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标题: 徐老师，请教您关于您书上混频器的讲解 [打印本页]

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作者: 煮酒fu    时间: 2015-6-3 14:20
标题: 徐老师，请教您关于您书上混频器的讲解

" P4 L2 Y* U: K; y9 ~

图上是您设计的镜像抑制混频器，讲解的十分的通俗易懂，我想着仿照书上所讲的制作一个混频器。
5 j) F# G6 p% t- s7 I. U
我想制作的这个混频器主要是把2.4G左右的信号奖品到中频，首先对2.4G的射频信号存在疑惑，
* q. b% X5 {/ Q, C5 W问题一，常见的2.4G信号，它的中频频率是多少？ 我在网上搜索了一下，并没有搜索到。
* S/ Y9 v" {! `: ~" A$ x问题二，我打算制作的混频器射频信号的频率2.45G，本振频率2.4，这样我便能用示波器观测到中频带宽50M的信号。
# J4 W. [3 |- c5 ~$ T: h但是，如果我用该混频器射频信号接入2.48G或者2.43G，该变频器是否还能有效的将2.48G或者2.43G变频到中频，据我猜测是可以的，但是会影响该变频器的增益，是这样么？
7 Z9 {" g% ?2 q2 j. E
问题三，  ROGERS的板材是比较贵的，所以我想用fr-4的板材来设计混频器。但是对下图中的MUSB中的参数不是很清楚。
4 Z. j+ N3 P! Z$ ~$ j
/ }2 j/ s/ E. x. ^7 ^- ^) }/ x
: @, s. n5 Y% V' N' V; b
$ u$ [+ @5 d  wH = 板材的厚度                这个我打算换成fr-4   1mm
5 s  L4 h0 r) q( K4 B$ }6 BEr  = 板材的介电常数       这个我打算换成4.2
Mur = 1                            这个参数不清楚什么意思？
+ D( I2 n! Z: w' xcond=1.0E+50                这个参数不清楚什么意思？
Hu = 1.0e+0.33              这个参数不清楚什么意思？
T                                     铜厚度，这个清楚
6 K2 o; h* Q. T' Y$ WTanD= 0.0037                这个是铜箔上下厚度不一形成的的角度么？
以上是我的问题，麻烦看到后给解答下，非常感谢。

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2015-6-3 13:46 上传

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作者: Xuxingfu    时间: 2015-6-3 14:31
1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
2.对的
3.频率很近，影响不大
4.可以
5 p7 l' b! c' p3 M+ r( |5.书的前面章节有对这个几个参数介绍，MUR磁导率=1 cond电导率 TanD=0.02是FR4损耗正切

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作者: 煮酒fu    时间: 2015-6-3 14:42

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
2.对的
3.频率很近，影响不大

谢谢，徐老师。对于书籍我暂时没有完全读一遍，后面会补上。
. k4 ^' I# v" p* @9 _在用fr-4的设计中，mur cond hu这三个参数是否不变，但是需要将Tand改为0.02？

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作者: 煮酒fu    时间: 2015-6-3 14:49

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
' l8 y  J. M/ C: l3 T9 d9 }1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
4 N0 b' q0 L; B; g2.对的
3.频率很近，影响不大

已经在书中找到了这些参数，我想这些参数我应该和PCB厂家沟通下，向他们索要这些参数吧。？

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作者: 煮酒fu    时间: 2015-6-3 15:47

Xuxingfu 发表于 2015-6-3 14:31
$ w4 K9 J7 K1 q9 ^+ F% K- E/ }1.目前很多2.4G都是零中频方案，本振=外来频率
0 C. J8 l+ m. r3 f1 q9 ]& I2.对的
3.频率很近，影响不大

) M& g* _5 K" W# G! f( h对于基板高度H，我很疑惑的是，双层版与多层板对混频器有影响么，徐老师？

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