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标题: 请教COMS传感器与主芯片之间的连接方式问题 [打印本页]

作者: cewtf 时间: 2016-1-5 09:26
标题: 请教COMS传感器与主芯片之间的连接方式问题
Hi~各位大师早上好，小弟来请教一些没做过的问题，想先跟各位大师做一下讨论，看看小弟的一些想法是否可行。
小弟在2016年会展开一个关于CMOS的项目。涉及图像采集与图像分析。小弟找到一些CMOS传感器的手册，看得出基本上都是以LVDS信号传输图像。
那么小弟的问题来了，LVDS信号都是以差分对形式出现，那么是不是说COMS传感器必须跟主芯片在同一个PCBA上。如果小弟想把CMOS与主芯片分开，控制结构大小，中间通过FFC排线连接的方式是否可行，还有就是LVDS对阻抗要求是否严苛，FFS上的阻抗控制如何实现，EMI暂不考虑。
还望有经验的大师多给点建议，帮助小弟启发启发，先谢谢各位大师了哈。

作者: brc010101 时间: 2016-1-5 13:36
可以用FPC排线相连，定义排线信号顺序时，最好每个差分对之间插入一根GND信号，FPC排线的阻抗控制，你让排线厂家把差分阻抗控制到100Ω。你的sensor是多少像素的？整机是什么产品？

作者: cewtf 时间: 2016-1-5 13:54

brc010101 发表于 2016-1-5 13:36
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从官网上找的的一个sensor，以后估计就是用这种类型的CMOS。预计像素值在500万及以上，工业摄像头，所以比较复杂。还请帮忙看一下这个sensor是通过LVDS传输信号的吧？8通道么？我看手册是这么理解的，还请帮忙看一下，确认一下我没理解错。。。
谢谢！

NOIV1SN5000A-D.PDF

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作者: brc010101 时间: 2016-1-5 14:20

cewtf 发表于 2016-1-5 13:544 K( r6 W- L) h
从官网上找的的一个sensor，以后估计就是用这种类型的CMOS。预计像素值在500万及以上，工业摄像头，所以 ...

理解没错。做好SI、等长、EMI辐射，应该就差不多了。

作者: cewtf 时间: 2016-1-5 14:25

brc010101 发表于 2016-1-5 14:20
; Z2 q! b$ c( M( [! z理解没错。做好SI、等长、EMI辐射，应该就差不多了。

好的，非常感谢！

作者: fallen 时间: 2016-1-5 21:15
可行，请参考电视机。

作者: xiaoyu19890210 时间: 2016-1-5 23:04
500万像素，8通道LVDS，像素时钟应该还不到100M，最好用FPC，信号质量好些，后续EMI也好过，如果成本考虑的话，也可以用FFC，但长度最好不要10cm，而且如果产品外壳不是全金属封闭的话，EMI可能很难过。

作者: cewtf 时间: 2016-1-11 10:10

xiaoyu19890210 发表于 2016-1-5 23:047 |( w) Z G- g1 N2 L0 [' y1 v
500万像素，8通道LVDS，像素时钟应该还不到100M，最好用FPC，信号质量好些，后续EMI也好过，如果成本考虑的 ...

感谢回复，小弟已经弄明白了，我们这个项目用不到这么高端的传感器，最多是mipi接口的。那种8通道的LVDS的传感器我看了一下，要用专门的DSP芯片才行，我们这个IMX不支持，最多支持mipi接口，所以小弟已近重新选型传感器了。

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