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DC-DC电源仿真设置的几点疑惑

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发表于 2015-12-21 11:51 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
小弟最近才上手Sigrity 16.64,先拿手中产品的DDR电源练手,碰到如下几个问题:
! O/ V, T$ J# D/ v3 X1、设置VRM时,是应该选择电源芯片还是功率电感?小弟的处理方式是,选择功率电感作为VRM,内阻设置为功率电感内阻,然后将电源芯片添加电阻参数,阻抗设置为Rpmos*(Vout/Vin)+Rnmos*(1-Vout/Vin),其中Pmos和Nmos分别为同步整流电源芯片的两个MOS的导通电阻,LX端设置为扩展地信号。不知道这样设置可不可行?( [0 F" m1 X# h
2、设置Sink时,DDR的Equal Current值是指芯片的总电流,还是每个电源管脚的电流?: `. f( o! [7 a  `3 m: b6 l, A
3、check error时无错误提示,但是仿真就会有open 的告警中断,但回路不应该是“功率电感输出端→电源平面→DDR→GND→电源芯片LX端”么?找了好久都不清楚这个电路开路点在哪里,怀疑是有孤立地平面,但是我用LDO电源仿真(不需要功率电感,设置起来东西少)的时候就能正常仿真下去,就是这个电源回路开路搞的一直卡壳= =7 E0 ]9 h4 e8 d: ~: u/ D3 ]' z
- R4 A* [7 x. [% k
1 r9 H# g9 F! a; d
求各位同僚指点一二啊,万分感谢!0 L: ^! s: A1 A, J* c

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 楼主| 发表于 2015-12-22 15:24 | 只看该作者
cousins 发表于 2015-12-21 15:38
+ p, V+ ?0 U" K& N  q( q1.设置为电源芯片。如果你要设置为功率电感,负馈请设置为GND,电源芯片内阻设置不设置没什么影响,环路为V ...

$ F9 I% g1 X: |* p$ L& K8 @1.设置为电源芯片。如果你要设置为功率电感,负馈请设置为GND,电源芯片内阻设置不设置没什么影响,环路为VRM正馈到负载正馈到负载负馈到vrm负馈。6 L4 O) o( A7 E; {) \# U6 o* p
2.既然是等电流,自然是各个管脚。) @- ~' x8 ^! u; d- O1 D$ A0 @$ p; p  z! j
3.直流环路的路径和交流环路的路径又怎能一样?你交流能通过电容,直流能通过吗?
% ?8 i( ~7 W' K: R! \7 e4 N6 O  [2 Q: T- ?1 V6 M( _+ N

; F3 s7 p" w. L. m! b! f8 i  o8 [9 T
; k4 D$ t: M+ S9 R% [1 f# F/ [  A" b6 ^. N% Y5 N3 w: G
谢谢版主指点!!' J0 R- U/ o& }. q& }3 {3 ^* o) t
1、VRM设置为功率电感的话负馈只能设置为和VRM上的管脚,也就是LX啊。后来我直接把VRM设置为电源芯片,然后把功率电感的等效电阻移到电源芯片上,功率电感所在就假设为0Ω,这样仿会几乎没有压降,不知道这样可不可行(见下图)?还有版主,经我仿真,电源内阻设置对仿真还是有略微有影响的,如果我设置为0跟0.1欧,在电源平面上同一地方的结果相差5mV(见下图)! S  N- P2 B- Y. H6 K
2、原来是这样啊。。那我将芯片厂提供的参考公板测试值除以俩DDR加CPU的电源管脚数即可,仿出来的结果就正常多了
- [* R4 d' Y( y. X" V, t: @3、开路的bug已经找到,原因是我在pcb转化为spd的过程中,由于功率电感中英文混合命名,同时中间无逗号等分隔号,导致转换丢失(PS:其实第一次是成功了的,但是关了之后隔几天再开就莫名其妙消失了,后来把器件命名规范化,暂无复现次现象)& k+ G7 f! V& \; i

. i0 W4 o# Z! P% B另,我那内阻值的设置是有点糙,但目前想不到更好的模型了。。。
3 p. b: ?; p9 Y# k6 G% x5 t9 B

1.png (36.91 KB, 下载次数: 0)

1.png

2.png (81.55 KB, 下载次数: 0)

0Ω内阻(此时Sink设置有误,所有值都偏低)

0Ω内阻(此时Sink设置有误,所有值都偏低)

3.png (81.18 KB, 下载次数: 0)

0.1Ω内阻(此时Sink设置有误,所有值都偏低)

0.1Ω内阻(此时Sink设置有误,所有值都偏低)

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 楼主| 发表于 2015-12-25 20:30 | 只看该作者
royafei 发表于 2015-12-24 20:110 f. k/ I! t$ u* R( R: y
我最近也在进行power DC的仿真,流程基本可以跑了。我在设置VRM时内阻设置的为零,因为我仿的只是PCB-only ...
( ?$ k' X! M% j# V  U5 H
过孔在stuck里是可以编辑的,对仿真结果有很大影响,我下图给你举例:下面两图中部偏左的过孔,为一电解电容,此过孔我原先设置为给两个移动硬盘解耦用的,初始仿真出来的电流密度竟然达到127A/mm2。后来细想不对,该电解电容为DIP焊接工艺,理论上的过孔全部沾满了锡才对,所以我给编辑为实心孔(不了解如何设置布满实心,我就假象它的通透孔径仅为0.2mil,不影响大局)。仿真前后的对比见附图。图中失误的地方为,过孔材料没有改成锡,而是采用默认的铜,懒得再仿了。。。1 L7 K- L& }  \  B) U4 o  A
. \( x- C% [0 Q+ e/ a6 @; g
铜皮理论上能编辑,因为在工具栏里有,但是个人觉得即使在PowerDC里改稳妥了,实际出生产资料时不知道如何导回PCB生产光绘文件,所以我更倾向于发现问题后在原PCB上修改,再转为spd格式的新文件,新文件直接替换原有的文件即可(别的文件不要动),打开后你会发现原来定义的网络等等参数依然存在的。) e+ O7 P0 V: n5 ^# }
* @6 \8 z% H: M

2 o) T9 J. z- y' d; h1 c1 D) [另,同为初学者,你有其他PowerSI以及OptimizePI、Speed2000带语音的视频教程,或者图文教程么?版主大人分享的视频教程很好,就是好多没声音学着没头绪。。。
2 }. l; p: N7 I

1.png (25.97 KB, 下载次数: 0)

仿真前

仿真前

2.png (34.14 KB, 下载次数: 0)

仿真后

仿真后

3.png (55.39 KB, 下载次数: 0)

实孔参数设置

实孔参数设置

点评

1,在power DC里面 如果自己不设置via的画,软件默认是solid via ,个人认为软件把via当成圆柱体铜皮 2,关于sigrity的仿真资料,我也比较少,我是看eda学堂 shark4685的课程,不过感觉讲的比较简单,只是适合入门~  详情 回复 发表于 2015-12-26 20:35

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发表于 2015-12-30 20:00 | 只看该作者
KssKssK 发表于 2015-12-30 10:00% d: X% h, j  X! G- ?
1、直流阻抗?确切说是仿真失败了,详见我一楼里的模型公式。后来发现把内阻设置为0,甚至仅设置为Rds(o ...
+ z* n  d, {* l! \3 U, _1 a6 `: G
我前面没表达清楚。一个DC-DC给AP供电,输出反馈线接在靠近AP的一个大的电容上。假如我想仿真这个大电容到AP以及地回路部分的直流电阻,我该怎么做了?我目前的想法是取电容上的网络为power net,这个网络跟AP相连接。我原以为下一步可以选择器件电容,可是实际的选项里面没有那个电容,只有DC-DC这个器件,还有不是我想要的另外的电容。
: D4 f) m& {2 \& M( }0 Y0 j   假如我选择反馈网络(通过一个电阻跟AP侧大电容相连)作为power net,那么可以在下一步有这个电阻工选择,问题就是反馈线实际不是电源网络而且并不跟AP直接相连。后面选择负载的时候我选择AP这样合理吗?' B; m# p3 q% c& I

点评

最近有事一直没过来,不好意思 1、找不到电容?不应该啊,有没有可能像我上面回复的一样(我有丢失功率电感的例子),因为PCB文件转化的时候丢失电容的? 2、关于反馈网络,好像看到有的教材说可以在电源芯片上添  详情 回复 发表于 2016-1-19 11:44

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 楼主| 发表于 2015-12-21 11:59 | 只看该作者
晕,是PowerDC仿真,关键词竟然给漏了。。。

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发表于 2015-12-21 15:38 | 只看该作者
1.设置为电源芯片。如果你要设置为功率电感,负馈请设置为GND,电源芯片内阻设置不设置没什么影响,环路为VRM正馈到负载正馈到负载负馈到vrm负馈。# w- f' Q; r" d3 Y8 F" U
2.既然是等电流,自然是各个管脚。
' W0 m$ [, Q# P2 f3.直流环路的路径和交流环路的路径又怎能一样?你交流能通过电容,直流能通过吗?

点评

1.设置为电源芯片。如果你要设置为功率电感,负馈请设置为GND,电源芯片内阻设置不设置没什么影响,环路为VRM正馈到负载正馈到负载负馈到vrm负馈。 2.既然是等电流,自然是各个管脚。) @- ~' x8 ^! u; d 3.直流环  详情 回复 发表于 2015-12-22 15:24
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发表于 2015-12-24 16:15 | 只看该作者
这个仿真看起来确实不错!!!!

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 楼主| 发表于 2015-12-24 16:49 | 只看该作者
更正一下,3楼的第二点回复有误,我理解错版主的意思了。正确的说法是,Sink输入的电流为该Sink的电流总和,Equal模式只是把该电流的数值平均到其各个电源管脚上。
: R% _+ ]1 h& b( i+ m4 f我仿真错误的原因是电源内阻模型有误,算起来差不多能到0.12Ω,显然过大,将电源内阻取0或者几十mΩ仿真出来的结果就比较接近实测电压。

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发表于 2015-12-24 20:11 | 只看该作者
我最近也在进行power DC的仿真,流程基本可以跑了。我在设置VRM时内阻设置的为零,因为我仿的只是PCB-only的阻抗。还有一点我不知道楼主有没有考虑过,我们仿真的目的是想看阻抗是否符合spec,但是如果不符合spec,为了简化工作,我是否可以在当前的workspace中直接编辑spd的过孔和铜皮?我最近正在研究,不知楼主是否知道?

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过孔在stuck里是可以编辑的,对仿真结果有很大影响,我下图给你举例:下面两图中部偏左的过孔,为一电解电容,此过孔我原先设置为给两个移动硬盘解耦用的,初始仿真出来的电流密度竟然达到127A/mm2。后来细想不对,  详情 回复 发表于 2015-12-25 20:30

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发表于 2015-12-26 20:35 | 只看该作者
KssKssK 发表于 2015-12-25 20:30
4 C7 r9 L5 K& S: [3 ?7 J过孔在stuck里是可以编辑的,对仿真结果有很大影响,我下图给你举例:下面两图中部偏左的过孔,为一电解 ...
  c& t' u1 Q) b# y
1,在power DC里面 如果自己不设置via的画,软件默认是solid via ,个人认为软件把via当成圆柱体铜皮1 K0 }/ _) [2 ~, f0 V
2,关于sigrity的仿真资料,我也比较少,我是看eda学堂 shark4685的课程,不过感觉讲的比较简单,只是适合入门~
3 I  H. x8 k/ i2 ~$ f6 i

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对于第一点,您的意思是默认全实心铜柱?我查阅过相关资料,说一般过孔沉铜的厚度为0.6-0.7mil,我也尝试过对一些孔的孔厚设置成如此的数值,经仿真前后几乎没啥差别  详情 回复 发表于 2015-12-28 08:37

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 楼主| 发表于 2015-12-28 08:37 | 只看该作者
royafei 发表于 2015-12-26 20:35
/ t" Q8 s3 G: T5 n, d( \1,在power DC里面 如果自己不设置via的画,软件默认是solid via ,个人认为软件把via当成圆柱体铜皮
7 E$ r* a3 ^) C* D3 I" a1 L2 ...
1 ~& I) |) B( m# A( {
对于第一点,您的意思是默认全实心铜柱?我查阅过相关资料,说一般过孔沉铜的厚度为0.6-0.7mil,我也尝试过对一些孔的孔厚设置成如此的数值,经仿真前后几乎没啥差别8 J7 I8 ]! l& r" J  s. W

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发表于 2015-12-28 21:04 | 只看该作者
楼主试过仿真DC DC直流阻抗没? 对于那种电源网络上有反馈的----我想把positive pin放到电容上,可是选择电源网络后出来的器件中没有靠近AP的电容。

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1、直流阻抗?确切说是仿真失败了,详见我一楼里的模型公式。后来发现把内阻设置为0,甚至仅设置为Rds(on)不考虑功率电感的ESR,反而仿出来的更接近实测结果。 2、没有电容?你得在右侧把地平面电源平面都勾选。  详情 回复 发表于 2015-12-30 10:00

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发表于 2015-12-28 21:20 | 只看该作者
还有环路电感 到底是计算哪一段的电感/

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 楼主| 发表于 2015-12-30 10:00 | 只看该作者
lucifer2015 发表于 2015-12-28 21:04
8 [% A+ r: F* ^& q楼主试过仿真DC DC直流阻抗没? 对于那种电源网络上有反馈的----我想把positive pin放到电容上,可是选择电 ...

( f& K5 X3 L/ [0 U' `1、直流阻抗?确切说是仿真失败了,详见我一楼里的模型公式。后来发现把内阻设置为0,甚至仅设置为Rds(on)不考虑功率电感的ESR,反而仿出来的更接近实测结果。% \" }) t* P' v4 z  ?3 G( r
2、没有电容?你得在右侧把地平面电源平面都勾选。如果这样还没有,有可能是器件丢失,我就碰到过这种问题,重新导入spd文件就好了。
$ [* r+ A3 h( f/ q6 B  Q3、环路电感?貌似PowerDC方仿真里没有要填写这一项的地方啊?
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我前面没表达清楚。一个DC-DC给AP供电,输出反馈线接在靠近AP的一个大的电容上。假如我想仿真这个大电容到AP以及地回路部分的直流电阻,我该怎么做了?我目前的想法是取电容上的网络为power net,这个网络跟AP相连接  详情 回复 发表于 2015-12-30 20:00
你知道为什么不要考虑电感的DCR吗? 因为电感的规格书其实写的很清楚,你所写的DCR是一个max值。 你实际工作时,电源环路不会工作在worst case状况下,电感也未必能到DCR max状况下。 通常做IR Drop主要关心的是  详情 回复 发表于 2015-12-30 10:45

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发表于 2015-12-30 10:45 | 只看该作者
KssKssK 发表于 2015-12-30 10:002 N4 Z! P' C. J0 c- t# j
1、直流阻抗?确切说是仿真失败了,详见我一楼里的模型公式。后来发现把内阻设置为0,甚至仅设置为Rds(o ...
+ Y& {( p. V# V; D; Q  C* A
你知道为什么不要考虑电感的DCR吗?" s) Z4 P! W) C; H0 m$ e
因为电感的规格书其实写的很清楚,你所写的DCR是一个max值。( V) A4 o  y7 m- N' y, Y/ @
你实际工作时,电源环路不会工作在worst case状况下,电感也未必能到DCR max状况下。 5 A+ i9 o! @6 e7 i- O
通常做IR Drop主要关心的是传输导体上的压降,元件上的压降考虑的意义对于实际设计作用不大。0 }/ r+ \- p  ^, H, n2 B
所以我说了你加上PMU/电感的内阻与不加内阻没什么区别。2 Q& P. A' `- L; B
& E: v! O# X7 B7 ]

* p  I1 h, A7 Q5 w! z* K" O4 r- k

点评

原来如此啊... 因为工作的原因,本人接触到的电感仅仅是产品列表手册,从未看过电感的datasheet及相应ESR的应用情况...还需要多多学习呐  详情 回复 发表于 2015-12-30 11:04
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 楼主| 发表于 2015-12-30 11:04 | 只看该作者
cousins 发表于 2015-12-30 10:45/ g# D3 o7 }% h
你知道为什么不要考虑电感的DCR吗?
2 _3 ?  a# y+ j8 Y5 m+ ^  b$ b4 `因为电感的规格书其实写的很清楚,你所写的DCR是一个max值。" j+ @& x: n3 f( J( j, m
你实 ...

, f" u/ p% a' C9 y8 P% \原来如此啊...- [" b6 T7 u  i5 t- w& ~* Q
因为工作的原因,本人接触到的电感仅仅是产品列表手册,从未看过电感的datasheet及相应ESR的应用情况...还需要多多学习呐" _8 k- x! o% o# w
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