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标题: DDR4详解....各种技术参数 [打印本页]
作者: shark4685    时间: 2015-4-13 14:29
标题: DDR4详解....各种技术参数
第二波，DDR4详解....各种技术参数 ，有没有人顶！
9 l- e# r/ O$ ?* B) r
作者: shark4685    时间: 2015-4-13 14:37
NO1：查背景( G+ i6 M+ h) Q; T) _7 ?, b
0 w& v! d$ a! H: d
第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器
  G! Q! P, d0 `2 g% w' m2 n& w* j+ @* C, v5 g2 N/ [
（英文：Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory，简称为DDR4 SDRAM），1 M" ^+ v( c& h2 D% f& Q) x0 @

3 A+ j" D7 j" d6 |& i. Y是一种高带宽的电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品，是自1970年DRAM开始使用以来，
* |# }1 b$ `4 W/ }
6 n! Q3 ^1 B& Y  [3 ^0 e7 R现时最新的存储器规格，旨在全面取代旧有的存储器规格.8 D2 a% A0 y) c0 u8 R
作者: wsn2010    时间: 2015-4-13 14:53
顶！
作者: dzkcool    时间: 2015-4-13 16:18
必须顶
作者: cousins    时间: 2015-4-13 16:20
这个要顶，DDR4要学习下。
作者: dainy    时间: 2015-4-13 21:07
支持
作者: 菩提老树    时间: 2015-4-13 23:11
老板，这DDR4的参数非常多呀，比如POD电压，电压比以前更低，仅仅只有1.2V，后续发展会更低；DDR4增加了一组VPP电源；电源实现了动态管理，功耗更低；信号速率更高啦，达到了3.2Gbps，后续会有6.4Gbps；比如prefetch的周期，比如RTT变得更加的多咯，有34,40,48,60,80,120,240；比如增加了DBI信号；比如DDR4的仿真，会比以前简单一些啦；。。。。。。省略1W字
作者: shark4685    时间: 2015-4-14 08:57
菩提老树 发表于 2015-4-13 23:11( X$ `- q% h1 Y. d
老板，这DDR4的参数非常多呀，比如POD电压，电压比以前更低，仅仅只有1.2V，后续发展会更低；DDR4增加了一 ...
2 H8 z8 z! o$ J5 I$ f: a
准备慢慢写。
9 H8 u% ?$ l, k6 L
作者: nishiyufrank    时间: 2015-4-14 09:16
恳请赐教
作者: JOBS    时间: 2015-4-14 11:02
楼主的DDR4来啦！！顶楼主。加油！
作者: 啤酒花    时间: 2015-4-14 11:12
楼主 不要停啊 不要停
作者: Xuxingfu    时间: 2015-4-14 11:45
科普贴，盖楼。。
作者: shark4685    时间: 2015-4-14 15:51
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-14 15:54 编辑 3 a$ P( j* _  c  }

: `7 K2 t! l: W! q& p0 o! r6 U  l' zNO 2 处理器的升级
0 f& M. K0 K0 c: |+ i. S5 d  {- v
# Y: i' F  ^% x# A 6 C: g0 J! ]" C; S1 U1 j+ W% r2 o/ X
        i7 Haswell-E架构图解: W/ G& E" Y- v0 S+ j
  每次内存升级换代时，必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，% `7 x- w9 k# b% s3 P

0 P0 E* l. s8 ?" _3 _$ RDDR4内存频率原生支持2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始频率有不小的提升。Haswell-E
) h) y0 j) C7 ?, B1 c' W3 R1 R5 a  t6 m# y' ]0 C# K
作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，3 i' j' G4 B/ g* n" j& d

! @' C% ]- K# y7 ~$ S3 _并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。. K6 h; t" `8 w& Y: T# j" O9 B
6 x* t2 e( e1 R5 D# C

& D9 @9 a8 m7 ~3 `" I) `
作者: willyeing    时间: 2015-4-14 15:53
顶顶顶版主
作者: shark4685    时间: 2015-4-15 09:34
NO 3 DDR4 的速率
  @( \: p4 m" H$ L 5 v: B/ ]3 P9 w$ P
DDR4-1600 MT/s
! o& [, F+ p2 `) U! JDDR4-1866 MT/s, S; t" H1 y7 f
DDR4-2133 MT/s6 b3 y+ N$ J4 M! ~( S4 c" |
DDR4-2400 MT/s/ p8 r6 @: ^! U1 H
DDR4-2666 MT/s" @) R" `" I/ G4 O$ {' _4 m* m0 j
DDR4-3200 MT/s
8 e( r/ `4 o& u0 u$ }
4 X6 w) H; c; d2 l4 w" X6 t科学点以后都用MT/s的单位了。拿常见的
! w7 ?  X3 E) JDDR4-2133 来说，每根数据信号线，现在每秒传输的数据约为2.133 Gbps，
; R% Z' o8 L' w2 ~5 V0 [换算成常见的带宽是266MB/s,DQS,CLK的频率就到1.3Ghz
' z/ o0 }- U' a+ \
+ @' M7 }" ]: G# m) ], }  s
作者: 红孩儿    时间: 2015-4-15 09:51
刚学完DDR3，现在来学DDR4啦，楼主加油。
作者: jj9981    时间: 2015-4-15 14:25
楼主真是个好淫
作者: shark4685    时间: 2015-4-16 14:04
NO 4 DDR4 封装1 \+ k! _: y' `4 k/ I& t( f" n

; k( C5 Y: O: j5 A; K6 W( o
6 N$ i( ~  X2 X( |DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。
( V  E0 }, Y- b5 g; k" ~! P% P3 ]举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB，共16颗)，而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。
+ w4 S( V( O# @' ~& g  T9 }+ H2 U& J" c% ~1 P! ~
& I) N4 q& F+ g6 @! K) U( g
& g  x3 N% F" o$ U% f& H
               3DS堆叠封装技术  x# z/ I/ T' h$ s
" J8 V6 V7 J5 J' P7 A& z

2 ~1 k2 a4 o/ g$ C8 n9 Z6 e0 c4 z/ f
/ d5 f  K$ ~: x& d2 U" j
! ]" r7 o, ^6 s. k( \! T
) I& w! m+ \& d
) T# F9 I' y% b9 `3 {% I

* m! i: ?' U' P+ R. x3 I, p. @
作者: shark4685    时间: 2015-4-16 14:11
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-16 14:14 编辑 * t+ R/ Q# y* L! S9 m

9 _6 R+ K+ ]( W& ~- E
NO5 DDR4 内存条分类及外形; c3 L4 G; j! S: C1 p3 z1 S3 E  B

- Y- Y5 s  P$ r! i+ i  e+ c* V; O$ Q) n
- n  H3 A& X6 L8 b6 m
0 L- r0 f' |$ B4 B2 m  @
DDR4内存金手指变的弯曲了，并没有沿着直线设计，这究竟是为什么呢？

9 k2 F3 v( G* O8 n" m! ?  w
一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。
' c8 G# \0 t# G
但本版主认为：其实是为了更好的信号完整性
& o: G( e" l0 r3 y2 S* M
　　接口位置同时也发生了改变，金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。
( M! \& @0 l0 g0 o9 r& f1 T
                        流线型金手指

0 X; C4 h5 o" y  B8 [& @6 I0 E* `
                           DDR3 & 4

8 W$ ]7 @% R6 R& V) G
作者: JOBS    时间: 2015-4-16 14:34
shark4685 发表于 2015-4-16 14:11

4 f% ]: o; H# n给楼主加油，膜拜楼主。。。# G6 g1 s. w3 T1 n
作者: cool001    时间: 2015-4-16 14:44
好贴，很赞
作者: pjh02032121    时间: 2015-4-16 14:52
楼主坚持、坚持、再坚持啊
作者: shark4685    时间: 2015-4-17 10:23
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑 ' F( j& M0 [+ x* p( k# R

6 y+ Q8 L# ]  y' HNO 6 关于DDR4的电压
0 d$ L) f# y; r" e6 X5 Q8 r( o9 t3 z9 ^8 n
DDR4 不仅采用3DS的封装形式，而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。2 f" {2 @4 v7 u/ m& o/ p/ ]

  f* O# o2 M6 a" Y# ^5 O# w/ x! [电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.
9 Y9 |0 j# c: i0 n$ W  h. D' x
$ t  b( X; H9 X1 `4 \0 g) E4 N3 K移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。
4 a& e/ O$ i' a1 ^. u3 x8 r' k  T* {5 W7 i  o
9 I0 M( @7 w9 u6 b; W( K
3 @$ `  F7 E" F- ^( ]
作者: shark4685    时间: 2015-4-17 10:31
但是由于DDR4的最大电流值仅和DDR3相当。2 F0 W5 b1 _1 v
3 M( y3 n' ?# H* s# ~$ r
对于服务器市场，还需要提供Banks切换特性，所以使得服务器用DDR4存储器
& s$ U: T- B8 N$ n$ Z2 Y) k, M, v- C  R3 U* p+ |
与桌面版本的DDR4存储器从物理层面上就无法互用。
/ Q1 ]7 ?2 F+ K. t8 R4 k3 e! M" H# Z, _5 t) J' X' N
对与服务器供应商来说，有可能是一个巨大的市场哦。
作者: zxb0403    时间: 2015-4-18 17:27
支持
作者: wdc    时间: 2015-4-20 11:18
数据信号线单端的还是差分的？
作者: shark4685    时间: 2015-4-20 11:24
wdc 发表于 2015-4-20 11:18
/ r1 A; k5 F0 y( F% C数据信号线单端的还是差分的？

' p% k3 m7 X5 t% j并行总线，必须单端的。。! j: Z" J# Y$ a& F7 `4 u( \
作者: shark4685    时间: 2015-4-21 22:24
请假2天再接着写。。。
作者: jhh610528    时间: 2015-4-22 20:49
支持
作者: 红孩儿    时间: 2015-4-28 15:41
楼主最近好像比较忙。。
作者: xierjlove77    时间: 2015-4-28 18:26
好贴，好贴！顶你上天1
作者: jj9981    时间: 2015-4-30 09:36

6 ~  _8 `, e, M) {& [6 |- ?学习的路过
作者: inter211    时间: 2015-5-4 16:20
好文，顶起
作者: inter211    时间: 2015-5-5 09:03
楼主继续更新啊
作者: xyd20405    时间: 2015-5-5 12:05
前来学习~
作者: 阿斯兰    时间: 2015-5-5 14:34
顶上去~~~~
作者: 张湘岳    时间: 2015-5-5 14:46
好文，前来学习。
作者: shark4685    时间: 2015-5-5 14:59
本帖最后由 shark4685 于 2015-5-5 15:24 编辑
. p1 f, |1 t& q  |, x9 z* E
* [/ X' l" S4 u5 P0 b) h* [频率和带宽巨大提升 $ j9 |4 ?, o8 A: S! `' r$ W' D
使用Bank Group架构
  W1 j1 d1 M; C% \- e$ J + ~: b( w1 P) D7 G" C

, {/ p3 }) g' z# e1 X( Q
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank Group的设计。
Bank Group架构又是怎样的情况？
具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组，包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组，这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作，从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group，相当于每次操作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank Group，则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话，那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计，对于DDR3内存来说，目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中，访问机制已经改为了点对点技术，这是DDR4整个存储系统的关键性设计。

) b4 p6 b, ?# \4 @; s. u5 e
在DDR3内存上，内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽，但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力，无论你怎么增加内存容量，性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管，但受制于主管道的大小，即便你可以增加注水管来提升容量，但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显，但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了，所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易，但却浪费了内存的位宽。
因此，DDR4抛弃了这样的设计，转而采用点对点总线：内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线，点对点相当于一条主管道只对应一个注水管，这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过，点对点设计的问题也同样明显：一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存，因此如果DDR4内存单条容量不足的话，将很难有效提升系统的内存总量。当然，这难不道开发者，3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。
$ Y7 O- a0 e2 g  {
作者: lost2013a    时间: 2015-5-7 16:22
学习
作者: 我wo    时间: 2015-5-11 13:45
支持        
作者: 红孩儿    时间: 2015-5-12 16:00
顶楼主，加油，持续关注。。
作者: heroguangtou    时间: 2015-5-17 16:09
必须顶
作者: shmidly    时间: 2015-5-18 14:06
学习了楼主好人
作者: ecoren    时间: 2015-5-18 14:48
来顶，，，，，
作者: kuochiang    时间: 2015-5-20 08:51
感謝分享~~
作者: alex-pcb    时间: 2015-6-9 17:33
必须顶
作者: nmq2006    时间: 2015-6-10 08:38
严重支持版主！！！！！！！
作者: laohuang868    时间: 2015-6-10 17:20
在哪里呀！顶...
作者: qilinwang66    时间: 2015-6-12 17:26
好文，顶起
作者: sunshan    时间: 2015-6-18 19:05
必须顶啊
作者: shanghai6668    时间: 2015-6-30 13:58
在哪里
作者: shanghai6668    时间: 2015-6-30 13:59
shark4685 发表于 2015-4-13 14:37( u3 U' W  E; A, S
NO1：查背景
; P. i8 L2 F! y4 H' r8 C$ I% [5 D8 p
第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器

' G7 O1 o' P( L; @% H- v& q什么情况
作者: tangxuena    时间: 2015-7-9 11:19
支持！
作者: victorqzc    时间: 2015-7-17 15:23
必须顶
作者: ade-0902    时间: 2015-7-20 15:38
顶！
作者: dzkcool    时间: 2015-7-21 09:43
shark4685 发表于 2015-4-15 09:344 K" H- b$ P5 M$ x$ K
NO 3 DDR4 的速率
( n4 P8 A8 X0 | 0 W7 U  U: z; L1 i. I. F2 f
DDR4-1600 MT/s

3 i$ [* O. j! _  I$ r2.133Gbps速率对应的频率不应该是1.066Ghz吗？
5 Z+ T# H* E2 H) Y
作者: shark4685    时间: 2015-7-21 10:08
dzkcool 发表于 2015-7-21 09:43
* C/ z! p( s2 y3 Z- G2.133Gbps速率对应的频率不应该是1.066Ghz吗？
0 t- A/ t+ J9 ^: h, y' z& c& K
是的、
! I3 v/ T. c. J, |3 B
作者: ljzyhjbfwh    时间: 2015-7-29 14:13
顶起，怎么看不到啊0 U+ R0 T7 R) t& x- z
作者: 350088237    时间: 2015-8-17 09:52
详解DBI功能和POD电压哈！
作者: linqianwei    时间: 2015-8-17 19:00
顶顶顶 狂顶
作者: 阿斯兰    时间: 2015-8-17 19:25
很好，顶你
作者: fmorcm    时间: 2015-8-24 18:55
多谢分享
作者: l888888h    时间: 2015-8-25 19:37
我也顶
作者: 小旺YZ    时间: 2015-8-26 16:36
好东西，顶
作者: egomehoho    时间: 2015-9-1 09:02
恳请赐教
作者: xyy_zhong    时间: 2015-9-12 09:57
关注中。
作者: cason    时间: 2015-10-21 14:15
谢分享，正需要这方面的知识
作者: meng110928    时间: 2015-10-23 14:17
支持！
作者: hapcat    时间: 2015-11-22 15:31
看看拉，应噶发现
作者: pippodai    时间: 2016-1-12 16:24
顶！d=====(￣▽￣*)b
作者: zdfgh154    时间: 2016-1-13 16:26
# `; w9 q0 w" s8 I
DDR4的1.2V和2.5V的动态功耗在什么范围呢？这2个电压有无明确的时序要求呢, T. K* x/ Q5 {! O; K
作者: Sunponpon    时间: 2016-1-13 16:40
版主好厲害!!~
作者: guagua_107    时间: 2016-1-27 14:52
kankan,xuexi
作者: ccnow    时间: 2016-2-3 17:18
楼主继续啊，持续关注
作者: xtfnstx    时间: 2016-2-5 10:54
学习了
作者: wsdgh    时间: 2016-2-15 14:58
#在这里快速回复#赞一个!
作者: ydkj17    时间: 2016-2-18 22:06
haodongxi
作者: linah88    时间: 2016-2-19 11:12
xuexile ~~ thanks
作者: 乞讨为生    时间: 2016-2-19 22:40
看看
作者: pooh1022    时间: 2016-2-24 15:08
Thanks so much
作者: xph333    时间: 2016-2-25 09:11
必须顶
作者: AD未成年    时间: 2016-2-25 09:11
11111111
作者: eyesee    时间: 2016-2-25 10:40
:):)
作者: qiangqssong    时间: 2016-2-25 13:56
谢谢楼主的分享!
作者: zqy610710    时间: 2016-2-25 14:02
学习了
作者: leos911    时间: 2016-2-26 11:07
很好，谢谢
作者: leos911    时间: 2016-2-26 11:07
很好，谢谢
作者: lng2507    时间: 2016-3-1 21:12
感谢楼主
作者: zhl_super    时间: 2016-3-7 15:42
学习了，怎么没有后续了
作者: chenjiaxing    时间: 2016-3-7 16:11
谢谢分享，学习了
作者: haterwu    时间: 2016-3-8 11:20
大大大大大大大大
作者: 梦想的天空    时间: 2016-3-8 15:17
谢谢分享!
作者: gonover    时间: 2016-3-10 09:07
不错
作者: jh1899    时间: 2016-3-10 14:42
感謝版主,授予寶貴資訊!
作者: globee    时间: 2016-3-10 21:53
必須頂！
作者: surken    时间: 2016-3-11 13:10
作者: superking18    时间: 2016-3-23 10:49
好贴 学习了
作者: ytlbms    时间: 2016-4-5 09:41
进来学习学习。
作者: wengcq    时间: 2016-4-5 10:26
学习了
作者: zjt289198457    时间: 2016-4-9 17:20
这个贴比较好，我喜欢！！！



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