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标题: Q 求助MOS管充电原理 [打印本页]
作者: tianpu0501    时间: 2015-5-29 12:09
标题: Q 求助MOS管充电原理
求助MOS管充电原理% j' Q6 s/ w! K* o9 ?3 |2 y7 Z' H

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Catch.jpg
作者: jacklee_47pn    时间: 2015-5-29 18:36
Q2+Q3 背對背接法是防止反向漏電
2 \0 n  m# G0 O! w2 `; f: t' E
2 D& d+ }# y' o" C, ~當DC_IN有電的時候 Q2+Q3 導通，Q4 關閉。4 }8 X6 ]9 J* [6 S0 L. f& g( [
當DC_IN消失的時候，Q4導通，Q2+Q3 關閉。
作者: tianpu0501    时间: 2015-6-2 13:59
jacklee_47pn 发表于 2015-5-29 18:36
& y. T& w5 u7 ^, R7 m3 H+ bQ2+Q3 背對背接法是防止反向漏電! I. m! K! {8 t4 }, S/ ?+ M
% p3 ]; n/ t- \- W- \) ^* A2 L, A
當DC_IN有電的時候 Q2+Q3 導通，Q4 關閉。
5 H8 s) x! |7 f, t
Q2+Q3同时怎么个原理能同时导通，P MOS管 G<S才能导通两个S级连在一起，电流怎么流的？3 E1 k2 p* |6 U5 j+ [) |
作者: jacklee_47pn    时间: 2015-6-2 15:34
tianpu0501 发表于 2015-6-2 13:59) e1 j8 B2 J9 B( q4 K" ^
Q2+Q3同时怎么个原理能同时导通，P MOS管 G
3 b9 M" w5 I) z, @! ^) `
增強型的金氧半場效電晶體（EnhancementMOS）也有四隻腳，理論上D與S是可以互換的。但是在實際製作過程會產生寄生二極管，造成使用上有單方向漏電(或說是保護MOS管)。

& ]- }6 i! x( s' \  D+ |' M
當交換D和S的時候，在設定MOS管偏為壓導通的狀況下，Rds(ON)壓降會遠小於寄生二極管VF。在MOS管偏壓為截止的狀況下，會有漏電的存在(VF壓差) 。
3 B0 E$ {, d; k4 D
作者: tianpu0501    时间: 2015-6-2 18:12
jacklee_47pn 发表于 2015-6-2 15:34
5 Y, m3 ?9 v2 A1 P- |& v增強型的金氧半場效電晶體（EnhancementMOS）也有四隻腳，理論上D與S是可以互換的。但是在實際製作過程會 ...

$ `0 ?5 P( u7 q( r非常感谢！说得很详细。
2 m1 l. ~$ [% N& |/ v. Y8 c( c
作者: liangkai520    时间: 2015-6-3 08:36
Q1呢



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