:16
muyidou 发表于 2016-2-17 10:00
% D$ }% O% }' m3 P% [  l5 z感谢狗版主大神回复，请问您那里有没有 “pse采用一种ΔV/ΔI测量方法来计算特征电阻”  的ΔV/ΔI 曲线 ...

- w# r0 y; p; b8 {9 z: v谢谢版主，已找到曲线图 ，根据手册描述 23.7k<Rdet<25.2k（不包括整流桥电阻）; 另注释说可以使端口电阻增加1.1k,所以有效的PD应为23.75k<Rdet<26.36k；
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作者: 1150520377    时间: 2016-7-7 16:55
超级版主对POE这一块也很精通，受教！
作者: deado    时间: 2018-6-19 09:49
3q  4 sharing



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