电源完整性之阻抗问题

ares0260

请问各位大神，在做电源完整性是，别人提供给我一份由siwave导出的snp文件。
我把文件导入了ansoft designer，想问一下，如何看它的电源阻抗？
' _6 r$ m% y5 A2 j4 I是看两个port之间即Z21还是Z11。
6 L8 ?6 T5 \- B1 p6 [  v谢谢各位！

; B* q! |( P% c+ Q4 B: c

cousins

PDN可以只有一个端口，单端口就只关心1MHz以上的回路阻抗。是不上电状态PDN。
8 G9 z3 h3 z7 W: \/ y: s两个或者两个以上端口，有两种处理方式：
* P  I4 T$ H7 l1 P6 w# r( @1.电压源处加VRM，简单的模型就是0.01ohms以下电阻或者直接短路。这是模拟系统上电状态的PDN
2.加归一化的端口，这是模拟系统不上电状态PDN
- a0 w+ B3 s; c& a' D! I
, k4 h5 }/ ?" Z5 }! C0 d% V& J6 @

cousins

Z11

菩提老树

从一个port看过去就可以啦，所以看Z11即可

qingdalj

回去看看理论吧

ares0260

菩提老树 发表于 2015-7-13 23:42
- p( H4 q2 u  k% a从一个port看过去就可以啦，所以看Z11即可

+ A! ]9 P' `3 ]; i0 B9 `* KZ11是在其他端口open的情况下看去的输入阻抗，也就是自身的自阻抗。
8 V! g) Q+ S- D( z4 I! H4 b7 {在port1上加去耦电容是可以的，Z11会减小。这是没有问题的。
* o' i; }: E) W" R% }那我在另一个端口（如port2）加一个接地电容，但Z11却不变。
9 z; T, t& L# i我觉得根据输入阻抗计算公式，在第二种情况下，z11应该是有所变化的？
. ]9 T: n) E6 W2 a能劳驾解释一下吗？但实际却不是。
" H8 y8 ]7 J+ ~. ~8 |/ z4 Z, l

ares0260

qingdalj 发表于 2015-7-14 08:39
回去看看理论吧

能推荐一下资料吗？
1 l% n5 Y& P% \这些对于你们来说确实简单了些！
$ V/ I3 f/ G2 c0 Z  b6 X3 G

cousins

ares0260 发表于 2015-7-14 11:12
能推荐一下资料吗？
, F) y) ]$ m) p+ d: g; _$ s这些对于你们来说确实简单了些！

  @7 @1 p, d- C$ {<Power Integrity Modeling and Design for Semiconductors and Systems  >
& T, |' x0 u& j( `7 m* e% n+ Cwritten by Madhavan Swaminathan   A.Ege Engin

ares0260

cousins 发表于 2015-7-13 16:42
7 r! Y( F3 P( M7 P/ J7 k0 LZ11

6 _$ [6 p0 ?0 c请问为什么是Z11，默认的PDN至少有两个端口，在对SNP格式的文件进行仿真时，对另外一个端口怎么处理？
谢谢！
+ r# W: M9 i7 c1 C7 f& a

ares0260

cousins 发表于 2015-7-13 16:10
" U% M: w" e( H6 M6 ]; _PDN可以只有一个端口，单端口就只关心1MHz以上的回路阻抗。是不上电状态PDN。
两个或者两个以上端口，有两 ...

9 G# p/ h: i# {4 j' v我尝试了这两种方法：
% `1 k: k6 w  N! u+ d1）只用一个端口PORT1，另外的VRM端接地
2）用两个端口PORT1和port2，另外的VRM对应的port2的归一化阻抗为0.
得到的结果是一样的。其实不都相当于模拟电源内阻的情况吗？

, y2 f. d' _* i; `. X8 }$ @

cousins

ares0260 发表于 2015-7-16 09:05
7 ^- K  T0 J- u- a+ H$ k. r3 g我尝试了这两种方法：
1）只用一个端口PORT1，另外的VRM端接地
2）用两个端口PORT1和port2，另外的VRM ...

6 u" e( s4 y( m* n. i& d归一化阻抗应该设置为50ohms或者0.1ohms以下，不能设为0.
) c3 g/ @" @6 A# B% l0ohms怎么归一？  

& K. X7 E; ?+ R% p. x$ j归一是要用Z/Zref的...
结果是不会完全一样的，在1MHz以上的结果是基本一致的。
有vrm的在1MHz以下的Z11扫频对数结果为接近于一条直线，值很小。
: |+ ?  ]- G( [  ?" d, h  Q无vrm的在1MHz以下的Z11扫频对数结果为从无穷大线性减小到一个很小的值，这个很小的值是靠近第一次出现电容谐振的位置。
记住以对数（log scale）的方式查看Z11。
+ L2 Q5 _2 A# E2 C# Y) h6 k- i: X

ares0260

cousins 发表于 2015-7-16 09:31
6 h2 k& e/ }% F- w7 l9 Q4 U归一化阻抗应该设置为50ohms或者0.1ohms以下，不能设为0.
0ohms怎么归一？  

8 S8 o; W! l) ~; ^Hi Conusins，
1 p# K- d/ G* ^0 K4 B$ ]请教您一个问题。
/ `. T  e# ]: a2 T' e3 N7 L枣做电源完整性的时候，会生成一个SNP文件。
放到ansoft designer中去，做它的时域瞬态响应分析。
, [  ?+ ^# w- ]因为以前没有接触过PI，真的不知该如何下手。
/ v" ?( b& w- I5 H# l望您能指点一二。
一般情况下，会给它一个阶跃信号（0 to 1.2v）测得芯片输入端的电压即可。
' [3 T1 U- d5 R% L- j但是参考的图中却没有看到对应的芯片（dut），这样对吗？

cousins

你要给的不是阶跃信号，是带交流分量的直流，交流分量为纹波。
这个架构是对的，如果要仿真芯片接受的信号，就要加入封装参数。但如果对比板级测试的话，你测试点是加不到封装内的。只要加到pin上就可以了。

ares0260

. F" K9 s: S3 U0 E

cousins 发表于 2015-7-22 17:23
你要给的不是阶跃信号，是带交流分量的直流，交流分量为纹波。
这个架构是对的，如果要仿真芯片接受的信号 ...

如何体现纹波的频率呢？
能劳驾你给一个电路模型参考一下吗？或者一个小例子。
拜谢！！！
下图是从别人哪里看到的结果，纹波应该是0.04V，可是我总是做不出来。
可能是我了解的信息不全。我也把电路模型发给你了，你帮忙看看。
非常感谢！！！

shark4685

提取平面的s参数即可。