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标题: 请教关于金手指处理方式的问题 [打印本页]

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作者: EDADQP    时间: 2015-12-7 11:58
标题: 请教关于金手指处理方式的问题
请教大家一个问题，就是关于板卡上有金手指部分的内层铜皮如何处理的问题。一般常规是全部掏空，这种方式 是否能满足任何 情况下的 应用需要。如果不掏空 是出于什么考虑。谢谢！

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作者: 菩提老树    时间: 2015-12-7 12:31

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不一定能满足所有的情况，因为厚度不一样。不掏空可能是为了省事。

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作者: EDADQP    时间: 2015-12-7 15:20

菩提老树 发表于 2015-12-7 12:31
* e' T  D1 @& _不一定能满足所有的情况，因为厚度不一样。不掏空可能是为了省事。

! b9 c2 q7 ]* D厚度问题 是不能忽略的。这个要出问题 那就太不应该了。 就是这掏空 不掏空 是纠结的关键 不掏空是否会带来什么不良问题不
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作者: 菩提老树    时间: 2015-12-7 23:44

EDADQP 发表于 2015-12-7 15:20
厚度问题 是不能忽略的。这个要出问题 那就太不应该了。 就是这掏空 不掏空 是纠结的关键 不 ...

掏是肯定的，陶不掏空就要看实际的情况。不陶的话可能有问题，阻抗不连续就是其中之一

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作者: mengzhuhao    时间: 2015-12-8 08:12
挖了就是为了阻抗匹配
大厂的板子都是这么做的吧

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作者: EDADQP    时间: 2015-12-8 10:52

mengzhuhao 发表于 2015-12-8 08:12
挖了就是为了阻抗匹配
大厂的板子都是这么做的吧

: J/ O1 W# z& d( z. [- J% O郁闷的就是  一个四层的插卡 工厂给出的意见是要求第二层掏空 保留第三层 . 目的就是控制阻抗  。领导居然采用了。

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作者: mengzhuhao    时间: 2015-12-8 18:22

EDADQP 发表于 2015-12-8 10:52
: `" w8 ?1 h- ]- z' W郁闷的就是  一个四层的插卡 工厂给出的意见是要求第二层掏空 保留第三层 . 目的就是控制阻抗  。领导居 ...

如果只有一侧有信号线的话 也可以理解为隔层参考
# E7 @9 v; c- L: w

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作者: tanghao113    时间: 2015-12-9 09:59

3 ?" |7 w( Q- u$ {. M' f) G
$ C$ O5 Y: Q  F1 _你可以从两点来看。
& |. V6 Z: q7 i# l5 f4 J# J一是边沿速率特别快的情况，这时金手指为一段宽的传输线，阻抗自然下降，只有挖空并隔层参考才能保持阻抗连续。
* j# N9 B9 [3 f# c4 a二是边沿速率不快，这时金手指就等效为一集总参数的电容，看这个电容是否超出规范要求。若超出，也要挖空参考层来减少电容效应。

: Z# g; o: `8 \( M6 q$ [, k从这两点来看，挖空的都是会比不挖空好的，至于挖多大，还跟厚度有关。具体实际情况需要HFSS或Q3D仿真。

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作者: EDADQP    时间: 2015-12-9 10:10

tanghao113 发表于 2015-12-9 09:59
) t% ~( _2 p& @1 X你可以从两点来看。
一是边沿速率特别快的情况，这时金手指为一段宽的传输线，阻抗自然下降，只有挖空并隔 ...

( ~7 @) B- m. z+ g根据第一点情况 产生一个问题， 当速率快的时候 金手指pin的部分 如同粗线。这样会导致阻抗偏低。那类似 这样情况的其它smd的插件 是否也会由于pin比较宽从而影响阻抗的大小呢.
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作者: cousins    时间: 2015-12-9 10:38
我所知道的以往的不掏空做法，是为了给旁路电容和去耦电容的较短的地路径，但是只适用于较低速率的金手指接口，此时EMI比SI要难处理。
0 I" R. E7 n/ `2 z, A高速率下都是优先净空保证阻抗连续。

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作者: EDADQP    时间: 2015-12-9 11:20
谢谢大家的讲解

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