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标题: TI参考设计OVP电路 [打印本页]

作者: dukekuo    时间: 2015-12-8 12:30
标题: TI参考设计OVP电路
最近在TI参考设计上找到一个OVP电路,但好像有一点搞不清楚,有人可以帮忙解惑一下的吗
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未命名.png (50.29 KB, 下载次数: 3)

未命名.png

作者: fallen    时间: 2015-12-8 17:51
OVP=输出过压保护。当输出电压达到一定的时候,D1和Q3导通,从而Q2导通,关闭MOSFET
作者: dukekuo    时间: 2015-12-8 19:34
假設OVP電壓未達到, 是不是D1開路, Q3一樣導通?
作者: fallen    时间: 2015-12-9 13:52
如果没有OVP,那么Q3的导通需要Q2-B导通。
7 k2 H+ T$ i1 p4 N! V1 B& n) l# T而Q2-B的作用是为了防止不断的重启。按照本图的设计,OVP之后,Q3导通后,Q2-B也导通用于维持关闭。假设没有Q2-B,那么当OVP保护之后,会再次进入到OVP,也就是不断的重启。
作者: dukekuo    时间: 2015-12-9 14:08
感谢fallen为不才讲解, 在这里Q2-A的作用也相同于Q2-B吗
作者: fallen    时间: 2015-12-9 15:45
Q2-A的作用跟Q3一起控制PMOSFET。类似于做了个同相控制,=1的时候关闭,=0的时候打开。
作者: weihuaping118    时间: 2015-12-9 19:39
R4的存在PMOS不会导通的!
作者: cmg227    时间: 2015-12-10 15:00
这个R4 Q2A好像是画的有问题
作者: fallen    时间: 2015-12-10 15:42
weihuaping118 发表于 2015-12-9 19:397 L% d- |4 o) r/ l( ~' U
R4的存在PMOS不会导通的!
! Z' h, @+ ?( Y: F
不是不会导通,只要R4和R1的分压比VIN小于门限即可打开。别人这里设计考虑到了VGS的保护。
, @: R! X! a& G& d7 D
作者: liu19850810    时间: 2015-12-25 20:12
fallen 发表于 2015-12-8 17:51
! a) u: t+ ~0 SOVP=输出过压保护。当输出电压达到一定的时候,D1和Q3导通,从而Q2导通,关闭MOSFET

, z) Y* r1 {/ X8 ?" _7 U5 ?4 U输出端有FB端来控制电压了,是否值得再加过压保护电路?
作者: liu19850810    时间: 2015-12-25 20:20
输出是5V,输入是多少范围?
作者: fallen    时间: 2015-12-26 10:42
liu19850810 发表于 2015-12-25 20:121 h1 B3 [. S# O& `$ B
输出端有FB端来控制电压了,是否值得再加过压保护电路?

$ N* [" f+ z, _: W: K2 ~4 K是否值得,要看具体的环境,不能一概而论。比如当你的FB的电阻由于某种原因开路了或者短路了,造成不能输出期望的值的情况下,OVP就有是值得的。
, m, J+ c! E. H' o3 D
作者: airflyone    时间: 2015-12-28 17:34
OVP电路也可以用zener二极管来实现
作者: jacklee_47pn    时间: 2016-1-1 11:13
liu19850810 发表于 2015-12-25 20:20
( w/ R& X; E: `) _输出是5V,输入是多少范围?
( e& g! f8 ]: E& V
圖片上不是有寫20V MAX嗎?
( Z& B" B6 a( J$ f( c# d% N
作者: zbt_25    时间: 2016-1-7 15:48
谢谢分享~
作者: HengliangYau    时间: 2016-1-18 22:50
Q3与Q2-B形成了锁存
作者: HengliangYau    时间: 2016-3-11 13:11
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