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标题:
tDS&tDH base 的选择问题
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作者:
mosquito_long
时间:
2015-7-15 22:05
标题:
tDS&tDH base 的选择问题
tDS&tDH base 的选择跟一个指标ACXXXmV，例如AC175，AC150，AC135,
- a6 }2 o& [* y- S( M, g
这些指标如何选择？
, P: {3 x! n: A [$ d9 T' \- F: j& i
有问过做内存的厂商，他说一般取AC175,具体也不知道为什么
" l7 I+ u( t2 f7 H+ {6 t
作者:
终南孤魂
时间:
2015-7-15 23:03
我也想知道
作者:
菩提老树
时间:
2015-7-16 00:18
AC175的要求是最严格的，如果能过，那么就没有任何问题
作者:
cousins
时间:
2015-7-16 08:50
依照带宽来选择，若你不跑颗粒的最高带宽不需要那么高的要求。参考规格书。
作者:
Tigra8369
时间:
2015-7-17 11:47
以下所述，参考参考...
6 v1 `! B. y& G
根据经验，参考规格书。
( M7 `8 x# j; ]( z N& w
这里所述之规格书是按照作动方式(向)而定。
2 L& r R- {' \+ z
例如Data-Bus/Write时，讯号由控制晶片传到DRAM端，此时按照DRAM的规格
% ?1 t; r* Q% ^* w& |
并决定AC/DC levels。如此，计算接收情况是否符合规格(软体会计算tDS/tDH馀裕)。
* `3 T% a+ M$ @- x. ^1 }0 `
反之亦然，在Read时，计算接收端(控制晶片)的接收情况，使用控制晶片接收时的规格
4 Z' }8 d6 c3 E: u4 S) Y
(tDS/tDH)。
: B, @; c9 {+ U3 ?
只是，在一般状况下，厂商通常回覆按照Jedec规格，所以，Write/Read的tDS/tDH就变成一样了。
1 O8 e7 S5 r. d7 O0 R$ Y
所以，问清楚所使用的规格来设计与仿真，过与不过，皆有一定的准则判断。
作者:
seulove
时间:
2015-9-7 22:38
这个和眼图测量有关
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