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标题: MOS管里面的保护二极管和普通的肖特基二极管有什么区别？ [打印本页]
作者: a2418089    时间: 2015-9-19 16:06
标题: MOS管里面的保护二极管和普通的肖特基二极管有什么区别？
我用MOS管里面的保护二极管反向过一个电池电压，为什么降的电压几乎没有，而用肖特基二极管不管电流多大都会有0.3V左右压降？请各位高手指教一下。谢谢
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作者: fallen    时间: 2015-9-21 10:29
"我用MOS管里面的保护二极管反向过一个电池电压"这个能具体点么，有点看不懂，如果有图的话，那就更好了。
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作者: 超級狗    时间: 2015-9-21 16:10
本帖最后由 超級狗 于 2015-9-21 16:12 编辑
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MOSFET with Schottky Diode.jpg (33.77 KB, 下载次数: 0)

MOSFET with Schottky Diode.jpg

NTLJF3117P-D.pdf

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作者: jacky_shen    时间: 2015-9-23 16:44
多谢分享
作者: a2418089    时间: 2015-9-23 16:49
超級狗 发表于 2015-9-21 16:10MOS 管中的體二極管（Body Diode），芯片資料中若沒有特別註明，就是一般的二極管（課本常說順向會有  ...
. r; }" R( E) m
谢谢版主了，我刚才测试了一下，在PMOS管栅极接高电平的时候，测Vds为0.6V左右，在PMOS管不接高电平的时候Vds为0V。我这边需电池电压过一个二极管但是不降压，在PMOS管栅极悬空时，用PMOS管的体二极管可以吗？* M7 k1 f. e( e) w
作者: a2418089    时间: 2015-9-23 16:53
a2418089 发表于 2015-9-23 16:492 q* T5 m5 ]/ [+ X1 b
谢谢版主了，我刚才测试了一下，在PMOS管栅极接高电平的时候，测Vds为0.6V左右，在PMOS管不接高电平的时 ...

9 S0 N# g; l: C这是原理图9 i$ {$ u/ V6 {0 Q4 A2 a

2007711132529568_2.jpg (33.37 KB, 下载次数: 1)

2007711132529568_2.jpg
作者: 超級狗    时间: 2015-9-23 17:26
本帖最后由 超級狗 于 2015-9-23 21:34 编辑
  ]) W* h( W. X- C* U4 l0 v* b- O% V1 v- N
批莫死（PMOS）閘極（Gate）懸空（Floating）一般為低電平，莫死（MOS）管是導通的狀態。
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- `$ R! ?$ i9 C) W2 m" a) T% A輸入管腳電路設計上都不建議懸空（Floating），因為容易受到雜訊干擾，而產生錯誤的狀態，上拉或下拉電阻是必需的。
2 o; x8 O  s$ G) V; z* a' L
2 B- y4 S; Q$ {9 R2 V9 F凡是二極管都會有壓降，不管是哪種二極管；即便是莫死（MOS）導通，也會有導通電阻（R[sub]DS(ON) [/sub]）這回事。有人並聯一個肖特基二極管（Schottky Diode），以減少體二極管（Body Diode）的影響，這是最簡單的作法。* R8 y- Q, `; U9 Z

- C4 M7 a5 C2 J看過踢哀（TI）某些充電芯片的作法，是用兩個批莫死（PMOS）管，分別管制兩個方向的電流。但成本會較高，電路也會稍微複雜些。
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作者: 超級狗    时间: 2015-9-23 17:32
本帖最后由 超級狗 于 2015-9-23 17:35 编辑 & G; \) W, X6 l) w/ l, f

7 S* u' Q) V0 s6 Z6 hBGATE Pin Description
6 d' B  P' M9 I- Q) T+ G; P2 DExternal Discharge MOSFET Gate Connection – BGATE drives an external P-Channel MOSFET to provide a very low-resistance discharge path. Connect BGATE to the gate of the external MOSFET. BGATE is low during high impedance mode and when no input is connected.
& r  n$ u" B# W  H  U4 B8 X: @3 B" I# J) r; N
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; C( I( {: d" O) D) r# D' ~

bq24161 BGATE.jpg (61.72 KB, 下载次数: 0)

bq24161 BGATE.jpg
作者: 超級狗    时间: 2015-9-23 17:42
前爛公司某個爛機種，並聯肖特基二極管（Schottky Diode）的作法！
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Battery Charging MOSFET.jpg
作者: lfc1203    时间: 2015-9-23 17:44
超級狗 发表于 2015-9-23 17:26
& F$ C  y. t( X9 i9 ]批莫死（PMOS）閘極（Gate）懸空（Floating）一般為低電平，莫死（MOS）管是導通的狀態。6 s8 t* u' W/ w! H* A9 P1 ~; y

* x- S3 X# P+ n: a, {# l- j輸入管腳電路 ...
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上拉电阻一般选择多少，电阻太大时用示波器测量发现上升时间变长，" }. y4 o( d5 q& D5 N
作者: a2418089    时间: 2015-9-24 08:46
超級狗 发表于 2015-9-23 17:26
% e! d  p1 I3 L/ P7 C$ V( F) J: t批莫死（PMOS）閘極（Gate）懸空（Floating）一般為低電平，莫死（MOS）管是導通的狀態。
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' B2 o0 w9 ~+ ]8 [+ m' {9 |. U輸入管腳電路 ...

& h/ ~: j" W( G1 q栅极悬空是存在杂波容易干扰的问题，再次感谢版主的解惑了。3 b# b5 ~: w+ V
作者: 超級狗    时间: 2015-9-25 15:05
lfc1203 发表于 2015-9-23 17:44
4 ?/ N5 J$ Y5 F( w0 d! q/ @. h上拉电阻一般选择多少，电阻太大时用示波器测量发现上升时间变长，
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因為小弟大部分的應用是沒電時要導通，所以 PMOS + Pull-Down 的設計較多。
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4 p* o$ q9 _% q樓主講的問題沒有完整電路也不好判斷，MOS 管三個管腳間本來就會有寄生電容，您的問題是否純粹是寄生電容引起的，還要仔細分析才能確認。1 ]+ }) s/ y2 H, Q" @

" A& U+ U% k5 f但好奇的是，這樣的經驗曾經引起什麼樣的問題？
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作者: cedzbj    时间: 2015-9-29 22:49
超级狗真的是个硬件神仙



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