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标题: 【咨询】关于CMOS的锁定效应 [打印本页]

作者: joy_show_wb    时间: 2015-11-12 14:27
标题: 【咨询】关于CMOS的锁定效应
8 M' `9 ]# {1 {* ], V
. T7 n# t0 h0 @" `
我想请教一下这句话。
0 v5 I% u% k8 g& Y; P$ X/ S* x看不明白,不是说CMOS是电压控制器件吗,输入是高阻吗? 还是我记错了?
  N1 |, T  v8 }8 d
作者: 卐天道卍    时间: 2015-11-12 18:07
百度上面好像有解释。。。
作者: 超級狗    时间: 2015-11-18 21:19
本帖最后由 超級狗 于 2015-11-18 22:26 编辑 , B3 _! _& b5 K, q7 p4 A- x* j

! o$ L; j' D* k; K- x2 N7 v) {. q樓主如果是問 Latch Up 的問題,有一個簡單的解釋。
% K6 d8 B$ Q  w  I
5 }- `/ J$ @% @CMOS 有電的時候才會是高阻抗,沒電的時候只是堆 pn Junction 的組合,說穿了就是一堆二極管罷了。
, w- w; F8 [2 L) s% I! V; D& g" @2 [/ x9 E) ^% P

作者: 超級狗    时间: 2015-11-18 22:25
一篇解釋 CMOS Latch Up 最淺顯易懂的文章!
) |. C5 s) K" N" n/ w% n7 E0 D" Z$ ?. A% A: e3 \

14105c.pdf

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作者: joy_show_wb    时间: 2015-11-19 09:24
超級狗 发表于 2015-11-18 22:25/ ?5 T. b( g$ I) E1 w) v" ~/ L
一篇解釋 CMOS Latch Up 最淺顯易懂的文章!

- h, X- j% \7 T: ^多谢版主大大的狗粮
作者: 古未欲雪    时间: 2015-11-19 09:58
啥叫内部电流,应该不是DS之间的电流把?6 `5 j8 y& k. E  a

作者: 谷水    时间: 2015-11-23 09:45
这个其实是栓锁效应,即latch-up,造成该故障的主要原因是其工艺制造特点造成,使得P源级等效的晶体管与NP源级等效的晶体管、阱电阻、衬底电阻共同组成了正反馈放大电路,导致电流越来越大,如此时继续工作,管子温度升高、损坏芯片。6 x) Y  C% h% d5 V$ G& i3 B

作者: 终南孤魂    时间: 2017-4-11 00:44
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