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标题: DDR4详解....各种技术参数 [打印本页]
作者: shark4685    时间: 2015-4-13 14:29
标题: DDR4详解....各种技术参数
第二波，DDR4详解....各种技术参数 ，有没有人顶！3 Q% w2 O" y7 k( @7 E$ X: E
作者: shark4685    时间: 2015-4-13 14:37
NO1：查背景
% V8 \# P! ]7 |3 _7 i# E
9 a$ a+ [2 L' q1 h" Q' o  t第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器
4 K( C5 n3 z2 F# p; u1 P. z3 x" W3 t8 i- u+ G& r3 m  ?
（英文：Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory，简称为DDR4 SDRAM），
$ T# |1 A, p7 t7 P+ F( i" y0 G, t, a6 p; a
是一种高带宽的电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品，是自1970年DRAM开始使用以来，7 ~4 _0 i0 L8 M, y+ Y. P" l+ l: O

) S: ^2 z) ~  L- a8 t现时最新的存储器规格，旨在全面取代旧有的存储器规格.5 c1 t, O- f5 |# ]% z
作者: wsn2010    时间: 2015-4-13 14:53
顶！
作者: dzkcool    时间: 2015-4-13 16:18
必须顶
作者: cousins    时间: 2015-4-13 16:20
这个要顶，DDR4要学习下。
作者: dainy    时间: 2015-4-13 21:07
支持
作者: 菩提老树    时间: 2015-4-13 23:11
老板，这DDR4的参数非常多呀，比如POD电压，电压比以前更低，仅仅只有1.2V，后续发展会更低；DDR4增加了一组VPP电源；电源实现了动态管理，功耗更低；信号速率更高啦，达到了3.2Gbps，后续会有6.4Gbps；比如prefetch的周期，比如RTT变得更加的多咯，有34,40,48,60,80,120,240；比如增加了DBI信号；比如DDR4的仿真，会比以前简单一些啦；。。。。。。省略1W字
作者: shark4685    时间: 2015-4-14 08:57
菩提老树 发表于 2015-4-13 23:11
& V; k; b. M0 |; T3 r3 M& V老板，这DDR4的参数非常多呀，比如POD电压，电压比以前更低，仅仅只有1.2V，后续发展会更低；DDR4增加了一 ...
% K9 y) d( V  e& m
准备慢慢写。
9 K. o* U! M! i' u
作者: nishiyufrank    时间: 2015-4-14 09:16
恳请赐教
作者: JOBS    时间: 2015-4-14 11:02
楼主的DDR4来啦！！顶楼主。加油！
作者: 啤酒花    时间: 2015-4-14 11:12
楼主 不要停啊 不要停
作者: Xuxingfu    时间: 2015-4-14 11:45
科普贴，盖楼。。
作者: shark4685    时间: 2015-4-14 15:51
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-14 15:54 编辑
- c$ i! s. C! x9 k7 i  [" J% L+ F. y8 w) d4 A
NO 2 处理器的升级! x( ?& Q/ k0 j/ t. l
# x$ O  P. d9 j- R; A

: g( r0 f; F' @' z; }9 P9 e        i7 Haswell-E架构图解( Z" ^. ]- a7 a- I
  每次内存升级换代时，必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，
3 |( S5 w( S: q3 U
# h& L% d8 f$ c' _5 {/ [DDR4内存频率原生支持2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始频率有不小的提升。Haswell-E
! p+ Z# ?( i# Z* G9 Q* r" {6 `% [1 y! i0 _+ `: R: G
作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，: o8 {- c* b0 o$ C$ u9 X. o
9 ~5 _/ b& D+ X0 t0 T
并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。
! T  J4 G( z, x; L3 ]- C
0 _* y( N" N5 @  q- h* S  E. J+ O& X5 R4 \$ |- L5 u, [+ g& H" C; Q
作者: willyeing    时间: 2015-4-14 15:53
顶顶顶版主
作者: shark4685    时间: 2015-4-15 09:34
NO 3 DDR4 的速率
! a* x5 M' K" k
8 b5 t: M+ _3 |8 u' aDDR4-1600 MT/s% \" ~1 c( c& t" ^4 }1 J8 B
DDR4-1866 MT/s
7 M+ W( h1 S$ C- ~. \7 K! yDDR4-2133 MT/s% F# R6 E! E: \/ j# E3 O
DDR4-2400 MT/s/ a- w( b; L8 d8 J2 q
DDR4-2666 MT/s6 @8 e; `7 T1 B9 k8 i. f
DDR4-3200 MT/s8 x, K/ H4 n2 V" g
5 ]/ J; z" ]% N( z
科学点以后都用MT/s的单位了。拿常见的
7 a3 b4 m& e* E# \# ODDR4-2133 来说，每根数据信号线，现在每秒传输的数据约为2.133 Gbps，
+ U4 R* q$ p' x# H6 `换算成常见的带宽是266MB/s,DQS,CLK的频率就到1.3Ghz! ^9 F# E' _0 z1 n9 A" M
4 P; N$ D: G! k# s. D
作者: 红孩儿    时间: 2015-4-15 09:51
刚学完DDR3，现在来学DDR4啦，楼主加油。
作者: jj9981    时间: 2015-4-15 14:25
楼主真是个好淫
作者: shark4685    时间: 2015-4-16 14:04
NO 4 DDR4 封装0 j+ a% G* c) ?
* ^$ p) G0 `5 F6 M  O  L
* Q! ?' i& f$ s2 N5 e
DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。
6 _' I3 d3 `  {3 }  ~% @! W举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB，共16颗)，而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。
  O, p$ {: \8 W* E, u3 `* d" D9 S; M1 {! ^9 Y/ \
: D- `, e5 s6 P5 ?

' v- r) |3 K4 u- h               3DS堆叠封装技术
- i# c' l- w- D1 i" [+ \- n4 @& v* p% w  }( g$ I
" I1 S' n6 X2 ]8 V6 ^! g! s  D

1 m* v" Z9 I- P7 J1 v, |/ [# R9 p+ a0 e7 G3 D& i; u

9 b" V/ p+ g8 d$ m6 Q" b" ?7 q( k$ e
4 b$ z( e3 x: n2 N3 _4 i5 J6 S

) z2 y( ?3 z8 ]7 p0 G# C5 t
作者: shark4685    时间: 2015-4-16 14:11
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-16 14:14 编辑 4 N$ r3 {3 @. ?* V0 B  g
( R8 |7 q6 f/ I5 B4 J
NO5 DDR4 内存条分类及外形/ k0 f! t7 {% A$ P8 q

9 w" Z1 K0 w7 K( z+ b
3 {( N! H4 U/ v7 l& _, W1 o4 Z) J 2 F3 S6 x' g0 d" t- Y
2 u7 m$ j& E. A/ l: V2 o
DDR4内存金手指变的弯曲了，并没有沿着直线设计，这究竟是为什么呢？

; H! R$ S$ \# f$ c
一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。
) i( c: q: B9 }9 x( s
但本版主认为：其实是为了更好的信号完整性
  B- A* r4 F% y
　　接口位置同时也发生了改变，金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。

& c" z! l2 b2 q
                        流线型金手指
# {2 _' N/ G7 k$ u1 X0 x
                           DDR3 & 4
/ k8 B2 p. S5 K
作者: JOBS    时间: 2015-4-16 14:34
shark4685 发表于 2015-4-16 14:11

8 [$ I( \( ?$ v# {8 L  b0 x! {给楼主加油，膜拜楼主。。。4 m5 C" H4 j" g
作者: cool001    时间: 2015-4-16 14:44
好贴，很赞
作者: pjh02032121    时间: 2015-4-16 14:52
楼主坚持、坚持、再坚持啊
作者: shark4685    时间: 2015-4-17 10:23
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑
/ ^" ?! N8 \! o/ W9 f1 Z. j0 t
" e5 W1 P' y1 F9 ?! \NO 6 关于DDR4的电压  B" l" k! I# X' g& m' A7 O0 h' y
% G0 Y- k* h: z- `) R& Q$ t0 K" x/ K
DDR4 不仅采用3DS的封装形式，而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。
; d* H% r4 u6 I  r+ R/ [2 \6 A
) f7 s9 c' [( g: I$ H! o4 ^( i电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.% U- ^6 ^  q7 E, v/ s
! M- [9 l3 b) F) T/ E5 d9 x, W
移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。
5 f% t: l% E" W/ a# M& s+ y% z8 B( `- c; a+ F% `+ l
/ V9 I* b" S8 ?

0 l% r! b/ `) W* R6 L
作者: shark4685    时间: 2015-4-17 10:31
但是由于DDR4的最大电流值仅和DDR3相当。
$ E( r4 ?, k! ~+ v
; V0 F9 V# e; _0 r9 B- g对于服务器市场，还需要提供Banks切换特性，所以使得服务器用DDR4存储器
9 ?& B& V( c4 u8 C0 y0 z' ?
3 Q! U  B, x# b$ l, Y* U" }与桌面版本的DDR4存储器从物理层面上就无法互用。
# E2 Q5 m# h1 w" v, S7 u$ ]3 \" ]: b* o" k5 p: @' \' I
对与服务器供应商来说，有可能是一个巨大的市场哦。
作者: zxb0403    时间: 2015-4-18 17:27
支持
作者: wdc    时间: 2015-4-20 11:18
数据信号线单端的还是差分的？
作者: shark4685    时间: 2015-4-20 11:24
wdc 发表于 2015-4-20 11:18
1 l0 Y; F# g6 o3 p数据信号线单端的还是差分的？

8 u. z+ B: `$ @- F- L$ \并行总线，必须单端的。。" q4 c4 U0 D+ u. ?1 W& v
作者: shark4685    时间: 2015-4-21 22:24
请假2天再接着写。。。
作者: jhh610528    时间: 2015-4-22 20:49
支持
作者: 红孩儿    时间: 2015-4-28 15:41
楼主最近好像比较忙。。
作者: xierjlove77    时间: 2015-4-28 18:26
好贴，好贴！顶你上天1
作者: jj9981    时间: 2015-4-30 09:36
# J' U* O9 j4 L! D" @/ E7 |" b# |
学习的路过
作者: inter211    时间: 2015-5-4 16:20
好文，顶起
作者: inter211    时间: 2015-5-5 09:03
楼主继续更新啊
作者: xyd20405    时间: 2015-5-5 12:05
前来学习~
作者: 阿斯兰    时间: 2015-5-5 14:34
顶上去~~~~
作者: 张湘岳    时间: 2015-5-5 14:46
好文，前来学习。
作者: shark4685    时间: 2015-5-5 14:59
本帖最后由 shark4685 于 2015-5-5 15:24 编辑
0 g) K7 A# f# ^9 m" W1 `" |7 i. I1 Z/ O0 n6 x- [( w3 O4 E
频率和带宽巨大提升 # e1 ~7 i2 x6 Q) s' K6 j2 H) p
使用Bank Group架构
0 N; c! E2 `* c% ` 0 p$ v. f2 G9 ~: [) N- q7 w& J
6 S* p/ u2 g7 t; O" l
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank Group的设计。
Bank Group架构又是怎样的情况？
具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组，包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组，这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作，从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group，相当于每次操作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank Group，则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话，那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计，对于DDR3内存来说，目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中，访问机制已经改为了点对点技术，这是DDR4整个存储系统的关键性设计。

: D9 u4 c2 P& w/ P
在DDR3内存上，内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽，但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力，无论你怎么增加内存容量，性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管，但受制于主管道的大小，即便你可以增加注水管来提升容量，但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显，但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了，所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易，但却浪费了内存的位宽。
因此，DDR4抛弃了这样的设计，转而采用点对点总线：内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线，点对点相当于一条主管道只对应一个注水管，这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过，点对点设计的问题也同样明显：一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存，因此如果DDR4内存单条容量不足的话，将很难有效提升系统的内存总量。当然，这难不道开发者，3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。
) @1 X# L1 X1 j9 G/ w
作者: lost2013a    时间: 2015-5-7 16:22
学习
作者: 我wo    时间: 2015-5-11 13:45
支持        
作者: 红孩儿    时间: 2015-5-12 16:00
顶楼主，加油，持续关注。。
作者: heroguangtou    时间: 2015-5-17 16:09
必须顶
作者: shmidly    时间: 2015-5-18 14:06
学习了楼主好人
作者: ecoren    时间: 2015-5-18 14:48
来顶，，，，，
作者: kuochiang    时间: 2015-5-20 08:51
感謝分享~~
作者: alex-pcb    时间: 2015-6-9 17:33
必须顶
作者: nmq2006    时间: 2015-6-10 08:38
严重支持版主！！！！！！！
作者: laohuang868    时间: 2015-6-10 17:20
在哪里呀！顶...
作者: qilinwang66    时间: 2015-6-12 17:26
好文，顶起
作者: sunshan    时间: 2015-6-18 19:05
必须顶啊
作者: shanghai6668    时间: 2015-6-30 13:58
在哪里
作者: shanghai6668    时间: 2015-6-30 13:59
shark4685 发表于 2015-4-13 14:37
& v, f0 T, N  L  X, XNO1：查背景
* H" c+ R9 A+ Z5 X% Z0 m
( E; Q9 E7 Z, F+ u+ ^$ h第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器
5 {4 s; x7 {% K% \# k; ^  P# X6 }
什么情况
作者: tangxuena    时间: 2015-7-9 11:19
支持！
作者: victorqzc    时间: 2015-7-17 15:23
必须顶
作者: ade-0902    时间: 2015-7-20 15:38
顶！
作者: dzkcool    时间: 2015-7-21 09:43
shark4685 发表于 2015-4-15 09:34
) ], d4 L: x$ s/ i9 |* DNO 3 DDR4 的速率
6 I! a9 {" o0 l# C+ Z$ i' `( ~2 Z% Y
& @% s5 p7 |" J1 e, J( lDDR4-1600 MT/s

: q6 q4 ?4 i/ e2 c/ C# [7 w2.133Gbps速率对应的频率不应该是1.066Ghz吗？) o! n4 N2 }, c) p$ L, [
作者: shark4685    时间: 2015-7-21 10:08
dzkcool 发表于 2015-7-21 09:43
/ ^' _& w& O9 j0 I; b2.133Gbps速率对应的频率不应该是1.066Ghz吗？
6 Q4 P. B  I, ~
是的、' q: U; |: Q8 j4 ^+ ]) r0 |6 x
作者: ljzyhjbfwh    时间: 2015-7-29 14:13
顶起，怎么看不到啊4 k1 u( ]3 N+ t
作者: 350088237    时间: 2015-8-17 09:52
详解DBI功能和POD电压哈！
作者: linqianwei    时间: 2015-8-17 19:00
顶顶顶 狂顶
作者: 阿斯兰    时间: 2015-8-17 19:25
很好，顶你
作者: fmorcm    时间: 2015-8-24 18:55
多谢分享
作者: l888888h    时间: 2015-8-25 19:37
我也顶
作者: 小旺YZ    时间: 2015-8-26 16:36
好东西，顶
作者: egomehoho    时间: 2015-9-1 09:02
恳请赐教
作者: xyy_zhong    时间: 2015-9-12 09:57
关注中。
作者: cason    时间: 2015-10-21 14:15
谢分享，正需要这方面的知识
作者: meng110928    时间: 2015-10-23 14:17
支持！
作者: hapcat    时间: 2015-11-22 15:31
看看拉，应噶发现
作者: pippodai    时间: 2016-1-12 16:24
顶！d=====(￣▽￣*)b
作者: zdfgh154    时间: 2016-1-13 16:26

1 ^9 q) Z7 _$ b. a+ zDDR4的1.2V和2.5V的动态功耗在什么范围呢？这2个电压有无明确的时序要求呢# @2 j$ X  W- \3 G& i. m
作者: Sunponpon    时间: 2016-1-13 16:40
版主好厲害!!~
作者: guagua_107    时间: 2016-1-27 14:52
kankan,xuexi
作者: ccnow    时间: 2016-2-3 17:18
楼主继续啊，持续关注
作者: xtfnstx    时间: 2016-2-5 10:54
学习了
作者: wsdgh    时间: 2016-2-15 14:58
#在这里快速回复#赞一个!
作者: ydkj17    时间: 2016-2-18 22:06
haodongxi
作者: linah88    时间: 2016-2-19 11:12
xuexile ~~ thanks
作者: 乞讨为生    时间: 2016-2-19 22:40
看看
作者: pooh1022    时间: 2016-2-24 15:08
Thanks so much
作者: xph333    时间: 2016-2-25 09:11
必须顶
作者: AD未成年    时间: 2016-2-25 09:11
11111111
作者: eyesee    时间: 2016-2-25 10:40
:):)
作者: qiangqssong    时间: 2016-2-25 13:56
谢谢楼主的分享!
作者: zqy610710    时间: 2016-2-25 14:02
学习了
作者: leos911    时间: 2016-2-26 11:07
很好，谢谢
作者: leos911    时间: 2016-2-26 11:07
很好，谢谢
作者: lng2507    时间: 2016-3-1 21:12
感谢楼主
作者: zhl_super    时间: 2016-3-7 15:42
学习了，怎么没有后续了
作者: chenjiaxing    时间: 2016-3-7 16:11
谢谢分享，学习了
作者: haterwu    时间: 2016-3-8 11:20
大大大大大大大大
作者: 梦想的天空    时间: 2016-3-8 15:17
谢谢分享!
作者: gonover    时间: 2016-3-10 09:07
不错
作者: jh1899    时间: 2016-3-10 14:42
感謝版主,授予寶貴資訊!
作者: globee    时间: 2016-3-10 21:53
必須頂！
作者: surken    时间: 2016-3-11 13:10
作者: superking18    时间: 2016-3-23 10:49
好贴 学习了
作者: ytlbms    时间: 2016-4-5 09:41
进来学习学习。
作者: wengcq    时间: 2016-4-5 10:26
学习了
作者: zjt289198457    时间: 2016-4-9 17:20
这个贴比较好，我喜欢！！！



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