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标题: 上电冲击电流的抑制 [打印本页]
作者: 光辉 时间: 2015-6-15 11:21
标题: 上电冲击电流的抑制
电路简图如附件中的图1,使用NMOS实现电子开关的功能,通过控制G极电压来实现输出电压的开启与关断。后级不接容性负载时,就没有上电冲击电流,后级接容性负载时,就有很严重的冲击电流。
为了抑制上电冲击电流,使用PWM脉冲来控制G极电压,使其缓慢上升,大概有25ms的爬坡时间。
问题是:上电时,电压的爬坡过程很好,平稳上升,但是还是在上电瞬间存在冲击电流。测试波形如附件中的图2,黄色的是电压上升的波形,蓝色的是电流波形。带3A的容性负载,上电瞬间的冲击电流达5.92A。
请问各位大神,有什么方法可以抑制或者消除这个上电冲击电流,使上电时电流也平稳上升,没有瞬间的冲击?
7 `6 }4 Z3 V- x1 |8 M5 ~
谢谢!
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4 Z' d! t u: b- m) h
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上电冲击电流.png
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作者: fallen 时间: 2015-6-15 11:34
串联电感
作者: 光辉 时间: 2015-6-15 14:46
! `& H |: Q. E' ?, z! r7 q
在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。5 u4 K1 P+ p1 f* M ~ L
作者: cmg227 时间: 2015-6-15 16:31
为什么是N管呢,你确定能完全打开?
作者: 光辉 时间: 2015-6-15 17:20
; t( ^, @8 _* @. b" lG极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。
$ N' n: h5 y0 _! v) j) i+ y0 t" _; @$ ^之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。
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2 l( E5 v' O! ]1 D Q2 O
作者: cmg227 时间: 2015-6-15 17:22
光辉 发表于 2015-6-15 17:20
b$ O; ~; @& p: ]/ jG极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。
" [9 d9 y9 `% {1 y! }之所以选择NOMS,而不 ...
+ S, ~% A, d7 ^2 F. a; C
哦 又学了一点呢 谢谢5 f0 u9 E f; @, _0 @0 _
作者: fallen 时间: 2015-6-16 09:55
* ~ a) V9 j1 x/ {8 h串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。
2 L, b+ C# a3 G7 R, N6 p" z! {你再找高手问问吧。2 H- O0 d+ A0 G8 O* X J
作者: seawolf1939 时间: 2015-6-16 17:48
你带容性负载当然有冲击电流啦,电容电压不能突变,电流能突变0 h: j+ h: G6 @7 I" `5 f+ q
3 X0 B: a5 [$ K. y( B不怕功耗浪费可以考虑串个大功率小电阻5 X. Q6 _* j% T
作者: weihuaping118 时间: 2015-6-16 20:49
延迟打开试试
作者: mayafeng 时间: 2015-6-18 13:53
你这个电路感觉像一个BOOST电路了,你看看bost电路的电感电容的配置
作者: Head4psi 时间: 2015-6-18 17:02
#8 is good answer.
) r( N# z& d/ c9 ^, [6 \+ qSurge current is due to the capacitor load be charged at MOS turn on edge.
# }2 |" [2 s: qA resistor limits the surge current peak but consume power at ON stage.
作者: myl593799546 时间: 2015-6-19 20:59
. ]( s/ F3 X7 }) w3 X
冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过
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作者: myl593799546 时间: 2015-6-19 20:59
楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适
作者: fallen 时间: 2015-6-20 12:52
" M4 t _& Z& N
恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。
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9 p [* F# K2 X# {) Q d% ?
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作者: fallen 时间: 2015-6-20 12:53
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不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。9 }* e4 ^0 w" M: b$ h. G
作者: myl593799546 时间: 2015-6-20 18:06
6 K0 M. |& y$ r
容性负载,这个冲击能消除?
作者: fallen 时间: 2015-6-23 00:29
1 D5 T0 R9 t8 v# F3 U能否消除,不一定,至少可以减少一些。
5 Q( k& P- @+ d* \" K3 y比如软启动,PFC或者串电感都可以。, x7 ]; F( G) o& u0 | K: D/ J8 p/ L
作者: 斯坦隆平 时间: 2015-6-23 08:34
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作者: 斯坦隆平 时间: 2015-6-23 08:34
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作者: 斯坦隆平 时间: 2015-6-23 08:37
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作者: 光辉 时间: 2015-6-23 09:56
7 N8 A# [4 p/ l k! a' y电路本来就带有缓启动,G极控制信号是采用PWM来控制的,有20多个ms的爬坡时间。
" E( Q1 H" D! D n4 d6 J" t- b电路的后级通过连接器直接输出,挂的是液晶屏LED模组,这种LED模组本来就是容性的,所以就会导致上电时的冲击电流。现在我们就要抑制这个冲击电流。
8 M9 u( c8 \5 N: e& D这个电路后级接阻性负载,是没有冲击电流的,这个已经测试验证过。
m& ]2 z6 `. s. m后面串一个电感,这个冲击电流也没有减小优化,基本上没有改善效果。
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作者: CStaller 时间: 2015-6-24 14:06
光辉 发表于 2015-6-23 09:56
2 n0 X7 @9 h# M. u( i电路本来就带有缓启动,G极控制信号是采用PWM来控制的,有20多个ms的爬坡时间。
+ Y, y0 \. p3 D; A' m4 H电路的后级通过连接器直 ...
" }) \5 \: U2 T$ ?估计你加电感太小了,要仔细看电感参数,不要饱和了8 T8 b8 M- S8 z0 ^) ]# [) R
作者: 斯坦隆平 时间: 2015-6-26 08:41
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作者: 光辉 时间: 2015-6-26 11:22
: R+ B6 U% ]6 t6 F有影响,电路要求有电流检测和过流保护功能,上电时的冲击电流,会导致电路误保护和过流告警。
$ F& H, c% J, ?/ P& j
作者: 光辉 时间: 2015-6-26 11:23
: U' m, e( V/ a! l; Y那应该怎么选择电感呢?一般需要选择多大的电感?3 e8 Z1 ?- Q# J9 a3 b' z
受单板空间的限制,电感的体积不能太大。
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作者: CStaller 时间: 2015-6-26 18:36
光辉 发表于 2015-6-26 11:23
" ], x. s5 u: v7 O; f( t4 ^那应该怎么选择电感呢?一般需要选择多大的电感?
& [; j1 G' G0 `! Z0 A" c/ B5 T受单板空间的限制,电感的体积不能太大。
$ Z4 u. [+ I# d7 j我估计至少mH级的,额定5A电流左右,体积不会小。。。
, [8 k; ]5 G& a9 B' b. c1 k具体参数可以仿真一下,或者试一下# _+ H) T8 U" Z* D
作者: 中臣 时间: 2015-6-30 15:38
串聯電感是最好的選擇,但是要試驗感值大小。 buck電路就是利用電感限流;
作者: 光辉 时间: 2015-7-1 11:15
& e1 f2 G; F; ]使用一个2000uH/1A的电感测试过,确实对冲击电流有很大抑制作用,但是同时也有2个问题:1、电感体积过大。测试用的2000uH/1A电感体积就已经过大了,如果要选择2000uH/4A左右的电感,那么体积就更大了,不可接受。6 d* K4 `! f0 J
2、电感直流阻抗过大。2000uH/4A左右的电感,直流阻抗RDC可达几个Ω,导致输出压降太大,也不能接受。
3 D O {' G/ _5 Y- b所以,在我们的电路中,使用电感来抑制冲击电流的方案行不通,只能另辟蹊径了。
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作者: 高荣forever 时间: 2015-7-13 11:12
在管子两端并联一个电阻,较合适的电阻规格500ohm/5w;这样可以避免你说的问题;或者可以加个限流支路,限制无功充电电流。
作者: flywinder 时间: 2015-7-13 11:22
在NMOS前面串电感试试
作者: jiangzhb 时间: 2015-7-20 17:20
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作者: seawolf1939 时间: 2015-7-21 22:29
串电感呗
作者: zgq800712 时间: 2015-8-15 20:09
上次用稳压电源测的,一个220uF的电容上电冲击电流最大多到了40/50A,不过我用的是48V转15V电路,前面接了个50欧的2512电阻。 也有48V的并联电容不多他上电冲击抑制。
作者: wangshilei 时间: 2015-8-17 14:33
PTC 电阻来解决
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